本发明涉及一种除胶剂及使用该除胶剂的除胶方法。
背景技术：
近年来，在3C产品(如手机、平板电脑或笔记本电脑等)的生产或组装过程中，常常将各种胶粘剂涂布於电子元件上，以实现粘着、遮蔽、保护、绝缘、防锈等功能。然而，产品在生产或组装过程中如遇产品不良需重新加工时，通常需要利用除胶剂将胶粘剂从电子元件上完全去除。然而，完全去除已固化的残留胶粘剂存在困难。
目前，常见的除胶剂通常为液态，在涂布于电子元件上除胶时容易发生溢流现象导致污染其它电子元件。为了避免除胶剂污染其他元件，通常是以人工的方式将沾有除胶剂的棉棒来回擦拭残留胶粘剂，以将其去除。这无疑提高了人力成本。
技术实现要素：
鉴于上述情况，有必要提供一种使用方便、除胶效果好且不易产生溢流的除胶剂。
另，还提供一种使用上述除胶剂的除胶方法。
一种除胶剂，用于去除基材表面的胶粘剂，该除胶剂按重量份数计包括10-80份的第一溶剂、10-50份的第二溶剂及1-30份的高分子化合物，该第一溶剂易挥发且该第一溶剂的挥发速度大于该第二溶剂的挥发速度，该第二溶剂具有去除胶粘剂的能力，该高分子化合物溶解于该第一溶剂中且不溶解于该第二溶剂中。
一种使用如上所述的除胶剂的除胶方法，其包括如下步骤：将所述除胶剂涂布于基材具有胶粘剂的区域；该涂布于基材上的除胶剂的表面形成薄膜 后再通过擦拭、冲洗或真空吸取的方法去除该胶粘剂及除胶剂。
本发明的除胶剂中第一溶剂的挥发速度大于第二溶剂，使得溶解于第一溶剂中的高分子化合物在第一溶剂挥发时被带动至除胶剂的表面，并析出最终形成一薄膜，以包覆第二溶剂，进而减缓第二溶剂的挥发，从而可使胶粘剂充分膨润后容易与基材分离。另外，该薄膜的形成同时也减少了除胶剂的溢流现象。
具体实施方式
本发明提供一较佳实施方式中的除胶剂，用于去除基材表面的胶粘剂。该除胶剂按重量份数计包括10-80份的第一溶剂、10-50份的第二溶剂及1-30份的高分子化合物。该第一溶剂易挥发、不损伤基材，且该第一溶剂的挥发速度大于该第二溶剂的挥发速度。该第二溶剂具有去除胶粘剂的能力。该高分子化合物溶解于第一溶剂且不溶解于第二溶剂。
该第一溶剂与第二溶剂可分别选自醇类、苯类、酯类、酮类及烷烃类中的一种。其中，该醇类包括但不限于甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、正己醇、正戊醇、异丁醇及异丙醇。该苯类包括但不限于苯、甲苯、二甲苯及三甲苯。该酯类类包括但不限于甲酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯及丙酸丙酯。该酮类类包括但不限于丙酮、丁酮、环己酮、二异丁酮及4-甲基-2-戊酮。该烷烃类包括但不限于甲基环己烷、正己烷、正庚烷、正辛烷及异构烷烃类溶剂油(Isopar)。该高分子化合物包括但不限于聚乙烯醇缩丁醛、亚克力树脂、聚酰胺树脂、聚酯树脂、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(SBS)、聚烯烃类高分子化合物、聚苯乙烯及聚丙烯酸酯。
使用时，将该除胶剂涂布于基材表面具有胶粘剂的区域。由于该除胶剂中第一溶剂易挥发，因此该第一溶剂在挥发时能够带动溶解于其中的高分子化合物移动至该除胶剂远离该基材的表面。由于该除胶剂中第一溶剂的挥发速度大于第二溶剂的挥发速度，因此该第一溶剂挥发后，由于溶解该高分子化合物的第一溶剂的减少，使得被带动至该除胶剂表面的高分子化合物析出，并在该除胶剂表面形成一薄膜。该高分子化合物形成的薄膜包覆该第二溶剂，从而减缓该第二溶剂的挥发，以延长该第二溶剂在该胶粘剂上的覆盖时间，使得该胶粘剂充分膨润，进而达到与基材分离的目的。待该涂布于基 材上的除胶剂表面形成薄膜后通过擦拭、冲洗、真空吸取或其他的方法便可轻易地去除被除胶剂覆盖的胶粘剂，也可根据需要在薄膜形成后延长胶粘剂被除胶剂覆盖的时间。其中，形成薄膜的时间与第一溶剂的挥发速度相关，即第一溶剂的挥发速度越快，形成薄膜的时间则越短。
此外，由于第一溶剂的挥发，使得该除胶剂的粘稠度增加，从而可避免该除胶剂发生溢流现象。由于高分子化合物在除胶剂表面形成一薄膜，该薄膜能够进一步避免该除胶剂发生溢流。当该胶粘剂充分膨润后，用户即可通过擦拭的方式完全清除涂布于基材上的除胶剂与胶粘剂。
以下结合实施例对本发明的除胶剂作进一步详细说明。
实施例1
本实施例中，该除胶剂由重量百分比为60％的乙醇、重量百分比为33％的二甲苯及重量百分比为7％的聚乙烯醇缩丁醛组成。
实施例2
本实施例中，该除胶剂由重量百分比为60％的乙醇、重量百分比为25％的正辛烷及重量百分比为15％的醇溶性亚克力树脂组成。
实施例3
本实施例中，该除胶剂由重量百分比为80％的异丁醇、重量百分比为15％的Isopar G(化工行业标准型号)及重量百分比为5％的聚乙烯醇缩丁醛组成。
实施例4
本实施例中，该除胶剂由65％的正己烷、30％的异丁醇及5％的苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物组成。
实施例5
本实施例中，该除胶剂由50％的甲基环己烷、30％的正戊醇及20％的苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物组成。
另外，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。