技术特征：
技术总结
本发明公开了一种高效生产多晶硅的还原装置及工艺，该装置包括物料混合系统、物料汽化系统及氯硅烷还原生成多晶硅的系统。其中物料混合系统包括三氯氢硅和二氯二氢硅进料调节阀及物料混合器，在还原工程中不同阶段，调整二氯二氢硅的比例。汽化系统是以1MPa的蒸汽作为热源，将二氯二氢硅、三氯氢硅及氢气汽化为0.9‑1MPa的混合气体。多晶硅生成系统主要是指CVD还原炉，其主要由底盘和炉筒两部分组成，还原炉底盘上分布有电极、进料喷嘴以及出气口，通过调整喷嘴的布置。本发明通过优化的喷嘴布置，在还原过程的不同阶段，调整二氯二氢硅的比例，物料量大小，电流增加量等，在保证还原过程稳定运行的前提下，达到提高硅的沉积速率，降低还原电耗的目的。
技术研发人员：艾浩;高长昆;左昭贵;高明;陈静
受保护的技术使用者：中国南玻集团股份有限公司;宜昌南玻硅材料有限公司
技术研发日：2018.11.02
技术公布日：2019.02.12