技术总结
本发明提供了一种N型碳化硅晶体的制备方法及生长装置，该方法包括:(1)将原料放置坩埚的高温区，籽晶放置在坩埚的低温区，所述坩埚的顶部外壁向内凹陷形成环形气槽；将组装好的坩埚置于长晶炉的炉体内，使得环形气槽靠近所述炉体的通气孔处；(2)长晶阶段中，通过通气孔向炉体内通入氮源气体，控制长晶温度和压力，在所述籽晶上生长N型碳化硅晶体。通过环形气槽靠近于炉体的通气孔位置处，通入的气体可沿着环形气槽流动，气流流速较快，气体扩散到坩埚内部，使得坩埚内远离中心轴线热量传输加快，减少了坩埚径向温度梯度，提高了晶体生长的质量。的质量。的质量。
技术研发人员：张九阳 方帅 高宇晗 李霞 赵树春 高超
受保护的技术使用者：山东天岳先进科技股份有限公司
技术研发日：2020.12.31
技术公布日：2021/5/18