技术特征：
1.一种处理装置(900)，其用于外延反应器(1000)，所述外延反应器(1000)是用于在高温下在半导体材料的基片上外延沉积半导体材料层以生产电子部件的类型，所述处理装置(900)包括：-反应室(100)，其用于处理基片，-传送室(200)，其邻近所述反应室(100)，用于传送被放置在基片支撑设备上的基片，-装载/卸载组(300)，其至少邻近所述传送室(200)，所述装载/卸载组(300)被布置为容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备，-存储室(400)，其至少邻近所述装载-锁定室(300)，所述存储室(400)具有用于已处理的和/或未处理的基片的第一存储区(410)和用于没有任何基片的基片支撑设备的第二存储区(420)，-至少一个外部机器人(500)，其用于在所述存储室(400)和所述装载/卸载组(300)之间传送已处理的基片、未处理的基片和没有任何基片的基片支撑设备，-至少一个内部机器人(600)，其用于经由所述传送室(200)在所述装载/卸载组(300)和所述反应室(100)之间传送具有一个或更多个基片的基片支撑设备。2.根据权利要求1所述的处理装置(900)，其包括邻近所述传送室(200)的冷却站(210)，所述冷却站(210)被布置成在处理过程之后容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备。3.根据权利要求2所述的处理装置(900)，其中所述内部机器人(600)被布置为：-将具有一个或更多个基片的基片支撑设备从所述反应室(100)传送到所述冷却站(210)，和-将具有一个或更多个基片的基片支撑设备从所述冷却站(210)传送到所述装载/卸载组(300)。4.根据权利要求2或3所述的处理装置(900)，其中所述内部机器人(600)被布置为：-将具有一个或更多个基片的基片支撑设备从所述装载/卸载组(300)传送到所述反应室(100)。5.根据权利要求2或3所述的处理装置(900)，其包括邻近所述传送室(200)的加热站(220)，所述加热站(220)被布置成在处理过程之前容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备。6.根据权利要求5所述的处理装置(900)，其中所述内部机器人(600)被布置为：-将具有一个或更多个基片的基片支撑设备从所述装载/卸载组(300)传送到所述加热站(220)，和-将具有一个或更多个基片的基片支撑设备从所述加热站(220)传送到所述反应室(100)。7.一种外延反应器(1000)，所述外延反应器(1000)是用于在高温下、特别是在高于1300℃下在半导体材料的基片上外延沉积半导体材料层以用于生产电子部件的类型，并且所述外延反应器(1000)包括根据前述权利要求中任一项所述的处理装置(900)。8.根据权利要求7所述的外延反应器(1000)，所述外延反应器(1000)是被布置为在高
温下、特别是在高于400℃并且更特别地高于800℃下从所述反应室取出基片的类型。9.根据权利要求7或8所述的外延反应器(1000)，所述外延反应器(1000)是被布置为在高温下、特别是在高于400℃并且更特别地高于800℃下将基片引入所述反应室中的类型。10.根据权利要求7或8或9所述的外延反应器(1000)，其中待处理的基片和已处理的基片位于基片支撑设备上。
技术总结
用于外延反应器(1000)的处理装置(900)包括：用于处理基片的反应室(100)；邻近反应室(100)的用于传送被放置在基片支撑设备上的基片的传送室(200)；至少部分地邻近传送室(200)的被布置成容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备的装载/卸载组(300)；至少部分邻近装载-锁定室(300)的存储室(400)，该存储室具有用于已处理的和/或未处理的基片的第一存储区(410)和用于没有任何基片的基片支撑设备的第二存储区(420)；用于在所述存储室(400)和所述装载/卸载组(300)之间传送已处理的基片、未处理的基片和不具有任何基片的基片支撑设备的至少一个外部机器人(500)；用于在所述装载/卸载组(300)和所述反应室(100)之间经由所述传送室(200)传送具有一个或更多个基片的基片支撑设备的至少一个内部机器人(600)。撑设备的至少一个内部机器人(600)。撑设备的至少一个内部机器人(600)。
技术研发人员：西尔维奥
受保护的技术使用者：洛佩诗公司
技术研发日：2020.10.02
技术公布日：2022/5/17