技术总结
本实用新型提供一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，包括真空腔室、感应线圈和坩埚；真空腔室位于感应线圈内的中央位置；坩埚位于真空腔室中心位置；坩埚包括坩埚体和坩埚上盖，坩埚上盖盖合于坩埚体顶部；坩埚上盖下方设置有上盖籽晶托；感应线圈用于加热坩埚，感应线圈在碳化硅晶体生长过程中根据碳化硅粉料量的变化控制坩埚纵向上的温度梯度。通过可根据碳化硅粉料量的变化控制坩埚纵向上的温度梯度的感应线圈的设置，实现碳化硅粉料和籽晶之间温度梯度的控制，有助于降低碳化硅晶体的内应力、减少碳化硅晶体的缺陷、提高碳化硅晶体质量及生产效率，实现大尺寸、高有效厚度的碳化硅晶体的生长。
技术研发人员：戚祖强;肖锦先;李海军;卢万佳;黄金平;刘勇;汪志超
受保护的技术使用者：戚祖强
技术研发日：2018.12.25
技术公布日：2019.10.22