技术特征：
1.一种扩大金刚石籽晶面积的沉积部，其特征在于，包括冷却单元(1)、基板台(2)和钼环(3)；所述基板台(2)设于所述冷却单元(1)上；所述基板台(2)包括底座(21)和位于所述底座上的金刚石承托部(22)，所述金刚石承托部(22)为柱状，并被设置为适于在所述钼环(3)的环孔内上下活动；所述冷却单元(1)和所述基板台(2)可升降，用于调整放于所述金刚石承托部(22)上金刚石籽晶的上平面与钼环顶面的高度差。2.如权利要求1所述的扩大金刚石籽晶面积的沉积部，其特征在于，所述金刚石承托部(22)的直径小于所述钼环(3)的开槽直径。3.如权利要求2所述的扩大金刚石籽晶面积的沉积部，其特征在于，所述金刚石承托部(22)的直径与所述钼环(3)的开槽直径的差大于0且≤10mm。4.如权利要求1所述的扩大金刚石籽晶面积的沉积部，其特征在于，还包括用于支撑所述钼环(3)的支撑部(4)，所述支撑部(4)设于所述钼环(3)的下方。5.一种扩大金刚石籽晶面积的方法，其特征在于，包括如下步骤：将金刚石籽晶放于权利要求1至4任一项所述的沉积部的金刚石承托部上，在生长过程中，保持金刚石籽晶的上平面低于钼环顶面，金刚石籽晶的上平面与钼环顶面的高度差为0.01～4mm。6.如权利要求5所述的扩大金刚石籽晶面积的方法，其特征在于，金刚石承托部的直径比金刚石籽晶的对角线长度大1～15mm。7.如权利要求5所述的扩大金刚石籽晶面积的方法，其特征在于，当金刚石籽晶每长高0.01～0.5mm时，将金刚石基板台下降同样的距离，保持金刚石生长面与钼环顶部间距基本不变。8.如权利要求7所述的扩大金刚石籽晶面积的方法，其特征在于，当籽晶生长厚度超过0.5～2.0mm时，取出样品并割除周围多晶以及底部晶种，保留新生长的金刚石厚度0.1～0.5mm作为新的籽晶，再将新籽晶放于金刚石承托部上重复生长。9.如权利要求8所述的扩大金刚石籽晶面积的方法，其特征在于，对新生长的金刚石籽晶进行抛光、酸洗和水洗后再放于金刚石承托部上继续生长。
技术总结
本发明提供一种扩大金刚石籽晶面积的沉积部和方法，所述沉积部包括冷却单元、基板台和钼环；所述基板台设于所述冷却单元上；所述基板台包括底座和位于所述底座上的金刚石承托部，所述金刚石承托部为柱状，并被设置为适于在所述钼环的环孔内上下活动；所述冷却单元和所述基板台可升降，用于调整放于所述金刚石承托部上金刚石籽晶的上平面与钼环顶面的高度差。所述方法包括如下步骤：将金刚石籽晶放于该沉积部的金刚石承托部上，在生长过程中，保持金刚石籽晶的上平面低于钼环顶面，金刚石籽晶的上平面与钼环顶面的高度差为0.01～4mm。4mm。4mm。
技术研发人员：王垒 温简杰
受保护的技术使用者：上海昌润极锐超硬材料有限公司
技术研发日：2021.06.15
技术公布日：2021/9/6