用于多晶硅还原炉的喷嘴的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，具体而言，涉及一种用于多晶硅还原炉的喷嘴。
【背景技术】
[0002]相关技术中的多晶硅还原炉，其进气管上设有用于向炉体内喷射气体的喷嘴，但由于喷嘴的喷气方式固定，无法满足多晶硅还原炉各个运行期间的要求，影响多晶硅棒的表面质量，导致多晶硅棒的粗细变化幅度较大。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题之一。为此，本实用新型提出一种用于对晶硅还原炉的喷嘴，该用于多晶硅还原炉的喷嘴能够满足多晶硅还原炉各个运行期间的要求，从而使多晶硅棒均匀生长，提高多晶硅棒的表面质量。
[0004]为实现上述目的，根据本实用新型提出一种用于多晶硅还原炉的喷嘴，所述喷嘴包括:基座，所述基座包括内直径恒定的顺流部和位于所述顺流部上方且内直径由下至上逐渐增大的引流部；导向杆，所述导向杆设在所述基座内；引流转子，所述引流转子沿所述导向杆的轴向可移动且可旋转地套设在所述导向杆上，所述引流转子的外周面上设有多个侧旋流道。
[0005]根据本实用新型的用于多晶硅还原炉的喷嘴能够满足多晶硅还原炉各个运行期间的要求，从而使多晶硅棒均匀生长，提高多晶硅棒的表面质量。
[0006]另外，根据本实用新型的用于多晶硅还原炉的喷嘴还可以具有如下附加的技术特征:
[0007]所述用于多晶硅还原炉的喷嘴还包括止挡螺母，所述导向杆上设有外螺纹，所述止挡螺母配合在所述导向杆的外螺纹上且位于所述引流转子上方。
[0008]所述导向杆的底部设有止挡台。
[0009]所述止挡台上连接有固定在所述基座上的支腿。
[0010]所述侧旋流道以预定仰角从所述引流转子的底部旋转至所述引流转子的顶部。
[0011]所述侧旋流道的横截面为矩形或圆形。
[0012]所述引流转子的侧表面的底部倒角。
[0013]所述引流转子的内表面的母线为双曲线、抛物线、椭圆弧线或渐开线。
【附图说明】
[0014]图1是根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件的轴向剖视图。
[0015]图2是根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件的径向剖视图。
[0016]图3是根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉的结构示意图。
[0017]图4是根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉的局部结构示意图。
[0018]图5是根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉的喷嘴的结构示意图。
[0019]附图标记:用于多晶硅还原炉的底盘组件10、底盘本体100、螺旋流道110、进气腔111、冷却液进口 120、冷却液出口 130、底盘法兰140、上底板150、下底板160、中隔板170、冷却腔180、导流板190、弧形段191、电极座200、进气管300、排气管400、冷却液进管500、冷却液出管600 ；
[0020]多晶硅还原炉1、炉体20、半球形封头21、进水管22、出水管23、电极30、上观察试镜41、中观察试镜42、下观察试镜43、喷嘴50、基座51、导向杆52、止挡台53、支腿54、引流转子55、侧旋流道56、止挡螺母57、进气环管61、进气口 62、进气支管63、进气挡板64、排气环管71、排气口 72、排气支管73、进液管74、出液管75、膨胀节76。
【具体实施方式】
[0021]下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
[0022]下面参考附图描述根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10。
[0023]如图1和图2所示，根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10包括底盘本体100、多个电极座200、多个进气管300和多个排气管400。
[0024]底盘本体100内限定有多个螺旋流道110和位于多个螺旋流道110下方的进气腔111 (上下方向如附图中的箭头A所示)，多个螺旋流道110从底盘本体100的中心处旋向底盘本体100的外周缘处，底盘本体100上设有与多个螺旋流道110连通的冷却液进口120和多个冷却液出口 130。多个电极座200设置在底盘本体100上。多个进气管300和多个排气管400设置在底盘本体100上，多个进气管300分别与进气腔111连通，多个排气管400分别贯穿底盘本体100。
[0025]根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10，通过在底盘本体100内设置从底盘本体100的中心旋向底盘本体100的外周缘的多个螺旋流道110，这样冷却液可以通过冷却液进口 120分别进入多个螺旋流道110，对底盘本体100的上表面、多个进气管300、多个排气管400和多个电极座200进行强制冷却。由于在底盘本体100内设置多个螺旋流道110，使得每个螺旋流道110的流程较短，减少了冷却液的流动阻力，提高了冷却效果，且避免了底盘本体100径向温差过大，有利于防止底盘本体100产生温差应力和变形。
[0026]此外，底盘本体100内进一步限定了与进气管300连通的进气腔111，进气气体首先进入进气腔111，均匀分散后由多个进气管300进入炉体内，由此可以提高进气的均匀性。
[0027]因此，根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10具有冷却液流动阻力小、冷却效果好、径向温度分布均匀、不易产生温差应力和变形、进气均匀、工作稳定等优点。
[0028]下面参考附图描述根据本实用新型具体实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10。
[0029]在本实用新型的一些具体实施例中，如图1和图2所示，根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10包括底盘本体100、多个电极座200、多个进气管300和多个排气管400。
[0030]进一步地，多个螺旋流道110的长度相等，且多个螺旋流道110的相同长度处的宽度相等。由此可以进一步提高底盘本体100径向温度的均匀性，从而进一步防止底盘本体100产生温差应力和变形。
[0031]可选地，如图1所示，螺旋流道110为六个，六个螺旋流道110沿底盘本体100的径向盘绕成七层，冷却液进口 120设置在底盘本体100的中心处，冷却液出口 130设置在底盘本体100的外周缘处，冷却液由底盘本体100中心经螺旋流道110后排出。
[0032]在本实用新型的一些具体示例中，如图1和图2所示，底盘本体100包括底盘法兰140、上底板150、下底板160、中隔板170。底盘法兰140用于连接炉体。上底板150、下底板160和中隔板170均设在底盘法兰140内，其中下底板160位于上底板150下方且中隔板170位于上底板150和下底板160之间，中隔板170与上底板150和底盘法兰140限定出冷却腔180，中隔板170与下底板160和底盘法兰140限定出进气腔111。排气管400和位于底盘本体100中心处的进气管300贯穿上底板150、中隔板170和下底板160，其余的进气管300贯穿上底板150和中隔板170。由此可以减少炉体下部进气管数量，简化设备安装和管路布置。
[0033]为了在上述底