技术总结
一种铸造单晶硅锭的侧部加热装置，包括置于热场保温板内侧的DS块支撑平台，所述DS块支撑平台下端设有支撑脚，DS块支撑平台上端设有石英坩埚，石英坩埚内设有硅碇，石英坩埚外侧四周设有坩埚护板，坩埚护板外侧四周设有4块侧部加热器，所述的4块侧部加热器相互之间经4个转角连接器连接，所述的4个侧部加热器经3个吊臂加热板分别与铜电极接头连接。本实用新型能够抑制晶体形核初期晶种的相变，保证晶体的各向同性生长，改善铸造单晶硅锭存在的孪晶比例大、位错密度大、单晶面积不足等缺陷，从而提高铸造单晶的晶体质量，提高硅片光电转换效率。
技术研发人员：董朝龙;熊达;雷杰;漆龙武;喻炜;雷琦;张泽兴;黄林
受保护的技术使用者：江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
技术研发日：2018.09.18
技术公布日：2019.05.31