一种激光退火设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及激光热处理领域，尤其涉及一种可实现激光退火环境氧浓度均匀分布的激光退火设备。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的发展，有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic lightemitting d1de，AM0LED)面板得到了广泛应用，基于AMOLED面板，一种称为低温多晶硅(Low Temperature Poly-siIicon，LTPS)的技术使得AMOLED面板的重量更轻、功耗更低、且可提供更清晰的显示效果。
[0003]目前，LTPS技术主要采用激光退火设备在玻璃基板上实现非晶硅向多晶硅的转变。在退火过程中，硅容易与周围退火环境中的氧发生作用形成硅的氧化物，这严重影响了多晶硅表面的粗糙度，进而影响AMOLED面板的显示特性。
[0004]现有技术中，为了解决在激光退火过程中硅和氧气作用形成硅的氧化物的现象，通常采用一种可以输出惰性气体的激光热处理设备进行激光退火操作，如图1a所示，为现有的激光热处理设备的结构示意图，非晶硅面板置于反应腔室的载台上，在激光发射单元发出线状的激光光束进行激光退火时，气体注入单元向非晶硅面板上方注入惰性气体，以便排除非晶硅面板上方的氧气。其中，在气体注入单元中包含一种惰性气体注射管，如图1b所示，为惰性气体注射管的剖面图，惰性气体注射管由内管和外管构成，内、外管之间形成空间，内管两端注入惰性气体，形成惰性气流并从内管的夹缝中流入内、外管之间的空间进行混合，再通过外管的夹缝注射至非晶硅面板上方，形成与线状的激光光束相匹配的气帘。
[0005]但是，对于上述惰性气流注射管而言，从内管两端注入的惰性气体并不能在内、夕卜管之间的空间内均匀混合，这就造成从惰性气体注射管所注射出的气帘中，惰性气体浓度分布不均匀，换言之，在气帘注入至非晶硅面板上方后，惰性气体浓度较低的位置氧含量相对较大，而惰性气体浓度较高的位置氧含量相对较小，从而导致线状的激光光束在退火的过程中非晶硅面板表面的晶化程度不一致。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型实施例提供一种激光退火设备，用以解决传统的激光热处理设备中惰性气体在惰性气体注射管中混合不均匀的问题。
[0007]本实用新型提供一种激光退火设备，包括:退火腔室，所述退火腔室中包含与惰性气管相连的惰性气体注射管，所述惰性气体注射管包含内管和外管，且所述内管与外管之间不贴合；
[0008]所述外管的管壁上沿长度方向设有对称的夹缝状开口；
[0009]所述内管中包含至少两个子管道，每个所述子管道的管壁上沿长度方向设有夹缝状开口，且各子管道的管壁上开口的朝向与所述外管管壁上开口的朝向不一致。
[0010]进一步地，每个所述子管道的一端封闭，另一端与惰性气管相连。[0011 ] 进一步地，相邻两个子管道的封闭的一端处于不同侧。
[0012]进一步地，所述内管中包含的子管道的数量为偶数。
[0013]与现有技术相比，由于本实用新型中的注射管的内管包含多个子管道，且各子管道的一端封闭，相邻两个子管道的封闭一端不同侧，那么，当惰性气体注入各子管道后，会填充至每个子管道的管道空间，惰性气体会从每个子管道的夹缝状开口中流出，当注入至每个子管道中的惰性气体流量相同时，由子管道的狭缝状开口流出的惰性气体在开口的不同位置流量不同，通常距离注入端越近的位置惰性气体流量越大，那么，采用上述子管道的方式，正是由于相邻的两个子管道的封闭一端位于不同侧，也即，相邻两个子管道的注入口也位于不同侧，所以，惰性气体在内、外管之间的空间内混合后，惰性气体的浓度可以实现互补，从而，从外管的夹缝状开口导出的惰性气体浓度分布均匀，换言之，最终形成的气帘中惰性气体的浓度也均匀分布，这就保证了在进行激光退火的过程中，非晶硅面板的晶化均匀。
【附图说明】
[0014]此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0015]图1a为现有技术中的激光退火设备的结构示意图；
[0016]图1b为图1a所示的激光退火设备中惰性气体注射管的剖视图；
[0017]图2为本实用新型实施例提供的一种激光退火设备的结构示意图；
[0018]图3为图2中的激光退火设备进行激光退火时的原理示意图；
[0019]图4为图2中的激光退火设备中的反应腔室的结构示意图；
[0020]图5a为本实用新型实施例提供的惰性气体注射管的剖视图；
[0021]图5b为图5a中的惰性气体注射管的立体结构示意图。
【具体实施方式】
[0022]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型具体实施例及相应的附图对本实用新型技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0023]如图2所示，本实用新型实施例提供了一种激光退火设备Dl的主要结构，其中，激光退火设备Dl主要包括:激光光源10、光路结构20、退火腔室30 ο激光光源1发射出的激光光束101经过光路结构20，作用于退火腔室30内载台301上放置的非晶硅面板(并未在图1中示出)，以对非晶硅面板进行激光退火。
[0024]具体地，激光退火设备Dl进行激光退火的过程如图3所示，激光退火设备Dl发出的激光光束101为线状激光束，作用于非晶硅面板表面，使得该非晶硅面板表面的非晶硅经过激光退火后转换成规则排列的多晶硅结构。图3中黑色箭头表示非晶硅面板的移动方向，这里并不构成对本实用新型的限定。
[0025]为了减少或避免在进行激光退火过程中氧气与硅作用形成硅的氧化物，故通过退火腔室30中的结构，使用惰性气体将退火环境下的氧气排除，具体而言，如图4所示，是本实用新型实施例中激光退火设备Dl中的退火腔室30的主要结构，从图3中可见，