技术特征：
技术总结
本发明提供了一种单层石墨烯的制备方法，该单层石墨烯是由SiC衬底在充满惰性气体的气压动态平衡环境下加热热解制得，具体包括如下步骤：取SiC衬底预处理后放入坩埚；将坩埚置于真空室，抽真空后充入惰性气体，将坩埚感应加热促使SiC衬底升温至热解温度并保温；调整气压，控制真空室中的惰性气体保持气压动态平衡，使SiC衬底进行热解；热解完成后降至室温，恢复常压，取出单层石墨烯。本发明提供的制备方法简单可控，提高了生产效率，有望进行批量化生产，该方法能够制备2～4英寸的大尺寸单层石墨烯，所得单层石墨烯的层数可控，面积较大，且晶格缺陷极少，可以满足高质量单层石墨烯的市场需求。
技术研发人员：张贺;古宏伟;丁发柱;李辉;屈飞
受保护的技术使用者：中国科学院电工研究所
技术研发日：2018.11.13
技术公布日：2018.12.28