技术总结
本发明公开了一种集成电路或RFID标签元器件用保护膜，属于电子元器件领域，其原料由乙烯‑丙烯酸共聚物、丁二烯基三乙氧基硅、杜仲胶、草木灰、低品位氧化锌矿、硬脂酸、沸石粉和脂肪酸聚乙二醇酯组成；本发明制得的厚度为10‑100μm的薄膜或者厚度为30‑100μm的涂覆膜，以200℃ ×1 小时进行处理后的30℃下的拉伸强度达到51MPa以上、伸长率为在5％以下，具有优异的机械性能，本发明可以作为自支撑膜或者复合膜的基膜；其表面电阻值为1×106Ω≤ Rs＜1×109Ω，非接触防静电电压值达到12kv以上，具有优异的防静电性能，同时，具有优异的耐酸碱耐高温低温性能。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：赵月
文档号码：201610652074
技术研发日：2016.06.18
技术公布日：2016.12.14