一种用于基板上生长薄膜的承载盘、生长装置和生长方法与流程

可运用于基板表面生长薄膜用的承载盘，该承载盘可运用于mocvd设备中。

背景技术：

mocvd技术是以ⅲ族、ⅱ族元素的有机化合物和v、ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延获得所需薄膜，生长各种ⅲ-v主族、ⅱ-ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料，被广泛应用于化合物半导体生产设备的行业，例如蓝色或紫外或红光或红外led或激光器。

当通过mocvd技术形成所需的薄膜时，一方面已知由反应性原料气体在基板表面上产生的表面反应非常复杂，在mocvd技术中控制这些参数以形成所需的薄膜是非常关键的。另外一方面，为了保证薄膜生长质量，基板的承载结构设计也非常的关键。

图1提供了一种mocvd的生长装置，生长装置内具有一个生长腔体100，腔体100内的顶部包括悬挂式基座101,基座101上可固定数个承载生长衬底的承载盘103。基座101包括边缘具有齿轮的旋转盘102，旋转盘102中央具有一个槽状结构或孔状结构，用于安装支撑柱104，支撑柱104用于悬挂该基座在腔体内的顶部，并且支撑柱104设置为可带动旋转盘102旋转。如图2所示，具体的旋转盘102的边缘具有齿轮，与承载盘103的齿轮相配合，以实现承载盘103可旋转。腔体的顶部还具有加热装置105，加热装置105为通电加热工作模式。

在腔体100内基座101下方的空间有流通的反应性气体，反应性气体流通至生长衬底的生长面获得外延生长薄膜，反应性气体通过气体流入管道106和流出管道107实现供给以及排出。

承载盘103的结构如图3-4所示，承载盘103包括贯穿两面侧的沉孔，沉孔内的底部安装生长衬底111，上部安装传热器110。传热器110具有一表面与生长衬底的生长面的相反面相对，并保持一微小的距离，实现传热器对生长衬底的表面进行均匀热传递。沉孔内的侧壁上具有一台阶1031，台阶1031用于支撑传热器110的边缘，传热器110为一“凸”型的块状，该传热器110可以从承载盘的上表面侧自由取出。承载盘103底面侧一体设置有数个支撑块109，通常至少三个或四个或五个，并向沉孔的底部中央延伸，该支撑块支撑在生长衬底的生长面的边缘。由于支撑块与生长衬底之间存在热传导，会影响生长衬底的受热均匀性，因此该支撑块应当设计为尺寸尽量小，且与生长面的接触面积应当尽量小。

承载盘、传热器和支撑块一般为石墨、表面涂有碳化硅的石墨或碳化硅制成，其中小尺寸的支撑块由于长时间用于支撑生长衬底，并且在取放过程或生长过程中经受多次碰撞，支撑块容易发生断裂，特别的是碳化硅，碳化硅易脆，承载盘103需要经常更换，使用周期短，生产成本高。

现有技术中提出了采用螺丝钉将支撑块固定在承载盘的底部，以便于更换，然而螺丝钉属于额外的固定件，更换不方便，且需要选择与承载盘、传热器以及支撑块为同样的材质，同样易损。也有现有技术提出了采用粘接剂，然而mocvd的生长条件为至少600°以上，难以寻找到性能稳定且粘接性好的粘接剂。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本发明提供如下一种用于基板上生长薄膜的承载盘，其包括：

承载盘本体，本体包括相对的上表面侧和下表面侧，自上表面侧贯穿下表面侧的孔；

孔侧的侧壁上具有多个凹槽，凹槽内具有台面；

多个用于支撑基板的支撑块支撑在内侧壁上，并且可单独从承载盘本体上拆卸；每一个支撑块包括第一部分凸起，第一部分凸起自承载盘本体的侧壁侧向孔内部延伸，包括第二部分凸起，第二部分凸起插入到侧壁一个凹槽内并靠凹槽内的台面形成支撑，包括连接第一部分凸起和第二部分凸起的第三部分。

优选的，所述的凹槽内的台面沿着沉孔内侧壁周向延伸或沿着侧壁厚度方向延伸。

优选的，所述的凹槽延伸至承载盘的下表面侧，以使第三部分连接部分嵌入凹槽内。

优选的，所述的支撑块的第二部分凸起和第三部分充满凹槽的空间。

优选的，所述的凹槽为t字型凹槽或直角型凹槽，所述支撑块的第一部分凸起与第二部分凸起互相垂直延伸。

优选的，所述多个支撑块的第一部分凸起具有一弧形边缘。

优选的，所述的弧形边缘的弧长为小于1/4的沉孔内侧壁的圆周周长。

优选的，每个支撑块的第一部分凸起间隔安装在侧壁的凹槽内。

优选的，所述的孔为沉孔，所述的凹槽上方的侧壁上还有一个水平台阶，水平台阶的位置相对于凹槽更靠近承载盘的上表面侧。

本发明同时提供如下一种用于基板上生长薄膜用的承载盘，其包括：

承载盘本体，本体包括相对的上表面侧和下表面侧，自上表面侧贯穿下表面侧的沉孔，多个z字型的支撑块支撑在内侧壁上，并可单独从承载盘本体上拆卸；每一个支撑块包括第一部分凸起自承载盘本体的侧壁侧向沉孔内延伸，包括第二部分凸起，第二部分凸起被支撑在沉孔内的台阶上。

优选的，所述支撑块的第二部分凸起被支持在台阶上，安装基板时，基板上方具有一盖板，支撑块的第二部分凸起可被夹持在台阶和盖板之间以形成支撑。

优选的，多个支撑块的第二部分支撑在台阶上形成封闭的环状。

优选的，所述支撑块还包括第三部分，第三部分连接第一部分和第二部分，所述多个支撑块的第三部分在侧壁上形成贴合侧壁的封闭的环状。

优选的，所述的多个支撑块为至少4个。

优选的，所述的承载盘本体的材料和支撑块的材料相同。

优选的，所述支撑块的第一部分凸起为块状，第一部分凸起与支撑基板生长面相对的面被设置成相对承载盘下表面侧倾斜。

优选的，所述支撑块的第一部分凸起与支撑基板生长面相对的面具有弧形或尖锥形或锥形台。

优选的，所述的承载盘本体的材料和支撑块的材料为石墨、碳化硅或表面涂有碳化硅的石墨。

优选的，自承载盘的上表面侧可放置生长薄膜用的基板，并使基板自承载盘下表面侧暴露的一面的边缘被多个所述的支撑块的第一部分凸起支撑。

优选的，沉孔的内侧壁包括台阶，自承载盘的上表面侧可依次放置生长薄膜用的基板和盖板，盖板可被固定在台阶上。

优选的，所述的盖板为传热块，盖板可被固定在台阶上，并与基板间隔一定的距离。

本发明同时提供如下一种用于基板上生长薄膜的装置，其包括生长腔体，生长腔体内包括前述所述的承载盘，承载盘被可拆卸的安装在基座上，基座被悬挂在生长腔体内的顶部，承载盘的沉孔内安装有基板和盖板，基板具有一面侧在承载盘的下表面侧被暴露。

优选的，所述的基板为蓝宝石或锗或砷化镓或硅或氮化镓或者是这些基板的表面已经有额外的膜层。

优选的，所述的基座下方具有反应气体流通腔体。

优选的，所述的装置为mocvd装置。

本发明同时提供如下一种用于基板上生长薄膜的方法，其包括使用前述的用于基板上生长薄膜的装置生长薄膜。

有益效果：

（1）由于传统的支撑块与承载盘是一体连接，支撑块用于支撑基板的支撑块经过反复的磕碰、撞击容易被损坏，导致承载盘的更换周期短，使用成本高。本发明提供的承载盘能够对多个支撑块可拆卸式的支撑，方便更换，由此提高承载盘本体的使用寿命，降低生产成本。

（2）通过每一个支撑块的一部分设计为安装入承载盘的沉孔内侧壁的凹槽内台面上或悬挂至孔内侧壁的台阶上，无需额外的固定件，方便安装和拆卸。

（3）为了降低支撑块对基板的受热均匀性影响，可减少支撑块与基板接触的面积，如支撑块与基板生长面相对的面为相对倾斜的或支撑块的第一部分凸起与基板生长面相对倾斜的延伸，从而降低支撑块对基板生长面的受热均匀性的影响或者可以设计至少一个凸起，凸起的表面形状为弧形或锥形台或尖锥或条状等。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1是背景技术中提到的一种mocvd生长装置结构示意图。

图2是从图1中mocvd生长装置的生长腔体内基座的下表面侧观察的结构示意图。

图3是图1的一种mocvd生长装置中使用的承载盘结构示意图。

图4是图3所示的承载盘内安装有生长基板和盖板的结构示意图。

图5是图4的剖面示意图。

图6是实施例一的承载盘结构示意图。

图7是图6所示的承载盘沿虚线位置的剖面示意图。

图8是实施例一的承载盘的剖面示意图。

图9是实施例一的支撑块的结构示意图。

图10是实施例一的承载盘的截面示意图。

图11是实施例二的承载盘的剖面示意图。

图12是实施例二的支撑块的结构示意图。

图13是实施例二的承载盘的结构示意图。

图14是实施例二的承载盘的截面示意图。

图15是实施例三的承载盘本体的截面示意图。

图16是实施例三的承载盘的截面示意图。

图17-18是实施例三的支撑块的结构示意图。

图19是实施例三的承载盘的截面示意图。

图20是实施例四的承载盘的截面示意图。

图21是实施例五的承载盘的截面示意图。

图22是实施例五的支撑块的结构示意图。

图23-24是实施例六的支撑块的截面示意图。

图25是实施例七的承载盘的截面示意图。

图26是实施例七的支撑块的结构示意图。

具体实施方式

下面结合示意图对本发明的承载盘进行详细的描述，在进一步介绍本发明之前，应当理解，由于可以对特定的实施例进行改造，因此，本发明并不限于下述的特定实施例。还应当理解，由于本发明的范围只由所附权利要求限定，因此所采用的实施例只是介绍性的，而不是限制性的。除非另有说明，否则这里所用的所有技术和科学用语与本领域的普通技术人员所普遍理解的意义相同。

在以下的说明内容中，类似或相同的组件将以相同的编号来表示。

实施例一

本实施例提供一种用于基板上生长薄膜的承载盘，更佳的适用于高温条件下生长薄膜。所述的高温条件通常为600℃以上的生长条件，具体的，但不限制用于mocvd生长装置生长氮化镓基薄膜、铝镓铟磷基薄膜、铝镓砷基薄膜、砷化镓基薄膜。生长的薄膜可以用于但不限于如下类型的器件，如led发光器件或激光器件或太阳能电池的器件。

所述的生长薄膜用的基板优选为蓝宝石或锗基或砷化镓基或硅基或氮化镓基衬底或者是这些衬底表面已经有额外的膜层。

具体，如图6所示的一种用于基板上生长薄膜的承载盘。承载盘包括承载盘本体200和多个可单独拆卸的支撑块202，所述的承载盘本体200上包括上表面侧和下表面侧，自上表面侧贯穿至下表面侧的沉孔。其中图6所提供的是从承载盘200上表面侧俯视的结构示意图，所述的支撑块202固定在沉孔内的侧壁上。

图7提供了自承载盘本体200的上表面侧至下表面的纵向截面示意图，在承载盘的沉孔中从上表面侧依次放置有基板204和盖板203，所述的基板204具有两面侧，一面侧与盖板相对，基板204的另一面侧从承载盘的下表面侧暴露，以用于薄膜生长。本实施例所述的基板204可具体为蓝宝石衬底。

多个可单独拆卸的支撑块202与基板下表面侧的边缘接触实现支撑。

所述的沉孔内的侧壁上具有一台阶201，台阶201用于支撑和限位盖板203。盖板203具体的可以是一个柱状，盖板的底部边缘被支撑在台阶201上。或者如图7所示，盖板通常为两个尺寸不一致的柱状一体成型，盖板在外侧壁上形成一台阶。放置盖板在沉孔中时，盖板的外侧壁上的台阶被支撑在沉孔内的侧壁上的台阶201上。台阶的位置相对凹槽更靠近承载盘的上表面侧。

mocvd生长装置中，所述的盖板可以为传热器，将外部的加热器件产生的热均匀传递至基板，使得基板在生长薄膜过程中的生长面均匀受热，固定盖板与基板之间可具有一定的间隙。

图8为从图6的虚线位置沿着承载盘的上表面侧至下表面的纵向截面示意图。所述的承载盘本体200在台阶下方的内侧壁上包括数个凹槽204，数个凹槽用于多个支撑块202可单独拆卸的固定在侧壁上。凹槽内至少具有一台面，用于使支撑块的一部分被嵌入凹槽内并被支撑。具体的，所述的凹槽204可以是t字型或直角型。

如图8所示，凹槽204为直角型。直角型凹槽204包括沿着侧壁的厚度方向延伸一定深度的第一部分2041以及自第一部分2041沿着侧壁竖直方向延伸至承载盘的下表面侧的第二部分2042，凹槽204的第一部分2041在侧壁内沿着厚度方向深入的深度大于第二部分在水平方向的深度2042，由此第一部分2041在凹槽内形成一台面，该台面能够对支撑块形成支撑。

图9所示的是支撑块202的结构示意图以及将支撑块202安装至如图8所示的凹槽204内时，获得如图10所示的结构。在本实施例中所述的支撑块202为z字型，具有三个部分，第一部分2021、第二部分2022和第三部分2023，这三部分为一体形成，不可拆分。第一部分2021用于支撑基板的生长面，为一凸起，第一部分凸起自承载盘本体的侧壁侧向孔内部延伸，可选的，支撑块202的第一部分2021被设置成低于承载盘202的下表面侧或与承载盘202的下表面侧同一水平面。具体的，第一部分2021自第三部分2023向沉孔的中心线延伸一定的长度。优选的，第一部分2021与第二部分2022延伸的方向平行于承载盘本体的上表面侧与下表面侧。

所述的第二部分2022被安装在凹槽204的第一部分2041中，并被凹槽的第一部分2041内的台面所支撑，为一凸起。

第三部分2023用于连接第一部分2021与第二部分2022，第三部分2023被嵌入凹槽204在竖直方向延伸的第二部分2042中。

所述的承载盘本体200、支撑块202以及盖板204可为同一材质，所述的材质具体可以是石墨或石墨表面涂有碳化硅或碳化硅。更优选的，本实施例所述的承载盘本体200、支撑块202以及盖板204为碳化硅材料制成。

根据本发明的设计，当承载盘内的任意一个支撑块的第一部分凸起被损坏时，所述的一个支撑块可以方便的从承载盘的沉孔内的侧壁上取下，更换成新的一个支撑块，由此承载盘本体的使用寿命延长，承载盘的使用成本降低。

实施例二

在实施例一的基础上本实施例提供一种替代方案，对承载盘本体内侧壁上的凹槽以及支撑块的形状进行改变。图11提供了自承载盘的上表面侧至下表面的纵向剖面示意图，所述的承载盘本体在台阶下方的内侧壁上包括的数个凹槽204为t字型凹槽，包括沿着水平方向的侧壁表面周向延伸的第一部分2041以及自第一部分2041沿着竖直方向延伸至承载盘的下表面侧的第二部分2042，凹槽204的第一部分2041沿着侧壁周向延伸具有尺寸d1，第二部分2042沿着侧壁周向延伸具有尺寸d2。可选的，凹槽的第一部分2041在水平方向的深度与第二部分2042在水平方向的深度一致。本实施例以沉孔的水平截面是圆形为例，则d1和d2为弧长，所述的弧长为平均弧长。本实施例中d1大于d2，由此在t字型凹槽第一部分2041具有台面，以用于对支撑块形成支撑。所述的d1为小于1/4的沉孔内侧壁的圆周周长。更优选的，所述的弧形边缘的弧长为侧壁的圆周周长的1/5~1/10或1/10~1/20。

承载盘本体包括多个可单独拆卸和安装的多个支撑块。支撑块的形状如图12所示，在本实施例中所述的支撑块202具有第一部分2021、第二部分2022和第三部分2023，这三部分为一体形成，不可拆分。支撑块202的第一部分2021连接在第三部分2023的底部，为相对于自第三部分2023向孔内部延伸的一块凸起，该凸起用于支撑基板的生长面的边缘部分。支撑块的第一部分2021可被设置成低于承载盘202的下表面侧或与承载盘202的下表面侧同一水平面。

第二部分2022为凸起，被安装在图11所示的凹槽的第一部分2041内，并依靠台面被支撑。本实施例以沉孔的水平截面是圆形为例，第二部分具有一弧形边缘，弧形边缘的弧长等于凹槽的第一部分的弧长。

第三部分2023沿着垂直于第二部分2022的延伸方向延伸，即第二部分2022和第三部分2023相互垂直。第二部分2022和第三部分2023具有水平的宽度尺寸d3和d4，优选的d3和d4分别与凹槽204的第一部分2041和第二部分2042的尺寸d1和d2相等，以实现支撑块的第一部分和第二部分能够刚好与凹槽匹配，实现支撑块的第二部分2022和第三部分2023可基本充满凹槽的内部。以沉孔的水平截面是圆形为例，宽度尺寸d3和d4则为平均的弧长。

图13提供了承载盘上放置基板204的俯视图，从图中可以看出，多个支撑块的第一部分2021自第三部分2023向沉孔的中心线延伸，并与基板204的下表面侧（生长面）以多处接触的方式以支撑基板204。

图14是图13所示意的承载盘中放置基板204和盖板203之后纵向截面示意图。其中基板204被支撑块202的第一部分2021所支撑，盖板203被内侧壁的台阶201所支撑。基板204与盖板之间不是接触的方式被放置，可以留有不高于1厘米的距离。

根据本发明的设计，当承载盘内的任意一个支撑块的第一部分凸起被损坏时，所述的一个支撑块可以方便的从承载盘的沉孔内的侧壁上取下，更换成新的一个支撑块，由此承载盘本体的使用寿命延长，承载盘的使用成本降低。

实施例三

不同于实施例一和实施例二，本实施例提供另外一种可拆卸的支撑块的设计。如图15所示，用于基板上生长薄膜的承载盘200，所述的承载盘包括承载盘本体200，本体上包括上表面侧和下表面侧，自上表面侧贯穿下表面侧的沉孔。承载盘在沉孔内的侧壁上形成台阶201，台阶201的台面基本平行于上表面侧和下表面侧。

所述的承载盘200包括如图16所示的多个可单独拆卸的支撑块202，多个支撑块202为z字型结构。如图17所示，多个支撑块202包括一部分被台阶201悬挂支撑，另一部分沿着承载体的本体侧壁延伸至沉孔内的下表面侧，z字型还包括一部分自沉孔内的侧壁下边缘向沉孔的中心线延伸，该部分用于支撑基板的生长面。多个支撑块的数量具体是至少两个，优选的是至少四个，优选的支撑块的形状和大小尺寸是一致的。

具体的所述的支撑块具有如下三个部分，第一部分2021、第二部分2022和第三部分2023，这三部分为一体形成，不可拆分。第一部分2021为凸起，用于支撑基板的生长面，基板被安装时，第一部分2021与基板的生长面相接触，多个支撑块202通过多个第一部分2021与基板的生长面形成多处接触。支撑块被安装在沉孔内时，第一部分2021自承载盘内的内侧壁侧向沉孔内部延伸，优选向沉孔的中心线方向水平延伸一定的长度。

支撑块202具有第二部分2022，第二部分2022为一凸起，具有水平的宽度和纵向的厚度。支撑块202通过第二部分2022的一面侧与承载盘内侧壁上的台阶201的水平面贴合实现被支撑。

支撑块202还具有第三部分2023，第三部分2023连接第一部分2021和第二部分2022。支撑块202安装在沉孔内时，第三部分2023与沉孔内的台阶下面的侧壁贴合。所述的第二部分2022相对于第三部分2023具有水平的宽度更大的值，以保证第二部分具有一面与承载盘的台阶贴合形成支撑。

多个相同尺寸的支撑块202组合在一起时，至少第二部分2022或第三部分2023可形成封闭的环状结构。本实施例中，如图18所示的结构示意图，多个相同尺寸的支撑块202组合在一起时第二部分2022和第三部分2023形成封闭的环状结构。多个相同尺寸的支撑块202一起被安装在沉孔内的台阶上。

图19所示的是沿着图17所示的虚线位置切割的剖面示意图，支撑块202通过第二部分2022的凸起被悬挂在台阶201上，支撑块的第三部分2023与沉孔台阶下面的侧壁贴合，支撑块的第一部分2021位于承载盘内沉孔内的下表面侧并从承载盘下表面侧的边缘侧壁侧向中心线延伸。

另外如图19所示，当在承载盘内的沉孔内安装基板204和盖板203时，基板204被放置在沉孔的底部，基板204从承载盘的下表面侧暴露的一面为用于生长薄膜的面，该薄膜生长面的边缘被多个支撑块的第一部分2021支撑。

所述的盖板203为截面大小一致的柱体或截面为上大下小的柱体，在mocvd的生长装置中，通常用于蓝宝石表面生长用的盖板为截面为上大下小的柱体，柱体的水平截面为上大下小以在外侧壁上具有一台阶结构，该台阶为环绕侧壁形成。安装盖板203时，盖板203外侧壁的台阶被支撑在支撑块的第二部分2022上。由此，沉孔内的台阶201可对支撑块的第二部分2022形成悬挂式支撑，以及盖板外侧壁的台阶与沉孔内的台阶201对支撑块的第二部分2022可形成夹持，实现对支撑块202的固定。

根据本发明的设计，当承载盘内的任意一个支撑块的第一部分凸起被损坏时，所述的一个支撑块可以方便的从承载盘的沉孔内的台阶上取下，更换成新的一个支撑块，由此承载盘本体的使用寿命延长，承载盘的使用成本降低。

实施例四

作为实施例一至三的任一项实施例的替换方式，相对于如图8所示的承载盘的一种改变，图20所示的一个承载盘放置有基板和盖板的结构示意图，本实施例将支撑块202的第一部分2021设计为相对基板生长面为相对倾斜的延伸，基板204的边缘与支撑块202的第一部分2021的倾斜面为线接触。由此减少基板204与支撑块202之间的接触面积，减少支撑块对基板204的生长面的受热均匀性影响。同样的，图14以及图19所示承载盘的支撑块202的第一部分2021也可以设计为相对于基板生长面为倾斜的方式。

实施例五

作为实施例四的一种改进，如图21所示的承载盘200，第一部分2021与基板204生长面相对的面上具有凸起2024，凸起2024具有弧形面。凸起2024通过弧形面的顶部与基板204的生长面之间接触，由此减少第一部分2021与基板生长面之间的接触面积。本实施例的支撑块202结构如图22所示，凸起2024的数量为一个或多个。

实施例六

作为实施五的支撑块的一种改进，如图23-24所示的支撑块结构，凸起2024可以是条状或块状或锥形。

实施例七

所述的实施一至三的支撑块的第一部分与第二部分可以是相互平行的延伸。安装时，支撑块的第一部分与基板生长面是相对平行的。作为实施例一至三的任一项实施例的替换方式，本实施例的具体改进结构如图25所示，支撑块202的第一部分2021的延伸方向与承载盘的下表面侧平行，但第一部分2021与基板204生长面相对的面为倾斜的，由此构成支撑块202与基板生长面的边缘接触的方式为线接触。由此减少基板204与支撑块202之间的接触面积，减少支撑块对基板204的生长面的受热均匀性影响。所述的支撑块的形状如图27所示。

实施例八

本实施例提供一种mocvd装置，其包括生长腔体，生长腔体内包括前述任一项实施例中所述的承载盘，承载盘被安装在基座上，基座被悬挂在生长腔体内的顶部，承载盘的沉孔内安装有基板和盖板，基板具有一面侧自承载盘的下表面侧被暴露用于外延生长薄膜。基座的上方具有一电加热器，提供基板的加热源。基座的下方具有一反应性气体流通空间，腔体内包括气体流入通道和气体流出通道。本实施例的基板为蓝宝石衬底，蓝宝石衬底被固定在承载盘内，并通过承载盘的下表面侧被暴露与基座下表面流通的反应性气体接触获得生长薄膜。盖板、承载盘本体以及支撑块的材料为碳化硅，碳化硅具有传热功能，将加热器的热传导至蓝宝石衬底，实现蓝宝石衬底的均匀受热。作为一种实施方式，蓝宝石衬底上可用于生长铝镓铟氮、铝镓铟磷或铝镓砷的发光材料层。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。