本发明属于半导体蓝宝石晶片的加工技术领域,特别涉及一种蓝宝石晶片退火前清洗液及其制备方法和清洗工艺。
背景技术:
蓝宝石晶棒经过金刚石多线锯切割后的毛片,首先要经过双面研磨,用粒径40-60um的碳化硼或碳化硅作为研磨料,研磨去除蓝宝石晶片正反面的锯纹。研磨完成后,晶片的平整度(ttv)大大提高,但是由于晶棒在长晶时留存的内应力和双面研磨时大颗粒磨料引起的外应力,都使得研磨后的晶片的扭曲度(bow,warp)急剧增大,这就给后续的精研磨和抛光带来很大问题。因此必须在精研磨和抛光前对晶片进行退火,改进bow和warp。但是在退火前必须把双面研磨时留存在晶片表层的碳化硼或碳化硅磨料清洗出来,否则经过退火后这些镶嵌在晶片表层的磨料颗粒就被烧结在晶体内部,更难被清洗出来。对于蓝宝石晶片的退火前清洗,一直是加工工艺的一个难题。传统工艺就是长时间在碱液中浸泡,时间很长,效率极低,而且晶片是放在晶片盒(cassette)里面进行清洗,插在晶片盒卡槽里的晶片部分更不容易清洗干净。传统的清洗工艺,都是使用碱性液清洗几个小时,效果还是不明显。
技术实现要素:
为了解决现有技术中蓝宝石晶片退火前的清洗不彻底的问题,本发明提供一种蓝宝石晶片退火前清洗液及其制备方法和清洗工艺,提高了清洗效率和洁净度。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种蓝宝石晶片退火前清洗液,按照重量百分比包括以下组分:
碱或酸10-60%;
表面活性剂0.01-1%;
ro水余量。
优选的,所述碱包括氢氧化钠、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵、乙二胺和三乙胺中的任意一种;所述酸包括硫酸或氢氟酸。
进一步的,当清洗液选择碱时,余量ro水中加入碱后的ph值为7-14,优选的,ph为10-12;当清洗液选择酸时,余量ro水中加入酸后的ph值为1-5,优选的,ph为2-3。
优选的,所述表面活性剂为十二烷基磺酸钠、十二烷基膦酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚中的一种或多种。
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的制备方法,包括以下步骤:
步骤一、配制酸或碱:向余量ro水中加入酸或碱,配制为酸液或碱液,配制后的碱液ph为7-14,配制后的酸液ph为1-5;
步骤二、将表面活性剂加入于碱液或酸液中,搅拌均匀,得到清洗液。
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的清洗工艺,蓝宝石晶片放入晶片盒内,然后蓝宝石晶片依次经过第一清洗液槽清洗、第二清洗液槽清洗、ro水清洗槽清洗,最后放入热风干燥槽内干燥,所述第一清洗液槽、第二清洗液槽内均填充有清洗液,所述ro水清洗槽内填充有ro水,所述第一清洗液槽、第二清洗液槽、ro水清洗槽内均配备有20-70khz超声波,所述第一清洗液槽和第二清洗液槽内的清洗液温度为20-100℃,所述ro水清洗槽内的ro水温为20-100℃,所述热风干燥槽内的温度为120℃。进一步的,第一清洗液槽和第二清洗液槽分别外接有清洗液循环装置,清洗液循环装置包括供液桶和泵,清洗时,第一清洗液槽和第二清洗液槽内的清洗液四面溢流,分别被回收至相对应的供液桶内,再通过泵将供液桶内的清洗液分别送至第一清洗液槽或第二清洗液槽内,清洗液循环的过程中经过二级过滤,所述二级过滤的滤孔直径分别是20-100um,1-20um,循环的流量速度通过流量计控制;清洗时,ro水清洗槽内的ro水四面溢流,被回收,再通过泵将ro水送至ro水清洗槽内,且回收过程中ro水经过一次过滤。
进一步的,所述第一清洗液槽内底部设置有辊筒,所述辊筒连接有控制其转速的逆变器;所述第二清洗液槽内设置有上下运动的托架,所述托架连接有气缸,所述气缸连接有气缸传感器;所述热风干燥槽的顶部设置有层流罩,层流罩用于热风干燥时过滤空气中的颗粒,避免污染晶片表面。
进一步的,所述第一清洗液槽、第二清洗液槽和ro水清洗槽内均安装有sus加热器。
进一步的,当清洗液选择碱时,第一清洗液槽和第二清洗液槽的材质为奥氏体不锈钢,当清洗液选择酸时,第一清洗液槽和第二清洗液槽的材质为pvdf;ro水清洗槽的材质为pvc,热风干燥槽的材质为奥氏体不锈钢。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
本发明提供的清洗液,加入适量表面活性剂,既不会形成泡沫,又增强了清洗效果。另外在清洗工艺的设计上,三个清洗槽都配制超声、恒温装置,大大提高了清洗效率;由于退火前的晶片表面比较脏,因此前面两个清洗槽都配制清洗液循环过滤装置,清洗槽内的清洗液四面溢流;泵打循环;2级过滤,既节约了清洗液,又使得进入清洗槽内的清洗液始终是干净的,增强了清洗效果;前面两个清洗槽设计的晶片旋转和上下摆动装置,使得晶片始终在流动液体中清洗,也使得原来置于清洗死角的晶片边缘部分随着晶片的转动和上下摆动得到释放和清洗。
附图说明
图1是现有技术中清洗液及传统清洗工艺对退火前晶片清洗后的表面颗粒检测图;
图2是实施例中清洗液的对退火前晶片清洗后的表面颗粒检测图;
图3是清洗液循环装置的结构示意图;
其中:1-第二清洗液槽,2-回收箱体,3-泵,4-供液桶,5-过滤膜,6-托架。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作更进一步的说明。
实施例1
一种蓝宝石晶片退火前清洗液,按照重量百分比包括以下组分:
四甲基氢氧化铵30%;
脂肪醇聚氧乙烯醚(jfc0-25)0.05%;
ro水69.95%;
在ro水中加入四甲基氢氧化铵溶液后,碱液的ph=12;
向碱液中加入脂肪醇聚氧乙烯醚(jfc0-25);搅拌均匀,得到清洗液。
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的清洗工艺,将清洗液分别倒入第一清洗液槽和第二清洗液槽旁边的2个供液桶(tank),将2个供液桶内的清洗液分别用泵打入第一清洗液槽和第二清洗液槽;第一清洗液槽和第二清洗液槽内的清洗液通过其内部设置的sus加热器加热并保持在60℃;将蓝宝石晶片放在晶片盒内,放到第一清洗液槽内清洗,第一清洗液槽内超声频率为40khz;辊筒旋转,晶片跟着旋转;第一清洗液槽内的清洗液四面溢流;清洗液被泵打循环;循环过程中2级过滤(过滤膜的孔径分别为20um和10um);晶片清洗时间30分钟;
将第一清洗液槽内的晶片取出再放入第二清洗液槽,第二清洗液槽内超声频率为40khz;晶片盒上下摆动,晶片跟着摆动;第二清洗液槽内的清洗液四面溢流;清洗液泵打循环;循环过程中清洗液经过2级过滤(其过滤膜的孔径分别为5um和1um);晶片清洗时间30分钟;
将第二清洗液槽内的晶片取出再放入ro水清洗槽,ro水清洗槽内超声频率为40khz,ro水清洗槽槽内的ro水通过其内部设置的sus加热器加热并保持在80℃,ro水清洗槽槽内的ro水四面溢流,ro水泵打循环,循环过程中经过孔径为0.1um的滤膜过滤,流量计控制其流量,晶片清洗30分钟。
将ro水清洗槽中的晶片取出放入热风干燥槽内,经120℃热风干燥20分钟。热风干燥槽的上方配置有层流罩(hepa过滤),以保证干燥后晶片表面的洁净度。
实施例2
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的制备方法,按照重量百分比取:
氢氧化钠10%;
十二烷基磺酸钠1%;
ro水89%;
在ro水中加入氢氧化钠溶液后碱液的ph=7;
向碱液中加入十二烷基磺酸钠;搅拌均匀,得到清洗液。
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的清洗工艺,将清洗液分别倒入第一清洗液槽和第二清洗液槽旁边的2个供液桶(tank),将2个供液桶内的清洗液分别用泵打入第一清洗液槽和第二清洗液槽;第一清洗液槽和第二清洗液槽内的清洗液通过其内部设置的sus加热器加热并保持在100℃;将蓝宝石晶片放在晶片盒内,放到第一清洗液槽内清洗,第一清洗液槽内超声频率为20khz;辊筒旋转,晶片跟着旋转;第一清洗液槽内的清洗液四面溢流;清洗液被泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的孔径分别为100um,20um);晶片清洗时间30分钟;
将第一清洗液槽内的晶片取出再放入第二清洗液槽,第二清洗液槽内超声频率为40khz;晶片盒上下摆动,晶片跟着摆动;清洗液四面溢流;清洗液泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的径分别为100um,20um);清洗时间30分钟;
将第二清洗液槽内的晶片取出再放入ro水清洗槽,ro水清洗槽内超声频率为40khz,ro水温80℃,ro水四面溢流,ro水泵打循环,ro水循环过程中经过一次过滤,其过滤膜的孔径为0.1um,流量计控制流量,晶片清洗30分钟;
将ro水清洗槽中的晶片取出放入热风干燥槽内,经120℃热风干燥20分钟。热风干燥槽的上方配置有层流罩(hepa过滤),以保证干燥后晶片表面的洁净度。
第一清洗液槽和第二清洗液槽的材质为奥氏体不锈钢,ro水清洗槽的材质为pvc,热风干燥槽的材质为奥氏体不锈钢。
实施例3
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的制备方法,按照重量百分比取:
氢氧化钾60%;
十二烷基膦酸钠0.01%;
ro水39.9%;
在ro水中加入氢氧化钾溶液后碱液的ph=10;
向碱液中加入十二烷基膦酸钠;搅拌均匀,得到清洗液。
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的清洗工艺,将清洗液分别倒入第一清洗液槽和第二清洗液槽旁边的2个供液桶(tank),将2个供液桶内的清洗液分别用泵打入第一清洗液槽和第二清洗液槽;第一清洗液槽和第二清洗液槽内的清洗液通过其内部设置的sus加热器加热并保持在20℃;将蓝宝石晶片放在晶片盒内,放到第一清洗液槽内清洗,第一清洗液槽内超声频率为70khz;辊筒旋转,晶片跟着旋转;第一清洗液槽内的清洗液四面溢流;清洗液被泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的孔径分别为20um,10um);晶片清洗时间30分钟;
将第一清洗液槽内的晶片取出再放入第二清洗液槽,第二清洗液槽内超声频率为40khz;晶片盒上下摆动,晶片跟着摆动;清洗液四面溢流;清洗液泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的径分别为20um,1um);清洗时间30分钟;
将第二清洗液槽内的晶片取出再放入ro水清洗槽,ro水清洗槽内超声频率为40khz,ro水温20℃,ro水四面溢流,ro水泵打循环,ro水循环过程中经过一次过滤,其过滤膜的孔径为0.1um,流量计控制流量,晶片清洗30分钟;
将ro水清洗槽中的晶片取出放入热风干燥槽内,经120℃热风干燥20分钟。热风干燥槽的上方配置有层流罩(hepa过滤),以保证干燥后晶片表面的洁净度。
第一清洗液槽和第二清洗液槽的材质为奥氏体不锈钢,ro水清洗槽的材质为pvc,热风干燥槽的材质为奥氏体不锈钢。
实施例4
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的制备方法,,按照重量百分比取:
乙二胺20%;
十二烷基磺酸钠和十二烷基膦酸钠各0.05%;
ro水79.9%;
在ro水中加入乙二胺溶液后碱液的ph=14;
向碱液中加入十二烷基磺酸钠和十二烷基膦酸钠;搅拌均匀,得到清洗液。
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的清洗工艺,将清洗液分别倒入第一清洗液槽和第二清洗液槽旁边的2个供液桶(tank),将2个供液桶内的清洗液分别用泵打入第一清洗液槽和第二清洗液槽;第一清洗液槽和第二清洗液槽内的清洗液通过其内部设置的sus加热器加热并保持在100℃;将蓝宝石晶片放在晶片盒内,放到第一清洗液槽内清洗,第一清洗液槽内超声频率为70khz;辊筒旋转,晶片跟着旋转;第一清洗液槽内的清洗液四面溢流;清洗液被泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的孔径分别为80um,15um);晶片清洗时间30分钟;
将第一清洗液槽内的晶片取出再放入第二清洗液槽,第二清洗液槽内超声频率为70khz;晶片盒上下摆动,晶片跟着摆动;清洗液四面溢流;清洗液泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的径分别为80um,15um);清洗时间30分钟;
将第二清洗液槽内的晶片取出再放入ro水清洗槽,ro水清洗槽内超声频率为70khz,ro水温100℃,ro水四面溢流,ro水泵打循环,ro水循环过程中经过一次过滤,其过滤膜的孔径为0.1um,流量计控制流量,晶片清洗30分钟;
将ro水清洗槽中的晶片取出放入热风干燥槽内,经120℃热风干燥20分钟。热风干燥槽的上方配置有层流罩(hepa过滤),以保证干燥后晶片表面的洁净度。
第一清洗液槽和第二清洗液槽的材质为奥氏体不锈钢;ro水清洗槽的材质为pvc,热风干燥槽的材质为奥氏体不锈钢。
实施例5
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的制备方法,按照重量百分比取:
三乙胺30%;
脂肪醇聚氧乙烯醚0.05%;
ro水69.95%;
在ro水中加入三乙胺溶液后碱液的ph=12;
向碱液中加入脂肪醇聚氧乙烯醚;搅拌均匀,得到清洗液。
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的清洗工艺,将清洗液分别倒入第一清洗液槽和第二清洗液槽旁边的2个供液桶(tank),将2个供液桶内的清洗液分别用泵打入第一清洗液槽和第二清洗液槽;第一清洗液槽和第二清洗液槽内的清洗液通过其内部设置的sus加热器加热并保持在50℃;将蓝宝石晶片放在晶片盒内,放到第一清洗液槽内清洗,第一清洗液槽内超声频率为20khz;辊筒旋转,晶片跟着旋转;第一清洗液槽内的清洗液四面溢流;清洗液被泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的孔径分别为80um,15um);晶片清洗时间30分钟;
将第一清洗液槽内的晶片取出再放入第二清洗液槽,第二清洗液槽内超声频率为40khz;晶片盒上下摆动,晶片跟着摆动;清洗液四面溢流;清洗液泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的径分别为50um,10um);清洗时间30分钟;
将第二清洗液槽内的晶片取出再放入ro水清洗槽,ro水清洗槽内超声频率为70khz,ro水温100℃,ro水四面溢流,ro水泵打循环,ro水循环过程中经过一次过滤,其过滤膜的孔径为0.1um,流量计控制流量,晶片清洗30分钟;
将ro水清洗槽中的晶片取出放入热风干燥槽内,经120℃热风干燥20分钟。热风干燥槽的上方配置有层流罩(hepa过滤),以保证干燥后晶片表面的洁净度。
当清洗液选择碱时,第一清洗液槽和第二清洗液槽的材质为奥氏体不锈钢,当清洗液选择酸时,第一清洗液槽和第二清洗液槽的材质为pvdf;ro水清洗槽的材质为pvc,热风干燥槽的材质为奥氏体不锈钢。
实施例6
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的制备方法,按照重量百分比取:
硫酸60%;
十二烷基磺酸钠1%;
ro水39%;
在ro水中加入硫酸溶液后酸液的ph=1;
向酸液中加入十二烷基磺酸钠;搅拌均匀,得到清洗液。
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的清洗工艺,将清洗液分别倒入第一清洗液槽和第二清洗液槽旁边的2个供液桶(tank),将2个供液桶内的清洗液分别用泵打入第一清洗液槽和第二清洗液槽;第一清洗液槽和第二清洗液槽内的清洗液通过其内部设置的sus加热器加热并保持在40℃;将蓝宝石晶片放在晶片盒内,放到第一清洗液槽内清洗,第一清洗液槽内超声频率为70khz;辊筒旋转,晶片跟着旋转;第一清洗液槽内的清洗液四面溢流;清洗液被泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的孔径分别为60um,5um);晶片清洗时间30分钟;
将第一清洗液槽内的晶片取出再放入第二清洗液槽,第二清洗液槽内超声频率为40khz;晶片盒上下摆动,晶片跟着摆动;清洗液四面溢流;清洗液泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的径分别为60um,5um);清洗时间30分钟;
将第二清洗液槽内的晶片取出再放入ro水清洗槽,ro水清洗槽内超声频率为40khz,ro水温20℃,ro水四面溢流,ro水泵打循环,ro水循环过程中经过一次过滤,其过滤膜的孔径为0.1um,流量计控制流量,晶片清洗30分钟;
将ro水清洗槽中的晶片取出放入热风干燥槽内,经120℃热风干燥20分钟。热风干燥槽的上方配置有层流罩(hepa过滤),以保证干燥后晶片表面的洁净度。
第一清洗液槽和第二清洗液槽的材质为pvdf;ro水清洗槽的材质为pvc,热风干燥槽的材质为奥氏体不锈钢。
实施例7
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的制备方法,按照重量百分比取:
氢氟酸10%;
十二烷基磺酸钠1%;
ro水89%;
在ro水中加入硫酸溶液后酸液的ph=5;
向酸液中加入十二烷基磺酸钠;搅拌均匀,得到清洗液。
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的清洗工艺,将清洗液分别倒入第一清洗液槽和第二清洗液槽旁边的2个供液桶(tank),将2个供液桶内的清洗液分别用泵打入第一清洗液槽和第二清洗液槽;第一清洗液槽和第二清洗液槽内的清洗液通过其内部设置的sus加热器加热并保持在40℃;将蓝宝石晶片放在晶片盒内,放到第一清洗液槽内清洗,第一清洗液槽内超声频率为70khz;辊筒旋转,晶片跟着旋转;第一清洗液槽内的清洗液四面溢流;清洗液被泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的孔径分别为60um,5um);晶片清洗时间30分钟;
将第一清洗液槽内的晶片取出再放入第二清洗液槽,第二清洗液槽内超声频率为40khz;晶片盒上下摆动,晶片跟着摆动;清洗液四面溢流;清洗液泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的径分别为60um,5um);清洗时间30分钟;
将第二清洗液槽内的晶片取出再放入ro水清洗槽,ro水清洗槽内超声频率为40khz,ro水温20℃,ro水四面溢流,ro水泵打循环,ro水循环过程中经过一次过滤,其过滤膜的孔径为0.1um,流量计控制流量,晶片清洗30分钟;
将ro水清洗槽中的晶片取出放入热风干燥槽内,经120℃热风干燥20分钟。热风干燥槽的上方配置有层流罩(hepa过滤),以保证干燥后晶片表面的洁净度。
第一清洗液槽和第二清洗液槽的材质为pvdf;ro水清洗槽的材质为pvc,热风干燥槽的材质为奥氏体不锈钢。
实施例8
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的制备方法,按照重量百分比取:
氢氟酸20%;
十二烷基磺酸钠1%;
ro水79%;
在ro水中加入硫酸溶液后酸液的ph=2;
向酸液中加入十二烷基磺酸钠;搅拌均匀,得到清洗液。
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的清洗工艺,将清洗液分别倒入第一清洗液槽和第二清洗液槽旁边的2个供液桶(tank),将2个供液桶内的清洗液分别用泵打入第一清洗液槽和第二清洗液槽;第一清洗液槽和第二清洗液槽内的清洗液通过其内部设置的sus加热器加热并保持在40℃;将蓝宝石晶片放在晶片盒内,放到第一清洗液槽内清洗,第一清洗液槽内超声频率为70khz;辊筒旋转,晶片跟着旋转;第一清洗液槽内的清洗液四面溢流;清洗液被泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的孔径分别为60um,5um);晶片清洗时间30分钟;
将第一清洗液槽内的晶片取出再放入第二清洗液槽,第二清洗液槽内超声频率为40khz;晶片盒上下摆动,晶片跟着摆动;清洗液四面溢流;清洗液泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的径分别为60um,5um);清洗时间30分钟;
将第二清洗液槽内的晶片取出再放入ro水清洗槽,ro水清洗槽内超声频率为40khz,ro水温20℃,ro水四面溢流,ro水泵打循环,ro水循环过程中经过一次过滤,其过滤膜的孔径为0.1um,流量计控制流量,晶片清洗30分钟;
将ro水清洗槽中的晶片取出放入热风干燥槽内,经120℃热风干燥20分钟。热风干燥槽的上方配置有层流罩(hepa过滤),以保证干燥后晶片表面的洁净度。
第一清洗液槽和第二清洗液槽的材质为pvdf;ro水清洗槽的材质为pvc,热风干燥槽的材质为奥氏体不锈钢。
实施例9
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的制备方法,按照重量百分比取:
氢氟酸30%;
十二烷基磺酸钠1%;
ro水69%;
在ro水中加入硫酸溶液后酸液的ph=3;
向酸液中加入十二烷基磺酸钠;搅拌均匀,得到清洗液。
一种蓝宝石晶片退火前清洗液的清洗工艺,将清洗液分别倒入第一清洗液槽和第二清洗液槽旁边的2个供液桶(tank),将2个供液桶内的清洗液分别用泵打入第一清洗液槽和第二清洗液槽;第一清洗液槽和第二清洗液槽内的清洗液通过其内部设置的sus加热器加热并保持在40℃;将蓝宝石晶片放在晶片盒内,放到第一清洗液槽内清洗,第一清洗液槽内超声频率为70khz;辊筒旋转,晶片跟着旋转;第一清洗液槽内的清洗液四面溢流;清洗液被泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的孔径分别为60um,5um);晶片清洗时间30分钟;
将第一清洗液槽内的晶片取出再放入第二清洗液槽,第二清洗液槽内超声频率为40khz;晶片盒上下摆动,晶片跟着摆动;清洗液四面溢流;清洗液泵打循环;循环过程中经过2级过滤(过滤膜的径分别为60um,5um);清洗时间30分钟;
将第二清洗液槽内的晶片取出再放入ro水清洗槽,ro水清洗槽内超声频率为40khz,ro水温20℃,ro水四面溢流,ro水泵打循环,ro水循环过程中经过一次过滤,其过滤膜的孔径为0.1um,流量计控制流量,晶片清洗30分钟;
将ro水清洗槽中的晶片取出放入热风干燥槽内,经120℃热风干燥20分钟。热风干燥槽的上方配置有层流罩(hepa过滤),以保证干燥后晶片表面的洁净度。
第一清洗液槽和第二清洗液槽的材质为pvdf;ro水清洗槽的材质为pvc,热风干燥槽的材质为奥氏体不锈钢。
实施例1-9中的蓝宝石晶片,可以是任何大小尺寸的蓝宝石晶片。常用的蓝宝石晶片为直径2英寸到8英寸的圆片。
实施例1-9中注重在ro水中加入酸或碱后的ph,其中:当清洗液选择碱时,余量ro水中加入碱后的ph值为7-14,优选的,ph为10-12;当清洗液选择酸时,余量ro水中加入酸后的ph值为1-5,优选的,ph为2-3。即当碱或酸为氢氧化钠、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵、乙二胺、三乙胺、硫酸和氢氟酸中的任意一种时,仅需要根据其ph和重量百分比,算出相应酸或碱的浓度或质量即可。
如图3所示,第二清洗液槽及其清洗液的循环示意图,此外第一清洗液槽和ro水清洗槽也可根据图3类比,实施例1-9中,第一清洗液槽内底部设置有辊筒,所述辊筒连接有控制其转速的逆变器,用于实现被清洗的晶片在清洗过程中能够旋转,无需限制其辊筒是如何旋转,只要能够实现辊筒带动清洗液转动,从而晶片随之转动即可,该设计犹如滚筒洗衣机或者搅拌杆搅动清洗液,目的为实现全方位清洗晶片的功能;所述第二清洗液槽内设置有上下运动的托架,所述托架连接有气缸,所述气缸连接有气缸传感器,气缸带动托架在第二清洗液槽内上下运动,即带动置于托架上的晶片在清洗液中上下运动,目的也在于全方位清洗晶片;所述热风干燥槽的顶部设置有层流罩,层流罩用于热风干燥时过滤空气中的颗粒,避免污染晶片表面。此外,第一清洗液槽、第二清洗液槽和ro水清洗槽在清洗过程中,其中的液体均需要循环再利用,仅需要将以上三个清洗槽分别置于回收箱体内,清洗槽内的液体四面溢流,流入相应的回收箱体内,再通过水路、水泵及过滤膜重新进入清洗槽内,从而实现循环的目的,期间的水路管道上还可以设置流量计,用于控制液体的流量。
对采用传统清洗技术中的清洗液清洗蓝宝石晶片和采用本发明提供的清洗液及清洗工艺清洗的蓝宝石晶片进行表面颗粒检测,检测时采用klatancorcs20进行,清洗结果如图1和2所示,可以明显看出利用本发明清洗的晶片和传统清洗工艺相比,利用本发明清洗的晶片经过抛光后的表面颗粒度大大降低。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。