一种晶硅BIPV构件用正面玻璃加工方法及晶硅BIPV构件与流程

一种晶硅bipv构件用正面玻璃加工方法及晶硅bipv构件
技术领域
1.本发明涉及光伏建筑相关技术领域，更准确的说涉及一种晶硅 bipv构件用正面玻璃加工方法及晶硅bipv构件。


背景技术：

2.光伏建筑一体化(bipv)作为建筑和光伏的结合点，有着广阔的发展前景。
3.但是，现有的晶硅bipv构件由于美观与适配问题难以解决，在城市推广中遇到了困难。受限于光伏组件的颜色，难以在成本可行的范围内，使用晶硅bipv构件的光伏电站与建筑风格统一。
4.为了尽可能地提高晶硅bipv构件与建筑风格的匹配度，目前所采用的技术方案主要为：采用黑色贴膜技术将光伏组件内部的焊带和汇流条进行粘贴遮挡，背面胶膜使用深色封装胶膜。晶硅bipv构件内部的晶硅发电单元是由多片一定尺寸的晶硅电池片使用铜带进行电气连接制成的，外观呈现晶硅块状结构、影响产品外观；由于晶硅电池片内部存在银白色的铜带，导致bipv的外观与建筑一致性差，现代主义建筑在遵循坚固、实用、美观三原则的前提下，阻碍其在城市建筑中的推广应用；目前技术方案中黑色贴膜技术(使用黑色贴膜技术将组件内部的焊带和汇流条进行粘贴遮挡)的成本较高、良率和产能较低。由于目前主流的晶硅组件技术为大尺寸mbb圆丝焊带技术，从而导致实现多主栅圆丝焊带的黑色膜带粘贴变得更加困难。深色胶膜的使用不仅增加了bipv产品bom成本，同时降低了发电量。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本发明的目的在于提供一种晶硅bipv构件用正面玻璃加工方法，通过对晶硅bipv构件的正面玻璃内侧进行镀釉处理，遮挡晶硅发电单元正面需要遮挡的区域。
6.本发明的另一个目的在于提供一种晶硅bipv构件，采用所述晶硅bipv构件用正面玻璃。
7.为了达到上述目的，本发明提供一种晶硅bipv构件用正面玻璃加工方法，包括步骤：
8.(a)根据晶硅bipv构件的晶硅发电单元的正面结构选择需遮挡区域；
9.(b)根据步骤(a)选择的需遮挡区域设计镀釉图案，并根据晶硅发电单元的晶硅电池片的颜色选择镀釉颜色；
10.(c)按照步骤(b)设计的镀釉图案对正面玻璃内侧进行镀釉。
11.优选地，所述步骤(a)中需遮挡区域从中需遮挡区域包括焊带区域、汇流条区域、非晶硅电池片区域中进行选择。
12.优选地，所述步骤(b)针对步骤(a)在焊带区域、汇流条区域、非晶硅电池片区域中选择的区域设计镀釉图案，使得镀釉图案遮挡选择的区域。
13.优选地，所述非晶硅电池片区域包括两侧边隙、晶硅片间隙、晶硅串间隙，所述步骤(a)中选择两侧边隙、晶硅片间隙、晶硅串间隙中的一个或多个进行遮挡。
14.优选地，所述步骤(b)中设计的镀釉图案包括焊带区釉层、汇流条区釉层、非晶硅电池片区釉层，焊带区釉层遮挡焊带区域，汇流条区釉层遮挡汇流条区域，非晶硅电池片区釉层遮挡非晶硅电池片区域。
15.优选地，所述非晶硅电池片区釉层包括两侧边隙区釉层、晶硅片间隙区釉层、晶硅串间隙区釉层，两侧边隙区釉层遮挡两侧边隙，晶硅片间隙区釉层遮挡晶硅片间隙，晶硅串间隙区釉层遮挡晶硅串间隙。
16.优选地，所述步骤(b)中选择镀釉颜色与晶硅发电单元的晶硅电池片的颜色一致。
17.优选地，所述步骤(b)中选择镀釉颜色与晶硅发电单元的晶硅电池片的颜色不同。
18.本发明提供一种晶硅bipv构件，所述晶硅bipv构件的正面玻璃采用所述晶硅bipv构件用正面玻璃加工方法制成。
19.与现有技术相比，本发明公开的一种晶硅bipv构件用正面玻璃加工方法及晶硅bipv构件的优点在于：所述晶硅bipv构件用正面玻璃加工方法相较于机器贴膜方案
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由于本方案不需要在晶硅电池片串焊机构上增加贴膜装置，省去了改造和机器开发费用，同时不会影响串焊机的产能和良率；相较于手工贴膜
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更会大大提升了层叠产能和良率，另外无论机器贴膜和手工贴膜在层叠返修工序都会耗时较长；所述晶硅bipv构件用正面玻璃加工方法大大提升了产能和良率，生产成本得到大幅度降低；另外，从bom成本而言，前板玻璃镀釉的成本远小于使用深色胶膜以及正面胶带的成本；所述晶硅bipv构件用正面玻璃加工方法兼容性好，可兼容各种尺寸电池片、各种电池主栅线设计以及各种形状规格的焊带和汇流条(包括贴膜方案难以解决的三角焊带，圆丝焊带等等)；所述晶硅bipv构件用正面玻璃加工方法灵活性好，可以根据需求方便地制成多种颜色方案的晶硅 bipv构件，满足建筑风格要求；使用所述正面玻璃的晶硅bipv构件外观一致、美观，颜色丰富，且发电量高。
附图说明
20.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.如图1所示为本发明一种晶硅bipv构件用正面玻璃加工方法的流程图。
22.如图2所示为一种晶硅bipv构件的晶硅发电单元的正面结构示意图。
23.如图3所示为采用所述种晶硅bipv构件用正面玻璃加工方法制成的正面玻璃的示意图。
24.如图4所示为图3中a处的放大示意图。
25.如图5所示为本发明一种晶硅bipv构件的示意图。
具体实施方式
26.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
27.如图1所示，本技术一种晶硅bipv构件用正面玻璃加工方法包括步骤：
28.(a)根据晶硅bipv构件的晶硅发电单元的正面结构选择需遮挡区域；
29.(b)根据步骤(a)选择的需遮挡区域设计镀釉图案，并根据晶硅发电单元的晶硅电池片的颜色选择镀釉颜色；
30.(c)按照步骤(b)设计的镀釉图案对正面玻璃内侧进行镀釉。
31.其中，步骤(a)中需遮挡区域包括焊带区域、汇流条区域、非晶硅电池片区域。步骤(b)中针对焊带区域、汇流条区域、非晶硅电池片区域中被选定的区域设计镀釉图案，使得镀釉图案遮挡步骤 (a)中选择的需遮挡区域。
32.具体的，参见图2，需遮挡区域包括焊带区域21、汇流条区域 22、非晶硅电池片区域23。晶硅发电单元的正面还具有无需遮挡的晶硅发电区域24。其中，非晶硅电池片区域23包括两侧边隙231、晶硅片间隙232、晶硅串间隙233，步骤(a)中选择两侧边隙231、晶硅片间隙232、晶硅串间隙233中的一个或多个进行遮挡。
33.参见图3和图4，镀釉图案包括焊带区釉层11、汇流条区釉层 12、非晶硅电池片区釉层13，焊带区釉层11遮挡焊带区域21，汇流条区釉层12遮挡汇流条区域22，非晶硅电池片区釉层13遮挡非晶硅电池片区域23。其中，非晶硅电池片区釉层13包括两侧边隙区釉层131、晶硅片间隙区釉层132、晶硅串间隙区釉层133，两侧边隙区釉层131遮挡两侧边隙231，晶硅片间隙区釉层132遮挡晶硅片间隙232，晶硅串间隙区釉层133遮挡晶硅串间隙233。根据步骤(a) 选择的两侧边隙231、晶硅片间隙232、晶硅串间隙233中的一个或多个，在步骤(b)中设计非晶硅电池片区釉层13对应包括两侧边隙区釉层131、晶硅片间隙区釉层132、晶硅串间隙区釉层133中的一个或多个。正面玻璃内侧不镀釉的区域为非镀釉区域14。
34.步骤(b)中根据晶硅发电单元的晶硅电池片的颜色选择镀釉颜色时，可以设置镀釉颜色与晶硅电池片颜色一致，制成纯色的晶硅 bipv构件；还可以设置镀釉颜色与晶硅电池片颜色不同，制成颜色相间的晶硅bipv构件，匹配不同的建筑风格。
35.本技术的一个具体实施例中，晶硅bipv构件的晶硅发电单元长宽分别为550mm和370mm，晶硅发电单元正面设置6片晶硅电池片，每3个晶硅电池片组成一个晶硅串，晶硅电池片的长宽均为158.75mm。焊带区域21宽度为0.9mm，汇流条区域22宽度为 33.13mm，两侧边隙231宽度为16.75mm，晶硅片间隙232的宽度为 5.5mm，晶硅串间隙233宽度为23mm。对应的，正面玻璃长宽分别为550mm和370mm；焊带区釉层11宽度不小于0.9mm，本实施例中焊带区釉层11宽度为3mm；汇流条区釉层12宽度不小于33.13mm，本实施例中汇流条区釉层12宽度为33.23mm；两侧边隙区釉层131 宽度不小于16.75mm，本实施例中两侧边隙区釉层131宽度为 16.85mm；晶硅片间隙区釉层132宽度不小于5.5mm，本实施例中晶硅片间隙区釉层132宽度为5.7mm；晶硅串间隙区釉层133不小于 23mm，本实施例中晶硅串间隙区釉层133宽度为23.2mm。值得注意的是，设计镀釉图案时各区域的尺寸根据产线制成精度进行设计，在保证产能和良率的基础上尽可能提高发电面积。
36.非镀釉区域14即为发电区域，每个晶硅电池片对应的非镀釉区域14面积一致，即发电面积一致，使得其串联电路中电流相同，符合光伏电路设计原则，保证了安全性。
37.参见图5，为本发明一种晶硅bipv构件，其采用所述晶硅bipv 构件用正面玻璃加工方法制成的正面玻璃。所述晶硅bipv构件外观一致、美观，颜色丰富，且发电量高。
38.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。
对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。