1.一种流动池，包括：
基底；
第一引物组，所述第一引物组被附接至所述基底上的第一区域，所述第一引物组包括不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物；和
第二引物组，所述第二引物组被附接至所述基底上的第二区域，所述第二引物组包括可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物。
2.如权利要求1中定义的流动池，其中：
所述第一区域包括具有第一官能团的材料；并且
所述第二区域包括具有不同于所述第一官能团的第二官能团的材料。
3.如权利要求1中定义的流动池，还包括分隔所述第一引物组与所述第二引物组的空隙。
4.如权利要求1中定义的流动池，其中：
所述基底包括由间隙区域分隔的凹陷；并且
各个所述凹陷包括：
位于第一部分的所述第一区域；和
位于第二部分的所述第二区域。
5.如权利要求4中定义的流动池，还包括分隔所述第一区域与所述第二区域的空隙。
6.如权利要求4中定义的流动池，其中所述第一区域和所述第二区域部分重叠。
7.如权利要求4中定义的流动池，其中所述第一部分和所述第二部分具有不同的深度。
8.如权利要求4中定义的流动池，其中所述第一区域和所述第二区域是嵌段共聚物的不同嵌段。
9.如权利要求1中定义的流动池，其中：
所述基底包括由间隙区域分隔的凹陷；
各个所述凹陷包括所述第一区域；并且
所述第二区域位于至少一些所述间隙区域上。
10.如权利要求1中定义的流动池，其中：
所述第一区域包含第一聚合物，并且所述第一引物组被接枝到所述第一聚合物；并且
所述第二区域包含第二聚合物，并且所述第二引物组被接枝到所述第二聚合物。
11.如权利要求10中定义的流动池，其中所述流动池还包括在所述第一引物组和在所述第一聚合物上的保护涂层。
12.如权利要求10中定义的流动池，其中：
所述第一聚合物是所述基底上的第一层；
所述第二聚合物是所述第一层上的第二层；
所述流动池还包括：
所述第二层上的钝化树脂；和
在所述钝化树脂、所述第二聚合物和所述第一聚合物中限定的特征；并且
所述第一引物组和所述第二引物组各自暴露于各个所述特征。
13.如权利要求1中定义的流动池，其中：
所述基底包括由间隙区域分隔的凹陷；
各个所述凹陷包括：
所述第一区域位于的第一部分；和
第二部分；并且
所述流动池还包括位于所述第二部分的珠，其中所述第二区域在所述珠的表面。
14.如权利要求1中定义的流动池，其中所述可裂解的第一引物包括第一裂解位点，所述可裂解的第二引物包括第二裂解位点，并且所述第一裂解位点和所述第二裂解位点是相同类型的。
15.如权利要求14中定义的流动池，其中：
所述不可裂解的第一引物、所述可裂解的第二引物、所述可裂解的第一引物和所述可裂解的第二引物各自包括相应的接头；
所述第一可裂解引物的所述第一裂解位点沿其接头定位；并且
所述第二可裂解引物的所述第二裂解位点沿其接头定位。
16.如权利要求1中定义的流动池，其中所述可裂解的第一引物包括第一裂解位点，所述可裂解的第二引物包括第二裂解位点，并且所述第一裂解位点和所述第二裂解位点是不同类型的。
17.如权利要求16中定义的流动池，其中：
所述不可裂解的第一引物、所述可裂解的第二引物、所述可裂解的第一引物和所述可裂解的第二引物各自包括相应的接头；
所述第一可裂解引物的所述第一裂解位点沿其接头定位；并且
所述第二可裂解引物的所述第二裂解位点沿其接头定位。
18.如权利要求1中定义的流动池，其中：
所述第一引物组被附接至第一支撑结构；
所述第一区域是被附接至所述第一支撑结构的第一捕获位点；
所述第二引物组被附接至不同于所述第一支撑结构的第二支撑结构；并且
所述第二区域是被附接至所述第二支撑结构的第二捕获位点。
19.一种流动池，包括：
第一基底；
被附接至所述第一基底的第一引物组，所述第一引物组包括不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物；
与所述第一基底相对的第二基底；和
被附接至所述第二基底的第二引物组，所述第二引物组包括可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物。
20.一种试剂盒，所述试剂盒包括：
流动池，所述流动池包括：
基底，所述基底包括由间隙区域分隔的凹陷；
在各个所述凹陷中的第一聚合物层，其中所述第一聚合物层的一些官能团被封端；
第一引物组，所述第一引物组被附接至各个所述凹陷中的第一聚合物层的其他官能团；和
所述间隙区域上的第二聚合物层；以及
引发流体，所述引发流体包括：
流体载体；和
不同于所述第一引物组的第二引物组。
21.如权利要求20中定义的试剂盒，其中：
所述第一引物组包括不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物；并且
所述第二引物组包括可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物。
22.一种方法，所述方法包括：
将模板流体引入流动池，所述流动池包括：
基底，所述基底包括由间隙区域分隔的凹陷；
在各个所述凹陷中的第一聚合物层，其中所述第一聚合物层的暴露的官能团被封端；
第一引物组，所述第一引物组被附接至各个所述凹陷中的所述第一聚合物层，所述第一引物组包括可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物；
和
所述间隙区域上的第二聚合物层；
由此来自所述模板流体的模板被扩增以在至少一些凹陷中形成簇；
将包含不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物的引发流体引入所述流动池，由此所述不可裂解的第一引物和所述可裂解的第二引物被接枝到所述第二聚合物层；以及
启动从所述簇到所述不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物的桥扩增，从而在至少一些间隙区域上形成第二簇。
23.一种方法，所述方法包括：
将模板流体引入流动池，所述流动池包括：
基底，所述基底包括由间隙区域分隔的凹陷；
各个所述凹陷中的第一聚合物层；
被附接至所述第一聚合物层的第一引物组，所述第一引物组包括可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物；
在所述第一聚合物层和在所述第一引物组上的任选的保护涂层；
所述间隙区域上的第二聚合物层；以及
被附接至所述第二聚合物层的第二引物组，所述第二引物组包括不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物；
由此来自所述模板流体的模板被扩增以在至少一些凹陷中和在至少一些间隙区域上形成簇；以及
裂解所述可裂解的第一引物和所述可裂解的第二引物。
24.一种流动池，包括：
支撑物；
所述支撑物上的图案化树脂，所述图案化树脂包括由间隙区域分隔的第一凹陷和第二凹陷，所述第一凹陷具有比所述第二凹陷更小的开口尺寸；
被附接在至少一些第一凹陷中的第一引物组；和
分别位于至少一些第二凹陷中的官能化珠，所述官能化珠包括被附接在所述官能化珠的核心结构的表面的第二引物组，其中所述第二引物组不同于所述第一引物组。
25.如权利要求24中定义的流动池，其中所述官能化珠的所述核心结构选自由二氧化硅、超顺磁性材料、聚苯乙烯和丙烯酸酯组成的组。
26.如权利要求24中定义的流动池，其中所述图案化树脂选自由以下组成的组：笼状聚倍半硅氧烷树脂基树脂、环氧树脂、聚(乙二醇)树脂、聚醚树脂、丙烯酸树脂、丙烯酸酯树脂、甲基丙烯酸酯树脂及其组合。
27.如权利要求24中定义的流动池，还在所述第一凹陷和所述第二凹陷包括聚合物，并且其中所述第一引物组被附接至在所述至少一些第一凹陷中的所述聚合物。
28.如权利要求27中定义的流动池，其中所述官能化珠位于所述至少一些第二凹陷中的所述聚合物上。
29.如权利要求27中定义的流动池，其中：
所述第一引物组还被附接至在所述至少一些第二凹陷中的所述聚合物；并且
所述官能化珠位于所述至少一些第二凹陷中的所述第一引物组上。
30.如权利要求24中定义的流动池，其中：
所述第一引物组包括第一引物和尿嘧啶修饰的第二引物；并且
所述第二引物组包括尿嘧啶修饰的第一引物和第二引物。
31.一种流动池，包括：
支撑物；
所述支撑物上的图案化树脂，所述图案化树脂包括由间隙区域分隔的凹陷；
被附接至至少一些凹陷的第一引物组；和
被放置在所述至少一些凹陷中使得所述第一引物组的至少一些引物被暴露的官能化珠，所述官能化珠包括被附接在所述官能化珠的核心结构的表面的第二引物组，其中所述第二引物组不同于所述第一引物组。
32.如权利要求31中定义的流动池，其中：
各个所述凹陷包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有大于或等于所述官能化珠的直径的第一开口尺寸，所述第二部分具有小于所述官能化珠的直径的第二开口尺寸；并且
所述官能化珠位于所述至少一些凹陷中的各个凹陷的所述第一部分中。
33.如权利要求31中定义的流动池，其中所述官能化珠的所述核心结构选自由二氧化硅、超顺磁性材料、聚苯乙烯和丙烯酸酯组成的组。
34.如权利要求31中定义的流动池，其中所述图案化树脂选自由以下组成的组：笼状聚倍半硅氧烷树脂基树脂、环氧树脂、聚(乙二醇)树脂、聚醚树脂、丙烯酸树脂、丙烯酸酯树脂、甲基丙烯酸酯树脂及其组合。
35.如权利要求31中定义的流动池，还在所述凹陷中包括聚合物。
36.如权利要求35中定义的流动池，其中所述第一引物组被附接至未被所述官能化珠占据的所述聚合物的部分。
37.如权利要求36中定义的流动池，其中：
所述第一引物组被附接至所述凹陷中的所述聚合物；并且
所述官能化珠位于所述第一引物组的一些其他引物上。
38.一种方法，所述方法包括：
选择性地将聚合物施加于支撑物上的图案化树脂的凹陷中；
将第一引物组接枝到在至少一些所述凹陷中的聚合物；以及
在接枝所述第一引物组之前或之后，将官能化珠沉积在i)所述至少一些所述凹陷中的各个凹陷的一部分中，或沉积在ii)具有比所述至少一些凹陷的开口尺寸更大的开口尺寸的第二凹陷中，所述官能化珠包括被附接在所述官能化珠的核心结构的表面的第二引物组，其中所述第一引物组和所述第二引物组不同。
39.如权利要求38中定义的方法，其中在沉积所述官能化珠之前，所述方法还包括通过将所述第二引物组附接至所述核心结构来形成所述官能化珠。
40.如权利要求38中定义的方法，其中：
所述至少一些所述凹陷中的各个凹陷的所述部分具有大于或等于各个所述官能化珠的直径的开口尺寸；
所述至少一些所述凹陷包括与所述部分互连的第二部分，其中所述第二部分具有小于各个所述官能化珠的直径的第二开口尺寸；和
所述官能化珠通过尺寸排阻自组装到所述至少一些凹陷中的各个凹陷的所述部分中。
41.如权利要求38中定义的方法，其中在选择性地施加所述聚合物之前，所述方法还包括通过以下在所述支撑物上形成所述图案化树脂：
将树脂沉积在所述支撑物上；和
使用纳米压印光刻术使所述树脂图案化。
42.一种流动池，包括：
支撑物；
所述支撑物上的图案化树脂，所述图案化树脂包括由间隙区域分隔的凹陷；
所述凹陷中的所述图案化树脂上的嵌段共聚物，所述嵌段共聚物的各个嵌段具有不同于所述嵌段共聚物的各个其它嵌段的嵌段特异性官能团的嵌段特异性官能团；和
引物，所述引物被附接至所述嵌段中的至少一个嵌段的所述嵌段特异性官能团。
43.如权利要求42中定义的流动池，其中所述图案化树脂选自由以下组成的组：笼状聚倍半硅氧烷树脂基树脂、环氧树脂、聚(乙二醇)树脂、聚醚树脂、丙烯酸树脂、丙烯酸酯树脂、甲基丙烯酸酯树脂及其组合。
44.如权利要求43中定义的流动池，其中所述图案化树脂是笼状聚倍半硅氧烷树脂基树脂，并且其中所述笼状聚倍半硅氧烷树脂基树脂是交联的环氧笼状聚倍半硅氧烷树脂树脂。
45.如权利要求43中定义的流动池，其中所述嵌段共聚物包含：
第一嵌段，所述第一嵌段包括具有氨基基团作为其嵌段特异性官能团的丙烯酰胺单体；和
第二嵌段，所述第二嵌段包括具有叠氮基基团作为其嵌段特异性官能团的叠氮基乙酰胺基戊基丙烯酰胺单体。
46.如权利要求45中定义的流动池，其中所述嵌段共聚物是：
其中r是氢或聚合物引发物质端基，n在从1至10,000的范围内，并且m在从1至10,000的范围内。
47.如权利要求43中定义的流动池，其中所述嵌段共聚物是：
其中n在从1至10,000的范围内，并且m在从1至10,000的范围内。
48.如权利要求42中定义的流动池，其中所述图案化树脂是无定形的氟聚合物。
49.如权利要求48中定义的流动池，其中所述嵌段共聚物包含：
第一嵌段，所述第一嵌段包括具有三氟甲基基团作为其嵌段特异性官能团的单体；和
第二嵌段，所述第二嵌段包括具有引物接枝官能团作为其嵌段特异性官能团的单体。
50.如权利要求42中定义的流动池，其中所述嵌段共聚物包含：
第一嵌段，所述第一嵌段包括具有引物接枝官能团作为其嵌段特异性官能团的单体；和
第二嵌段，所述第二嵌段包括调节相互作用参数以驱动所述第一嵌段和所述第二嵌段的相分离的单体。
51.如权利要求50中定义的流动池，其中：
所述引物接枝官能团是叠氮基基团；并且
所述第二嵌段的所述单体的所述嵌段特异性官能团选自由以下组成的组：氨基基团、醇基团、芳基基团和带电基团。
52.如权利要求42中定义的流动池，其中：
所述嵌段共聚物是包含第一嵌段、第二嵌段和第三嵌段的三元共聚物；
所述第一嵌段的所述嵌段特异性官能团被附接至所述图案化树脂；
所述第二嵌段的所述嵌段特异性官能团被附接至所述引物；并且
所述第三嵌段的所述嵌段特异性官能团被附接至不同于所述引物的另一种引物或被附接至酶。
53.如权利要求42中定义的流动池，其中：
所述嵌段共聚物是包含第一嵌段、第二嵌段和第三嵌段的三元共聚物；
所述第一嵌段的所述嵌段特异性官能团被附接至所述图案化树脂；
所述第二嵌段的所述嵌段特异性官能团被附接至所述引物；并且
所述第三嵌段的所述嵌段特异性官能团影响所述嵌段共聚物的表面自由能或影响所述嵌段共聚物的稳定性。
54.如权利要求42中定义的流动池，其中所述凹陷选自由井和沟槽组成的组。
55.如权利要求42中定义的流动池，其中所述图案化树脂和所述嵌段共聚物各自具有从25mn/m至50mn/m的范围内的表面自由能。
56.一种流动池，包括：
支撑物；
所述支撑物上的图案化笼状聚倍半硅氧烷树脂基树脂，所述图案化笼状聚倍半硅氧烷树脂基树脂包括由间隙区域分隔的凹陷；
在所述凹陷中的所述图案化笼状聚倍半硅氧烷树脂基树脂上的分离的嵌段共聚物，其中所述分离的嵌段共聚物的一个嵌段具有被附接至所述图案化笼状聚倍半硅氧烷树脂基树脂的官能团，并且所述分离的嵌段共聚物的另一个嵌段具有另一个官能团；和
被附接至所述另一个官能团的引物。
57.如权利要求56中定义的流动池，其中所述分离的嵌段共聚物选自由以下组成的组：
i)
其中n在从1至10,000的范围内，并且m在从1至10,000的范围内；和
ii)
其中r是氢或聚合物引发物质端基，n在从1至10,000的范围内，并且m在从1至10,000的范围内。
58.一种方法，所述方法包括：
使树脂图案化以形成包括由间隙区域分隔的凹陷的图案化树脂；
将包含嵌段共聚物的溶液引入所述图案化树脂，所述嵌段共聚物的各个嵌段具有不同于所述嵌段共聚物的各个其它嵌段的嵌段特异性官能团的嵌段特异性官能团；
将所述溶液暴露于溶剂蒸气退火，由此所述嵌段共聚物在所述凹陷中相分离并自组装；和
将引物接枝到所述嵌段中的至少一个嵌段的所述嵌段特异性官能团。
59.如权利要求58中定义的方法，其中使所述树脂图案化包括纳米压印光刻术。
60.如权利要求58中定义的方法，其中包含所述嵌段共聚物的所述溶液具有从0.04至0.30的范围内的flory-huggins相互作用参数。
61.如权利要求58中定义的方法，其中在接枝之前，所述方法还包括将所述图案化树脂暴露于固化工艺，所述图案化树脂包括所述凹陷中的相分离和自组装的嵌段共聚物。
62.一种方法，所述方法包括：
将第一官能化层施加于基底；
使所述第一官能化层图案化，从而形成被光致抗蚀剂覆盖的第一官能化区域；
将第二官能化层施加于所述光致抗蚀剂和所述基底的部分；
剥离所述光致抗蚀剂和其上的任何第二官能化层；
去除所述第二官能化层的一部分，从而形成邻接所述第一官能化区域的第二官能化区域；和
将第一引物组附接至所述第一官能化层或所述第一官能化区域，并且将第二引物组附接至所述第二官能化层或所述第二官能化区域，其中所述第一引物组不同于所述第二引物组。
63.如权利要求62中定义的方法，其中：
所述第一引物组的所述附接包括在施加所述第一官能化层之前将不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物预接枝到所述第一官能化层；并且
所述第二引物组的所述附接包括在施加所述第二官能化层之前将可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物预接枝到所述第二官能化层。
64.如权利要求62中定义的方法，其中：
所述第一引物组的所述附接包括在所述第一官能化层施加之后将不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物接枝到所述第一官能化层；并且
所述第二引物组的所述附接包括在所述第二官能化层施加之后将可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物接枝到所述第二官能化层。
65.如权利要求62中定义的方法，还包括：
分别将第一自组装单层沉积在所述第一官能化区域上，并且将第二自组装单层沉积在所述第二官能化区域上；
其中所述第一引物组的所述附接包括将不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物接枝到所述第一自组装单层；并且
其中所述第二引物组的所述附接包括将可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物接枝到所述第二自组装单层。
66.如权利要求62中定义的方法，其中所述去除包括：
将第二光致抗蚀剂施加于所述第一官能化区域和将成为所述第二官能化区域的所述第二官能化层的第二部分；和
蚀刻所述第二官能化层的所述部分。
67.如权利要求62中定义的方法，其中：
所述基底包括支撑物上的树脂；
所述树脂包括由间隙区域分隔的凹陷；
所述第一官能化区域在各个凹陷的第一部分上；
所述第二官能化层在各个凹陷的第二部分和间隙区域上；并且
所述去除包括从所述间隙区域抛光所述第二官能化层。
68.如权利要求62中定义的方法，其中：
所述基底包括支撑物上的树脂；
所述树脂包括由间隙区域分隔的多级凹陷；
所述第一官能化区域在各个多级凹陷的第一级；并且
在施加所述第二官能化层之前，所述方法还包括：
将牺牲层施加于所述光致抗蚀剂和所述树脂的部分；
从所述树脂的部分去除所述牺牲层；和
从所述多级凹陷去除所述树脂的一个区域，以产生邻接所述第一官能化区域的地区；并且
将所述第二官能化层施加于所述光致抗蚀剂上的牺牲层、施加于所述地区和施加于所述间隙区域。
69.一种方法，所述方法包括：
将第一光致抗蚀剂施加于基底，使得第一基底部分暴露；
将第一官能化层施加于所述光致抗蚀剂和所述第一基底部分；
剥离所述光致抗蚀剂和其上的任何第一官能化层，从而在所述第一基底部分上形成第一官能化区域；
将第二光致抗蚀剂施加于所述第一官能化区域和所述基底，使得邻接所述第一官能化区域的第二基底部分暴露；
将第二官能化层施加于所述第二光致抗蚀剂和所述第二基底部分；
剥离所述第二光致抗蚀剂和其上的任何第二官能化层，从而形成邻接所述第一官能化区域的第二官能化区域；以及
将第一引物组附接至所述第一官能化层或所述第一官能化区域，并且将第二引物组附接至所述第二官能化层或所述第二官能化区域，其中所述第一引物组不同于所述第二引物组。
70.如权利要求69中定义的方法，其中：
所述第一引物组的所述附接包括在施加所述第一官能化层之前将不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物预接枝到所述第一官能化层；并且
所述第二引物组的所述附接包括在施加所述第二官能化层之前将可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物预接枝到所述第二官能化层。
71.如权利要求69中定义的方法，其中：
所述第一引物组的所述附接包括在所述第一官能化层施加之后将不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物接枝到所述第一官能化层；并且
所述第二引物组的所述附接包括在所述第二官能化层施加之后将可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物接枝到所述第二官能化层。
72.如权利要求69中定义的方法，还包括：
分别将第一自组装单层沉积在所述第一官能化区域上，并且将第二自组装单层沉积在所述第二官能化区域上；
其中所述第一引物组的所述附接包括将不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物接枝到所述第一自组装单层；并且
其中所述第二引物组的所述附接包括将可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物接枝到所述第二自组装单层。
73.一种方法，所述方法包括：
将第一官能化层施加于基底，所述基底包括由间隙区域分隔的沟槽和各个所述沟槽的第一部分中的牺牲材料区域；
使所述第一官能化层图案化，从而在各个所述沟槽的第二部分中形成被光致抗蚀剂覆盖的第一官能化区域；
去除所述牺牲材料区域以暴露各个所述沟槽的所述第一部分；
将第二官能化层施加于所述间隙区域、所述第一部分和所述光致抗蚀剂；
剥离所述光致抗蚀剂和其上的任何第二官能化层；
从所述间隙区域去除任何第二官能化层，由此第二官能化区域保持在各个所述沟槽的所述第一部分中；
以至少基本上垂直于所述沟槽的空间上分隔的条带的图案施加第二光致抗蚀剂；
去除暴露在所述空间上分隔的条带之间的所述第一官能化区域和所述第二官能化区域的部分；
去除所述第二光致抗蚀剂；和
将第一引物组附接至所述第一官能化层或所述第一官能化区域，并且将第二引物组附接至所述第二官能化层或所述第二官能化区域，其中所述第一引物组不同于所述第二引物组。
74.如权利要求73中定义的方法，其中：
所述第一引物组的所述附接包括在施加所述第一官能化层之前将不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物预接枝到所述第一官能化层；并且
所述第二引物组的所述附接包括在施加所述第二官能化层之前将可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物预接枝到所述第二官能化层。
75.如权利要求73中定义的方法，其中：
所述第一引物组的所述附接包括在所述第一官能化层施加之后将不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物接枝到所述第一官能化层；并且
所述第二引物组的所述附接包括在所述第二官能化层施加之后将可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物接枝到所述第二官能化层。
76.如权利要求73中定义的方法，其中：
所述基底包括在各个所述沟槽的所述第二部分中的第二牺牲材料区域；
所述基底、所述牺牲材料区域和所述第二牺牲材料区域具有不同的蚀刻速率；并且
在施加所述第一官能化层之前，所述方法还包括从各个所述沟槽的所述第二部分去除所述第二牺牲材料区域。
77.如权利要求76中定义的方法，其中在去除所述第二牺牲材料区域之前，所述方法还包括通过以下形成所述牺牲材料区域和所述第二牺牲材料区域：
将牺牲材料施加于所述基底，所述基底包括由所述间隙区域分隔的沟槽；
去除所述牺牲材料的一部分，使得所述牺牲材料的区域保持直接邻接各个所述沟槽的各侧壁；
将第二牺牲材料施加于所述基底和所述牺牲材料区域；
去除所述第二牺牲材料的一部分，使得所述第二牺牲材料的区域保持直接邻接各个所述牺牲材料区域；和
施加材料以填充所述第二牺牲材料区域之间的任何空间。
78.如权利要求77中定义的方法，其中：
所述基底是多层基底；
所述沟槽被限定在所述多层基底的最外层中；并且
所述材料和所述最外层是相同的。
79.一种方法，所述方法包括：
将牺牲材料施加于包括由第一间隙区域分隔的凹陷的基底，其中各个凹陷包括由阶梯部分限定的深部分和浅部分，并且其中所述牺牲层部分地填充所述深部分；
顺序地去除所述牺牲层的一部分和所述基底的一部分以形成至少基本上与所述牺牲层的剩余部分齐平的第二间隙区域，并且去除所述阶梯部分以形成与所述牺牲层的剩余部分相邻的地区；
将第一官能化层施加于所述第二间隙区域、所述牺牲层的剩余部分、和所述地区；
将光致抗蚀剂施加于第一官能化层；
去除所述光致抗蚀剂的一部分和所述第一官能化层的下面部分，使得所述牺牲层的剩余部分和所述第二间隙区域暴露，并且其上具有所述光致抗蚀剂的第二部分的所述第一官能化层的部分保持在所述地区；
去除所述牺牲层的剩余部分以形成与所述第一官能化区域的所述部分相邻的第二地区；
将第二官能化层施加于所述地区，从而形成第二官能化区域；
剥离所述光致抗蚀剂的第二部分，从而形成第一官能化区域；以及
将第一引物组附接至所述第一官能化层或所述第一官能化区域，并且将第二引物组附接至所述第二官能化层或所述第二官能化区域，其中所述第一引物组不同于所述第二引物组。
80.如权利要求79中定义的方法，其中：
还将所述第二官能化层施加于所述光致抗蚀剂的第二部分和所述第二间隙区域；
用所述光致抗蚀剂的第二部分去除所述第二官能化层的第一部分；并且
所述方法还包括从所述第二间隙区域抛光所述第二官能化层。
81.如权利要求79中定义的方法，其中：
所述第一引物组的所述附接包括在施加所述第一官能化层之前将不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物预接枝到所述第一官能化层；并且
所述第二引物组的所述附接包括在施加所述第二官能化层之前将可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物预接枝到所述第二官能化层。
82.如权利要求79中定义的方法，其中：
所述第一引物组的所述附接包括在所述第一官能化层施加之后将不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物接枝到所述第一官能化层；并且
所述第二引物组的所述附接包括在所述第二官能化层施加之后将可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物接枝到所述第二官能化层。
83.一种方法，所述方法包括：
压印多层基底，所述多层基底包括：
支撑物；
所述支撑物上的第一官能化层；
所述第一官能化层上的第二官能化层；和
所述第二官能化层上的钝化层；
从而形成由所述钝化层的间隙区域分隔的特征，其中所述第一官能化层和所述第二官能化层中各自的区域在各个特征处暴露；
将第一引物组附接至所述第一官能化层或所述第一官能化区域，并且将第二引物组附接至所述第二官能化层或所述第二官能化区域，其中所述第一引物组不同于所述第二引物组。
84.如权利要求83中定义的方法，其中：
所述第一引物组的所述附接包括在所述第一官能化层被并入所述多层基底之前将不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物预接枝到所述第一官能化层；并且
所述第二引物组的所述附接包括在所述第二官能化层被并入所述多层基底之前将可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物预接枝到所述第二官能化层。
85.如权利要求83中定义的方法，其中：
所述第一引物组的所述附接包括将不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物接枝到各个凹陷中的所述第一官能化区域；并且
所述第二引物组的所述附接包括将可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物接枝到各个凹陷中的所述第二官能化区域。
86.一种方法，所述方法包括：
压印第一树脂以形成凹陷，所述凹陷包括由阶梯部分限定的深部分和浅部分，其中所述第一树脂位于牺牲层上，所述牺牲层位于第二树脂上；
蚀刻所述第一树脂的第一部分和所述牺牲层的所述深部分下面的部分，从而暴露所述第二树脂的一部分；
蚀刻所述阶梯部分，从而暴露所述牺牲层的第二部分；
将第一官能化层施加于所述第二树脂的所述部分以形成第一官能化区域；
去除所述牺牲层的第二部分，从而暴露所述第二树脂的第二部分；
将第二官能化层施加于所述第二树脂的第二部分以形成第二官能化区域；以及
将第一引物组附接至所述第一官能化层或所述第一官能化区域，并且将第二引物组附接至所述第二官能化层或所述第二官能化区域，其中所述第一引物组不同于所述第二引物组。
87.如权利要求86中定义的方法，其中：
在施加所述第二官能化层期间，所述第二官能化层被沉积在所述凹陷周围的间隙区域上，而不沉积在所述第一官能化区域上；并且
所述方法还包括从所述间隙区域抛光所述第二官能化层。
88.一种方法，所述方法包括：
将第一引物组附接至第一支撑结构；
将第二引物组附接至第二支撑结构，其中所述第二引物组和所述第二支撑结构不同于所述第一引物组和所述第一支撑结构；以及
将所述第一支撑结构和所述第二支撑结构加载在基底表面上，所述基底表面具有选择性地附接至所述第一支撑结构的多于一个的第一捕获位点和选择性地附接至所述第二支撑结构的多于一个的第二捕获位点。