1.一种含水悬浮液，其包含至少一种金属碳化物颗粒和至少一种分散剂，其中基于所述悬浮液的总重量，所述至少一种金属碳化物颗粒的比例为30重量％至95重量％。
2.根据权利要求1所述的含水悬浮液，其特征在于
至少一种金属碳化物颗粒选自钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、硅的碳化物及其混合物，其中优选碳化钽；和
其中至少一种金属碳化物颗粒的平均粒径优选为0.05μm至25μm，更优选为0.5μm至5μm，特别优选为1μm至2μm，和/或
至少一种金属碳化物颗粒的各种元素杂质的含量优选为<300ppm，更优选<10ppm，特别优选<1ppm；和/或
分散剂选自聚丙烯酸、四丁基氢氧化铵及其混合物，所述聚丙烯酸的数均分子量优选为3000g/mol至10000g/mol，更优选4000g/mol至6000g/mol。
3.根据权利要求1或2所述的含水悬浮液，其特征在于
所述含水悬浮液包含至少一种添加剂，所述添加剂选自碱、特别是氢氧化钠溶液，消泡剂、特别是脂肪醇聚亚烷基二醇醚，烧结助剂、特别是钴或硅，及其混合物。
4.根据前述权利要求中任一项所述的含水悬浮液，其特征在于
基于悬浮液的总重量，金属碳化物颗粒的比例为40重量％至90重量％，优选60重量％至85重量％；和/或
基于悬浮液的总重量，分散剂的比例为0.05重量％至5重量％，优选0.1重量％至2重量％；和/或
基于悬浮液的总重量，至少一种添加剂的比例为0重量％至10重量％，优选0.5重量％至5重量％。
5.一种用于涂覆基材的方法，其包括以下步骤：
i)提供基材；
ii)提供权利要求1至4中任一项所述的含水悬浮液；
iii)将步骤ii)中的悬浮液施加到步骤i)中的基材的表面上；
iv)干燥所施加的悬浮液，在所述基材的表面上形成涂层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于
基材选自石墨、具有经调节的热膨胀系数的材料，优选经调节的热膨胀系数为6.5×10-6k-1至7.5×10-6k-1的石墨及其混合物。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于
所述方法包括以下其他步骤：
v)在步骤iii)之前对步骤i)中提供的基材进行预处理，其中优选通过选自表面机械粗糙化、表面热预处理、表面化学处理及其组合的措施进行预处理，随后进行清洁，特别是通过超声处理；
vi)烧结步骤iv)后获得的涂层。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法，其特征在于
通过刷涂、浸涂或喷涂来施加步骤iii)中的悬浮液。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的方法，其特征在于
步骤iv)在100℃至600℃，优选120℃至550℃，更优选145℃至455℃的温度下进行，优选在5小时至40小时内，更优选在20小时至30小时内进行步骤iv)，干燥过程iv)特别优选其中温度分阶段升高，最优选以下温度范围和时间间隔：
(1)140℃至160℃持续2.5小时至3.5小时；然后
(2)180℃至220℃持续1.5小时至2.5小时；然后
(3)在(2)的温度下保持2小时；然后
(4)200℃至250℃持续1.5小时至2.5小时；然后
(5)310℃至350℃持续4.5小时至5.5小时；然后
(6)330℃至350℃持续1.5小时至2.5小时；然后
(7)在(6)的温度下保持2小时；然后
(8)380℃至420℃持续3.5小时至4.5小时；然后
(9)430℃至470℃持续1.5小时至2.5小时；
和/或
步骤vi)在2000℃至2600℃，优选2100℃至2500℃，更优选2200℃至2300℃的温度下进行，优选在1小时至10小时内，更优选在3小时至5小时内进行步骤vi)；和/或
在500托至900托，优选600托至800托，更优选680托至720托的压力下进行步骤vi)；和/或
在惰性气体下进行步骤vi)，惰性气体优选地选自氦、氩、氮及其混合物。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的方法，其特征在于
在步骤iv)之后和/或在步骤vi)之前，涂层的生坯密度为至少50％，优选至少60％；和/或
步骤iv)或vi)之后的涂层的杂质含量小于300ppm，优选小于1ppm；和/或
步骤iv)或vi)之后的涂层的开孔孔隙率小于5％，优选小于1％。
11.根据权利要求5至10中任一项所述的方法，其特征在于
步骤iv)或vi)之后的涂层厚度为20μm至500μm，优选为50μm至400μm，更优选为100μm至300μm；和/或
在步骤iii)之前的含水悬浮液的ph为5至10，优选为7至8，特别是对于聚丙烯酸作为分散剂而言。
12.一种经涂覆的基材，其能够通过权利要求5至11中任一项所述的方法制备。
13.根据权利要求12所述的经涂覆的基材，其特征在于
涂层的厚度为20μm至500μm，优选为50μm至400μm，更优选为100μm至300μm。
14.根据权利要求12或13中任一项所述的经涂覆的基材作为碳化物材料的用途。
15.根据权利要求14所述的用途，其用于晶体生长的应用中，特别是用于物理气相工艺、外延工艺的应用中和用于坩埚的应用。