玻璃基板的制造方法、玻璃基板、及显示器用面板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种玻璃基板的制造方法、玻璃基板、及显示器用面板。
【背景技术】
[0002] 液晶显示装置等平板显示器的制造是使用玻璃基板。在平板显示器的制造步骤 中，为了在玻璃基板表面形成TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管）等半导体元件，将 玻璃基板载置于半导体制造装置的反应容器内的基座进行成膜处理。为了在玻璃基板形成 多种薄膜，利用多个半导体制造装置进行多次成膜处理。每次进行成膜处理时，从基座卸除 玻璃基板。此时，在载置玻璃基板的基座的金属表面与玻璃基板表面之间，产生由摩擦引起 的静电、即剥离带电，而在玻璃基板储存静电。因此，进行多次成膜处理后的玻璃基板储存 着大量静电。
[0003] 尤其，关于液晶显示装置中使用的由无碱玻璃构成的玻璃基板，其表面容易带电， 不易去除静电。而且，如果重复产生剥离带电，则玻璃基板容易因静电而贴附在基座的金属 表面。由此，存在如下情况：当将玻璃基板从基座卸除时，因对玻璃基板施加过度的力而使 玻璃基板破损。另外，存在如下情况:起因于由剥离带电储存的静电的电压会破坏形成在玻 璃基板表面的半导体元件。进而，存在如下情况：因玻璃基板的静电的带电，而导致尘及埃 等微小异物附着在玻璃基板表面。
[0004] 在所述状况下，提出了平板显示器的制造步骤中的不易产生表面带电的玻璃基板 的制造。例如，专利文献1(日本专利特开2005-255478号公报）中披露的玻璃基板具有作为 形成电极线或各种器件的表面的器件面、及作为器件面的相反侧的表面的粗面化面。粗面 化面是通过物理研磨或化学处理形成凹凸而粗面化的面，具有0.3nm~10nm的算术平均粗 糙度Ra。通过粗面化面的粗面化处理来抑制玻璃基板的带电。
【发明内容】
[0005] [发明要解决的问题]
[0006] 玻璃基板的经粗面化的表面具有微小的凹凸形状。另外，玻璃基板与载置玻璃基 板的平台的接触面积越小，越不易产生剥离带电。因此，玻璃基板表面的粗糙度曲线的凸部 的数量越多，玻璃基板与平台的接触面积变得越小，因此更有效地抑制玻璃基板的带电。但 是，作为表示玻璃基板表面的粗面化的程度的参数的一种的Ra与玻璃基板表面的粗糙度曲 线的凸部的数量不具有相关关系。因此，有如下可能性：即使在以Ra成为规定范围的方式将 玻璃基板表面粗面化的情况下，也无法充分抑制玻璃基板的带电。
[0007] 另外，于在玻璃基板表面整体未均匀地分散凸部的情况下，玻璃基板表面具有集 中形成了多个凸部的区域及几乎未形成凸部的区域。几乎未形成凸部的区域是与平台的接 触面积局部大的区域，因此是容易产生剥离带电的区域。因此，在玻璃基板表面的凸部的分 布不均的情况下，玻璃基板有可能会具有无法充分抑制带电的区域。因此，为了充分抑制玻 璃基板表面整体的带电而使玻璃基板的品质提升，必须在玻璃基板表面均匀地分散着凸 部。
[0008] 本发明的目的在于提供一种有效地抑制表面带电的玻璃基板的制造方法。
[0009] [解决问题的技术手段]
[0010] 本发明的玻璃基板的制造方法是具有以下步骤的显示器用玻璃基板的制造方法： 制造步骤，制造玻璃基板;及表面处理步骤，进行在作为玻璃基板的一主表面的玻璃表面形 成凹凸的表面处理。表面处理步骤中，在玻璃表面分散地形成距其粗糙度曲线的平均线的 高度为lnm以上的凸部。表面处理步骤中，以凸部面积比率成为0.5%~10%的方式进行表 面处理。凸部面积比率是凸部的面积占据任意矩形区域的面积的比率。矩形区域是具有一 边的长度为Ιμπι的正方形形状且占据玻璃表面的一部分的区域。表面处理步骤中，在矩形区 域被均等地分割成具有正方形形状的至少100个分割区域的情况下，以含有凸部的比率成 为80%以上的方式进行表面处理。含有凸部的比率是具有凸部的分割区域的数量占据矩形 区域中所含的分割区域的数量的比率。
[0011] 在该玻璃基板的制造方法中，含有凸部的比率是表示玻璃基板表面的凸部的分布 不均的程度的指标。含有凸部的比率越大，则凸部的分布不均越小，在玻璃基板表面越均匀 地分散着凸部。含有凸部的比率越小，则凸部的分布不均越大，在玻璃基板表面越不均匀地 分散着凸部。在将玻璃基板载置于平台的情况下，凸部的分布不均越小，则玻璃基板表面与 平台表面接触的区域的面积容易变得越小，因此越能够抑制玻璃基板的带电。即，该玻璃基 板的制造方法是通过以含有凸部的比率成为80%以上的方式进行玻璃基板的表面处理，而 能够有效地抑制玻璃基板的带电。
[0012] 另外，凸部面积比率优选0.75%~7.0%。
[0013]另外，含有凸部的比率优选90%以上。
[0014] 另外，表面处理优选化学蚀刻处理。
[0015] 另外，与玻璃表面为相反侧的主表面优选形成半导体元件的器件面。
[0016] 另外，器件面优选形成低温多晶硅半导体或氧化物半导体的面。
[0017] 另外，玻璃基板优选由包含Si、Al及Β作为组成的硼铝硅酸盐玻璃构成。
[0018] 本发明的玻璃基板是在作为玻璃基板的一主表面的玻璃表面，分散地形成距其粗 糙度曲线的平均线的高度为lnm以上的凸部。玻璃基板的凸部面积比率为0.5 %~10 %。凸 部面积比率是凸部的面积占据任意矩形区域的面积的比率。矩形区域是具有一边的长度为 lMi的正方形形状且占据玻璃表面的一部分的区域。在矩形区域被均等地分割成具有正方 形形状的至少100个分割区域的情况下，玻璃基板的含有凸部的比率为80%以上。含有凸部 的比率是具有凸部的分割区域的数量占据矩形区域中所含的分割区域的数量的比率。与玻 璃表面为相反侧的主表面是形成半导体元件的器件面。
[0019] 另外，器件面优选形成低温多晶硅半导体或氧化物半导体的面。
[0020] 另外，玻璃基板优选由包含Si、Al及B作为组成的硼铝硅酸盐玻璃构成。
[0021] 本发明的显示器用面板是形成了半导体元件的玻璃基板。显示器用面板包括第1 主表面及第2主表面。第1主表面是玻璃基板的一主表面，且分散地形成距其粗糙度曲线的 平均线的高度为lnm以上的凸部。第2主表面是与第1主表面为相反侧的主表面，且形成半导 体元件。显示器用面板的凸部面积比率为0.5%~10%。凸部面积比率是凸部的面积占据任 意矩形区域的面积的比率。矩形区域是具有一边的长度为Ιμπι的正方形形状且占据玻璃表 面的一部分的区域。在矩形区域被均等地分割成具有正方形形状的至少100个分割区域的 情况下，显示器用面板的含有凸部的比率为80%以上。含有凸部的比率是具有凸部的分割 区域的数量占据矩形区域中所含的分割区域的数量的比率。
[0022]另外，显示器用面板优选具有配线的最小线宽未达4μπι且栅极绝缘膜的膜厚未达 100nm的电路的TFT面板。
[0023][发明的效果]
[0024] 通过本发明的玻璃基板的制造方法制造的玻璃基板能够有效地抑制表面带电。
【附图说明】
[0025] 图1是实施方式的玻璃基板的剖视图。
[0026] 图2是表示实施方式的玻璃基板的制造方法的流程图。
[0027] 图3是浸水式蚀刻装置的概略图。
[0028] 图4是表示形成在玻璃基板的粗面化面的凸部的图。
[0029] 图5是表示形成在粗面化面的凸部的分布的一例的图。
[0030] 图6是表示粗面化面的矩形区域中所含的分割区域的图。
[0031]图7是表示变化例B中的干式蚀刻装置的一例的图。
[0032] 图8是表示变化例B中的湿式蚀刻装置的一例的图。
[0033] 图9是用来评估实施例中的玻璃基板的带电性的装置的概略图。
[0034] 图10是表示实施例中的进行氢氟酸浸水蚀刻处理后的玻璃基板表面的凸部的分 布的一例的图。
[0035] 图11是表示实施例中的进行氧化铈系研磨处理后的玻璃基板表面的凸部的分布 的一例的图。
【具体实施方式】
[0036] (1)玻璃基板的制造方法的概略
[0037] -边参照附图一边对本发明的实施方式进行说明。通过本实施方式中使用的玻璃 基板的制造方法制造的玻璃基板10是用于制造液晶显示器、等离子体显示器及有机EL (Electroluminescence，电致发光）显不器等平板显不器（FPD，Flat Panel Display)。玻璃 基板10也用于制造太阳电池面板。玻璃基板10例如具有0.2mm~0.8mm的厚度，且具有纵 680mm ~2200mm 及横880mm ~2500mm 的尺寸。
[0038]图1是玻璃基板10的剖视图。玻璃基板10具有作为一主表面的元件形成面12及作 为另一主表面的粗面化面14。元件形成面1