1.一种无铅低熔点玻璃组合物，包括：
钒氧化物、碲氧化物和银氧化物，
其中以氧化物换算计v2o5、teo2和ag2o的总含量为85摩尔％或更高，
teo2和ag2o的含量各自为v2o5的含量的1～2倍，
还包括0～13摩尔％的次级成分，该次级成分为选自bao、wo3和p2o5中的至少一种；
包括0.1～3.0摩尔％的附加成分，该附加成分为选自元素周期表第13族元素的氧化物中的至少一种，
具有280℃或更低的软化点，所述软化点通过差热分析而确定为第二吸热峰值温度，
结晶起始温度比所述软化点高出60℃或更多，所述结晶起始温度通过差热分析而确定。
2.根据权利要求1所述的无铅低熔点玻璃组合物，
其中所述附加成分以氧化物换算为b2o3、al2o3、ga2o3和in2o3中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的无铅低熔点玻璃组合物，
其中所述附加成分以氧化物换算为b2o3、ga2o3和in2o3中的至少一种。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的无铅低熔点玻璃组合物，
其中所述附加成分的含量为0.1～2.0摩尔％。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的无铅低熔点玻璃组合物，
v2o5的含量为17摩尔％或更高且为27摩尔％或更低，
teo2的含量为34摩尔％或更高，
ag2o的含量为40摩尔％或更低。
6.一种低温密封玻璃粉，包括：
根据权利要求1～5中任一项所述的无铅低熔点玻璃组合物；以及
低热膨胀陶瓷颗粒，
其中所述无铅低熔点玻璃组合物的含量为40～100体积％，并且
所述低热膨胀陶瓷颗粒的含量为0～60体积％。
7.根据权利要求6所述的低温密封玻璃粉，
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒包括选自钨酸磷酸锆、石英玻璃、硅酸锆、氧化铝、莫来石和氧化铌中的至少一种。
8.根据权利要求6或7所述的低温密封玻璃粉，
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒为钨酸磷酸锆或主要包括钨酸磷酸锆的化合物，并且
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒的含量为30～50体积％。
9.一种低温密封玻璃浆，包括：
根据权利要求1～5中任一项所述的无铅低熔点玻璃组合物的颗粒；
低热膨胀陶瓷颗粒；以及
溶剂。
10.根据权利要求9所述的低温密封玻璃浆，
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒包括选自钨酸磷酸锆、石英玻璃、硅酸锆、氧化铝、莫来石和氧化铌中的至少一种，并且
其中所述溶剂为α-松油醇或二乙二醇正丁醚乙酸酯。
11.根据权利要求9或10所述的低温密封玻璃浆，
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒为钨酸磷酸锆或主要包括钨酸磷酸锆的化合物，并且
其中所述溶剂为α-松油醇。
12.一种导电材料，包括：
根据权利要求1～5中任一项所述的无铅低熔点玻璃组合物；以及
金属颗粒，
其中所述无铅低熔点玻璃组合物的含量为5～100体积％，并且
所述金属颗粒的含量为0～95体积％。
13.根据权利要求12所述的导电材料，
其中所述金属颗粒为选自银、银合金、铜、铜合金、铝、铝合金、锡和锡合金中的至少一种。
14.根据权利要求12或13所述的导电材料，
其中所述金属颗粒为银或铝，并且
其中所述金属颗粒的含量为10～90体积％。
15.一种导电玻璃浆，包括：
根据权利要求1～5中任一项所述的无铅低熔点玻璃组合物的颗粒；以及
溶剂。
16.根据权利要求15所述的导电玻璃浆，还包括金属颗粒。
17.根据权利要求16所述的导电玻璃浆，
其中所述金属颗粒为选自银、银合金、铜、铜合金、铝、铝合金、锡和锡合金中的至少一种。
18.根据权利要求15所述的导电玻璃浆，
其中所述溶剂为α-松油醇或二乙二醇正丁醚乙酸酯。
19.根据权利要求16或17所述的导电玻璃浆，
其中所述金属颗粒为银或铝，并且
其中所述溶剂为α-松油醇。
20.一种玻璃密封的元件，其具有密封部，所述密封部包括40～100体积％的无铅低熔点玻璃相，
其中所述无铅低熔点玻璃相包括根据权利要求1～5中任一项所述的无铅低熔点玻璃组合物。
21.根据权利要求20所述的玻璃密封的元件，
其是真空隔离双层玻璃板或显示板。
22.一种电气/电子元件，包括包含无铅低熔点玻璃相的电极、互连和导电接合部中的至少一种单元，
其中所述电极、互连和导电接合部中的至少一种单元包括5～100体积％的所述无铅低熔点玻璃相、以及0～95体积％的金属颗粒，
所述无铅低熔点玻璃相包括根据权利要求1～5中任一项所述的无铅低熔点玻璃组合物，
所述金属颗粒为选自银、银合金、铜、铜合金、铝、铝合金、锡和锡合金中的至少一种。
23.根据权利要求22所述的电气/电子元件，
其中所述金属颗粒为银或铝，并且
其中所述金属颗粒的含量为10～90体积％。
24.根据权利要求22或23所述的电气/电子元件，
其为选自太阳能电池、图像显示装置、多层电容器、石英谐振器、发光二极管和多层电路板中的一种。