本发明涉及半导体
技术领域：
，尤其是涉及一种以喹唑啉酮的衍生物为核心的化合物，以及其作为发光层材料在有机发光二极管上的应用。
背景技术：
：有机电致发光(OLED:OrganicLightEmissionDiodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。OLED发光器件犹如三明治的结构，包括电极材料膜层，以及夹在不同电极膜层之间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。作为电流器件，当对OLED发光器件的两端电极施加电压，并通过电场作用有机层功能材料膜层中的正负电荷，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生OLED电致发光。有机发光二极管(OLEDs)在大面积平板显示和照明方面的应用引起了工业界和学术界的广泛关注。然而，传统有机荧光材料只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)。外量子效率普遍低于5％，与磷光器件的效率还有很大差距。尽管磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达100％。但磷光材料存在价格昂贵，材料稳定性较差，器件效率滚落严重等问题限制了其在OLEDs的应用。热激活延迟荧光(TADF)材料是继有机荧光材料和有机磷光材料之后发展的第三代有机发光材料。该类材料一般具有小的单线态-三线态能级差(△EST)，三线态激子可以通过反系间窜越转变成单线态激子发光。这可以充分利用电激发下形成的单线态激子和三线态激子，器件的内量子效率可以达到100％。同时，材料结构可控，性质稳定，价格便宜无需贵重金属，在OLEDs领域的应用前景广阔。虽然理论上TADF材料可以实现100％的激子利用率，但实际上存在如下问题：(1)设计分子的T1和S1态具有强的CT特征，非常小的S1-T1态能隙，虽然可以通过TADF过程实现高T1→S1态激子转化率，但同时导致低的S1态辐射跃迁速率，因此，难于兼具(或同时实现)高激子利用率和高荧光辐射效率；(2)即使已经采用掺杂器件减轻T激子浓度猝灭效应，大多数TADF材料的器件在高电流密度下效率滚降严重。就当前OLED显示照明产业的实际需求而言，目前OLED材料的发展还远远不够，落后于面板制造企业的要求，作为材料企业开发更高性能的有机功能材料显得尤为重要。技术实现要素：针对现有技术存在的上述问题，本申请人提供了一种以喹唑啉酮衍生物为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用。本发明化合物以喹唑啉酮衍生为核心，作为发光层材料应用于有机发光二极管，本发明制作的器件具有良好的光电性能，能够满足面板制造企业的要求。本发明的技术方案如下：一种母核为喹唑啉酮衍生物的化合物，所述化合物的结构如通式(1)所示：通式(1)中，Ar1、Ar2分别独立的表示其中，Ar表示C5-20的芳基；n取1或2；R选取氢或通式(2)所示结构，且Ar1、Ar2中的R至少有一个选取通式(2)所示结构：其中X表示为氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直链或支链烷基取代的亚烷基、芳基取代的亚烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一种；R1、R2分别独立的选取氢、C1-10直链或支链的烷基、C5-20的环烷基、C5-20的芳基、C5-20的杂芳基或通式(3)所示结构；R3、R4分别独立的选取C1-10直链或支链烷基、C5-20的环烷基、C5-20的芳基或C5-20的杂芳基。优选的，通式(2)中R1、R2分别独立的采用通式(4)、通式(5)或通式(6)表示：其中，通式(5)、通式(6)中所述X表示为氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直链或支链烷基取代的亚烷基、芳基取代的亚烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一种。优选的，所述通式(1)中的R为：中的任意一种。优选的，所述化合物的具体结构式为：中的任一种。本申请人还提供了一种包含所述化合物的发光器件，所述化合物作为发光层的主体材料，用于制作OLED器件。本申请人还提供了一种制备所述化合物的方法，当Ar1、Ar2表示为R时，制备过程中发生的反应为反应式1所示：当Ar1、Ar2表示为时，制备过程中发生的反应为反应式2所示：反应式1、2中的X分别独立的表示Cl、Br、或I；n，m分别独立的表示为0或1；其中反应式1的制备方法为：称取喹唑啉酮的卤代物、Ar1-H、Ar2-H，用甲苯溶解；再加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇钠；在惰性气氛下，将上述反应物的混合溶液于反应温度95～110℃，反应10～24小时，冷却并过滤反应溶液，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物；所述喹唑啉酮的卤代物与Ar1-H、Ar2-H的摩尔比为1:0.8～2.0:0.8～2.0，Pd2(dba)3与卤代物的摩尔比为0.006～0.02:1，三叔丁基膦与卤代物的摩尔比为0.006～0.02:1，叔丁醇钠与卤代物的摩尔比为1.0～3.0:1；反应式2的制备方法为：称取喹唑啉酮的卤代物、Ar1-B(OH)2、Ar2-B(OH)2，用体积比为2:1的甲苯乙醇混合溶剂溶解；在惰性气氛下，再加入Na2CO3水溶液、Pd(PPh3)4；将上述反应物的混合溶液于反应温度95～110℃，反应10～24小时，冷却并过滤反应溶液，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物；所述喹唑啉酮的卤代烷与Ar1-B(OH)2、Ar2-B(OH)2的摩尔比为1:1.0～2.0:1.0～2.0；Na2CO3与喹唑啉酮的卤代烷的摩尔比为1.0～3.0:1；Pd(PPh3)4与喹唑啉酮的卤代烷的摩尔比为0.006～0.02:1。反应式1中的Ar1-H、Ar2-H的制备方法如反应式3-1、反应式3-2所示，反应式2中的Ar1B(OH)2、Ar1B(OH)2的制备方法为反应反应式4所示：反应式3-1的制备方法为：称取原料Mn、原料Nn，用甲苯:乙醇的体积比为2～3:1的混合溶剂溶解，再加入碳酸钠水溶液，通氮气除氧，并在氮气的氛围下加入四三苯基磷钯；将上述反应物的混合液于95～120℃下反应10～24小时，冷却分液，除去溶剂，二氯甲烷萃取分液，除去溶剂，得到粗产物过中性硅胶柱得到化合物Bn；所述原料Mn与原料Nn的摩尔比为1:1.2～2.4；原料Nn与碳酸钠的摩尔比为1:2.0～2.5；原料Mn与四三苯基磷钯的摩尔比为1:0.02～0.05；反应式3-2的制备方法为：称取原料Mn、原料Ln、用甲苯溶解，再加入叔丁醇钠、Pd2(dba)3、三叔丁基膦；在惰性气氛下，将上述反应物的混合溶液于反应温度95～110℃，反应10～24小时，冷却并过滤反应溶液，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物；所述原料Mn与原料Ln摩尔比为1：1.5～3.0，Pd2(dba)3与原料Mn的摩尔比为0.006～0.02:1，三叔丁基膦与原料Mn的摩尔比为0.006～0.02:1，叔丁醇钠与原料Mn的摩尔比为1.0～3.0:1；反应式4的制备方法为：称取反应式3-1或3-2的产物化合物Bn，称取原料On，用甲苯溶解，再加入叔丁醇钠、醋酸钯、三叔丁基膦；在惰性气氛下，将上述反应物的混合溶液于反应温度95～110℃，反应10～24小时，冷却并过滤反应溶液，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到相应的溴化物；称取上一步产物，双(频哪醇合)二硼溶于DMF中，在氮气的保护下加入醋酸钾以及Pd(dppf)Cl2，将上述反应液至于95～120℃下反应12～24小时，反应结束后，冷却至室温，除去溶剂，滴加稀盐酸水溶液调节pH，有沉淀析出，过滤得到化合物Cn；所述化合物Bn与原料On的摩尔比为1:1.5～2.5，化合物Bn与叔丁醇钠的摩尔比为1:2.5～5；化合物Bn与Pd2(dba)3摩尔比为1:0.02～0.05；化合物Bn与三叔丁基膦的摩尔比为1:0.02～0.05。本发明有益的技术效果在于：本发明化合物结构分子内包含电子给体(donor,D)与电子受体(acceptor,A)的组合可以增加轨道重叠、提高发光效率，同时连接芳香杂环基团以获得HOMO、LUMO空间分离的电荷转移态材料，实现小的S1态和T1态的能级差，从而在热刺激条件下实现反向系间窜越，所述化合物以喹唑啉酮衍生物为母核，连接芳香基团，破坏分子的结晶性，避免了分子间的聚集作用，分子中多为刚性基团，具有好的成膜性和荧光量子效率，适合作为发光层主体材料使用；喹啉酮的内部的三价氮原子是饱和原子，它不仅具有很强的刚性，还有利于提高母核化合物三重态能级，电子给体和电子受体的组合可以提高电子和空穴的迁移率、降低启动电压，提高激子的复合效率，提高器件性能。本发明所述化合物可作为发光层主体材料应用于OLED发光器件制作，获得了良好的器件表现，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显。本发明所述化合物材料在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。附图说明图1为使用本发明化合物的器件结构示意图；其中，1为透明基板层，2为ITO阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为发光层，6为电子传输层，7为电子注入层，8为阴极反射电极层。具体实施方式中间体B1的合成：500mL的四口瓶在通入氮气的气氛下，加入原料0.02molM12,7-二溴-9,9二甲基吖啶，0.05mol苯硼酸，用甲苯与乙醇(2:1)的混合溶剂100mL，0.10mol碳酸钠水溶液，除氧15分钟后，加入1×10-4mol四三苯基磷钯，120℃下反应12小时，反应结束后，冷却并过滤反应溶液，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到中间体B1；纯度97.55％，收率65.4％。HPLC-MS(m/z)：理论值361.18，实测值361.95。中间体B2的合成：500ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol原料M1，0.015mol二苯胺，0.03mol叔丁醇钠，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度98.36％，收率70.4％。HPLC-MS(m/z)：理论值543.27，实测值543.88。中间体C1的合成500ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.02mol化合物二甲基吖啶，0.01mol1,3,5-三溴苯，用甲苯溶解，0.03mol叔丁醇钠，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到相应的溴化物；称取0.01mol上一步产物，将0.005mol双(频哪醇合)二硼溶于DMF中，在氮气的保护下加入0.02mol醋酸钾以及1×10-4molPd(dppf)Cl2，将上述反应液至于95～120℃下反应12～24小时，反应结束后，冷却至室温，除去溶剂，滴加稀盐酸水溶液调节pH，有沉淀析出，过滤得到化合物C1，纯度96.87％，收率28％。HPLC-MS(m/z)：理论值536.26，实测值536.87。其他中间产物均有上述合成方法制备得到，所需原料如表1所示：表1实施例1化合物2的合成250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol3-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物B1，0.03mol叔丁醇钠，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度97.36％，收率65.4％。HPLC-MS(m/z)：理论值621.28，实测值621.98。实施例2化合物19的合成250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol3-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物B2，0.03mol叔丁醇钠，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度96.59％，收率69.8％。HPLC-MS(m/z)：理论值为803.36，实测值803.69。实施例3化合物20的合成500ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol2-溴-苯并[d]苯并[4,5]咪唑[2,1-b]恶唑，0.015mol化合物B3，用混合溶剂溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然后加入0.0001molPd(PPh3)4，加热回流10-24小时，取样点板，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度97.80％，收率69.50％。HPLC-MS(m/z)：理论值为801.35，实测值为801.67。实施例4化合物36的合成500ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol2-溴-苯并[d]苯并[4,5]咪唑[2,1-b]恶唑，0.015mol化合物B4，用混合溶剂溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然后加入0.0001molPd(PPh3)4，加热回流10-24小时，取样点板，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度97.20％，收率67.50％。HPLC-MS：材料值为799.33，实测值799.65。实施例5化合物41的合成250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol8-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物B5，0.03mol叔丁醇钠，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度98.75％，收率56.29％。HPLC-MS(m/z)：理论值为983.38，实测值983.64。实施例6化合物44的合成250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol0.01mol8-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物B6，0.03mol叔丁醇钠，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度99.25％，收率58.12％。HPLC-MS(m/z)：理论值为918.39，实测值918.32。实施例7化合物58的合成500ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol2-溴-苯并[d]苯并[4,5]咪唑[2,1-b]恶唑，0.015mol化合物B7，用混合溶剂溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然后加入0.0001molPd(PPh3)4，加热回流10-24小时，取样点板，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度97.20％，收率67.50％。HPLC-MS(m/z)：理论值为595.23，实测值595.65。实施例8化合物104的合成250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol3-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C1，0.03mol叔丁醇钠，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度97.60％，收率46.00％。HPLC-MS(m/z)：理论值为752.35,实测值为752.99。实施例9化合物112的合成250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol3-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C2，0.03mol叔丁醇钠，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度99.25％，收率49.00％。HPLC-MS(m/z)：；理论值为959.46，实测值959.87。实施例10化合物124的合成250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol8-溴-6,6-二甲基吲哚并[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.020mol化合物C3，0.03mol叔丁醇钠，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度95.62％，收率32.15％。HPLC-MS(m/z)：理论值为669.28，实测值669.78。本发明化合物可以作为发光层材料使用，对本发明化合物19、化合物58和现有材料CBP分别进行热蒸镀状态、T1能级的测定，检测结果如表2所示。表2化合物热蒸镀状态T1(eV)功用化合物19熔融型2.85主体材料化合物58熔融型2.90主体材料化合物CBP升华型2.70主体材料注：热蒸镀状态由韩国ANS-INC(100*100)蒸镀设备进行测定，真空度＜5×10-7Torr，第一升温区(0-200℃)，升温速率10℃/min；第二升温区(200-400℃)，升温速率5℃/min，以的蒸镀速率蒸镀10min后自然降至室温。T1是先测试化合物的磷光发射光谱，并由磷光发射峰计算得到(测试设备：利用EdinburghInstruments的FLS980荧光光谱仪，OxfordInstruments的OptistatDN-V2低温组件)。由上表数据可知，本发明化合物具有较高的热蒸镀速率稳定性，较升华型材料，其材料内部传热较好，避免了因传热不均局部过热引起的材料变质，有利于实现长时间蒸镀。此外，本发明化合物具有较高的T1能级，避免能量由掺杂材料回传到主体材料，适合作为发光层材料；同时，本发明化合物含有电子给体(donor,D)与电子受体(acceptor,A)，使得应用本发明化合物的OLED器件电子和空穴达到平衡状态，保证了电子和空穴的复合率，使得器件效率和寿命得到提升。通过量子化学从头计算软件ORCA对本发明化合物的HOMO、LUMO能级进行计算并进行可视化，计算方法采用B3LYP杂化泛函，基组6-31g(d)。化合物19、化合物58、化合物112以及化合物BD-1的可视化HOMO、LUMO分布图如表3所示；从HOMO、LUMO在分子中的空间分布可以看出，相比较化合物CBP本发明化合物的HOMO和LUMO能级处于空间分离状态，且HOMO、LUMO重叠度小。即本发明化合物同时具有电子给体(donor,D)与电子受体(acceptor,A)两个部分，这使得发明化合物的OLED器件电子和空穴更易达到平衡状态，保证了电子和空穴的复合率，使得器件效率和寿命得到提升。表3以下通过实施例11-18和比较例1-3详细说明本发明合成的化合物在器件中作为发光层主体材料的应用效果。实施例12-18与实施例11相比，所述器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是器件中发光层材料发生了改变。实施例11透明基板层1/ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度80nm)/发光层5(化合物2和GD-19按照100：5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极电极层8(Al)。相关材料的分子结构式如下所示：具体制备过程如下：透明基板层1采用透明材料。对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤，即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥后再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的三氧化钼MoO3作为空穴注入层3使用。紧接着蒸镀80nm厚度的TAPC作为空穴传输层4。上述空穴传输材料蒸镀结束后，制作OLED发光器件的发光层5，其结构包括OLED发光层5所使用材料化合物22作为主体材料，GD-19作为掺杂材料，掺杂材料掺杂比例为5％重量比，发光层膜厚为30nm。在上述发光层5之后，继续真空蒸镀电子传输层材料为TPBI。该材料的真空蒸镀膜厚为40nm，此层为电子传输层6。在电子传输层6上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的氟化锂(LiF)层，此层为电子注入层7。在电子注入层7上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的铝(Al)层，此层为阴极反射电极层8使用。如上所述地完成OLED发光器件后，用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的发光效率，发光光谱以及器件的电流-电压特性。实施例12透明基板层1/ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度80nm)/发光层5(化合物19和GD-19按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。实施例13透明基板层1/ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度80nm)/发光层5(化合物20和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。实施例14透明基板层1/ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度80nm)/发光层5(化合物36和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。实施例15透明基板层1/ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度80nm)/发光层5(化合物41和GD-PACTZ按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。实施例16透明基板层1/ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度80nm)/发光层5(化合物44和GD-PACTZ按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。实施例17透明基板层1/ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度80nm)/发光层5(化合物58、GH-204和Ir(PPy)3按照70:30:10的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。实施例18透明基板层1/ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度80nm)/发光层5(化合物104、GH-204和GD-PACTZ按照70:30:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。比较例1透明基板层1/ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度80nm)/发光层5(CBP和GD-19按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。比较例2透明基板层1/ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度80nm)/发光层5(CBP和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。比较例3透明基板层1/ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度80nm)/发光层5(CBP和GD-PACTZ按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极电极层8(Al)。所制作的OLED发光器件的测试结果见表4。表3表4说明:比较例1的电流效率为6.5cd/A(@10mA/cm2)；启动电压为4.3V(@1cd/m2)，5000nit亮度下LT95寿命衰减为3.8Hr。比较例2的电流效率为24.6cd/A(@10mA/cm2)；5000nit亮度下LT95寿命衰减为4.3Hr。比较例3的电流效率为25.1cd/A(@10mA/cm2)；启动电压为3.5V(@1cd/m2)，5000nit亮度下LT95寿命衰减为7.8Hr。寿命测试系统为本发明所有权人与上海大学共同研究的OLED器件寿命测试仪。实施例16启动电压为3.8(@1cd/m2)，实施例18启动电压为2.9V(@1cd/m2)。表3的结果可以看出，本发明所述化合物作为发光层主体材料可应用于OLED发光器件制作；并且与比较例1相比，无论是效率、电压还是寿命均比已知OLED材料获得较大改观，特别是器件的驱动寿命获得较大的提升。为进一步体现本发明化合物在产业化应用的优势，本发明比较了不同掺杂材料比例下器件的性能变化情况，定义掺杂浓度依赖系数进行表示；它表示驱动电流为10mA/cm2下不同掺杂浓度的器件，其效率最大值μmax、最小值和平均值之间的均匀程度，值越大，说明掺杂比例对器件的效率影响越大，在产业化应用时要严格控制材料的蒸镀速率，工业应用窗口较小；反之，说明器件性能对掺杂比例的要求不好，容易实现工业化生产，降低生产成本，具有良好的产业化应用前景。参考实施例11-18的制备方法，并且采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对掺杂比例做了变换；各器件的结构及测试结果如表5所示：表5从以上数据应用来看，本发明化合物作为发光层材料在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。虽然已通过实施例和优选实施方式公开了本发明，但应理解，本发明不限于所公开的实施方式。相反，本领域技术人员应明白，其意在涵盖各种变型和类似的安排。因此，所附权利要求的范围应与最宽的解释相一致以涵盖所有这样的变型和类似的安排。当前第1页1 2 3