用于有机光电器件的化合物、有机光电器件及显示器件的制作方法

文档序号:23305518发布日期:2020-12-15 11:35阅读:119来源:国知局
用于有机光电器件的化合物、有机光电器件及显示器件的制作方法

相关申请的引证

本申请要求2019年6月13日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2019-0070256的优先权和权益,其全部内容通过引证结合于此。

公开了一种用于有机光电器件(optoelectronicdevice,光电子器件,光电装置,光电子装置)的化合物、有机光电器件和显示器件。



背景技术:

有机光电器件是将电能转换为光能的器件,反之亦然。

有机光电器件可根据其驱动原理分类如下。一种是光电器件,其中激子由光能产生,分离成电子和空穴,并被转移到不同的电极以产生电能,且另一种是发光器件,其中电压或电流被提供给电极以从电能产生光能。

有机光电器件的实例可以是有机光电子器件、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机光导鼓。

其中,由于对平板显示器的需求增加,最近有机发光二极管(oled)引起了关注。有机发光二极管通过向有机发光材料施加电流将电能转换为光,并且有机发光二极管的性能可以受到设置在电极之间的有机材料的影响。



技术实现要素:

一个实施方式提供了一种能够实现具有高效率和长寿命的有机光电器件的用于有机光电器件的化合物。

另一个实施方式提供了一种包含所述化合物的有机光电器件。

又一个实施方式提供了一种包括有机光电器件的显示器件。

根据一个实施方式,提供了由化学式1表示的用于有机光电器件的化合物。

[化学式1]

在化学式1中,

l1至l3独立地为单键、或取代或未取代的c6至c20亚芳基,

ar1是取代或未取代的c6至c20芳基,

ar2和ar3独立地为取代或未取代的c6至c20芳基、取代或未取代的二苯并呋喃基或取代或未取代的二苯并噻吩基,

r1和r2独立地为氢、氘、氰基、卤素、c1至c10烷基、c6至c20芳基、c2至c20杂环基或其组合,并且

et由化学式a表示,

[化学式a]

其中,在化学式a中,

z1至z5独立地为n或c-la-ra

z1至z5中的至少一个是n,

la为单键、或取代或未取代的c6至c20亚芳基,

ra独立地为氢、氘、氰基、卤素、c1至c10烷基、c6至c20芳基、c2至c20杂环基或其组合,

ra独立地存在或其相邻基团彼此连接以形成取代或未取代的脂族、芳族或杂芳族单环,或取代或未取代的脂族、芳族或杂芳族多环,且

*是连接点。

根据另一个实施方式,有机光电器件包括彼此面对的阳极和阴极,以及设置在阳极和阴极之间的至少一个有机层,其中有机层包括用于有机光电器件的化合物。

根据另一个实施方式,提供了一种包括有机光电器件的显示器件。

可以实现具有高效率和长寿命的有机光电器件。

附图说明

图1和图2是显示根据实施方式的有机发光二极管的截面图。

<符号说明>

100、200:有机发光二极管

105:有机层

110:阴极

120:阳极

130:发光层

140:空穴辅助层

具体实施方式

在下文,详细描述本发明的实施方式。然而,这些实施方式是示例性的,本发明不限于此,并且本发明由权利要求的范围限定。

如本文所用,当未另外提供定义时,“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、卤素、羟基、氨基、取代或未取代的c1至c30胺基、硝基、取代或未取代的c1至c40甲硅烷基(silyl,硅烷基)、c1至c30烷基、c1至c10烷基甲硅烷基(alkylsilyl,烷基硅烷基)、c6至c30芳基甲硅烷基(arylsilyl,芳基硅烷基)、c3至c30环烷基、c3至c30杂环烷基、c6至c30芳基、c2至c30杂芳基、c1至c20烷氧基、c1至c10三氟烷基、氰基或其组合替代。

在本发明的一个实例中,“取代的”是指取代基或化合物中的至少一个氢被氘、c1至c30烷基、c1至c10烷基甲硅烷基、c6至c30芳基甲硅烷基、c3至c30环烷基、c3至c30杂环烷基、c6至c30芳基或c2至c30杂芳基替代。此外,在本发明的具体实例中,“取代的”是指取代基或化合物中的至少一个氢被氘、c1至c20烷基、c6至c30芳基或c2至c30杂芳基替代。此外,在本发明的具体实例中,“取代的”是指取代基或化合物中的至少一个氢被氘、c1至c5烷基、c6至c18芳基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基替代。此外,在本发明的具体实例中,“取代的”是指取代基或化合物中的至少一个氢被氘、c1至c5烷基、c6至c18芳基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基替代。此外,在本发明的具体实例中,“取代的”是指取代基或化合物中的至少一个氢被氘、甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、三苯基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基替代。

在本说明书中,“其相邻基团彼此连接以形成取代或未取代的脂族、芳族或杂芳族单环或多环”是指直接取代芳族环或杂芳族环的任何两个相邻的取代基连接形成另外的环。

例如,相邻的基团可以彼此连接以形成取代或未取代的芳族单环或多环附加环,或杂芳族单环或多环附加环。作为具体实例,在化学式a中,z1至z5可独立地为n或c-la-ra,其中相邻的ra彼此连接以形成例如,取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的菲咯啉基(phenanthrolinyl,二氮杂菲基)、取代或未取代的苯并呋喃嘧啶基或取代或未取代的苯并噻吩嘧啶基。

[化学式a]

如本文所用,当未另外提供定义时,“杂”是指一个官能团中包含一至三个选自n、o、s、p和si的杂原子且剩余是碳的基团。

在本说明书中,“芳基”是指包含至少一个烃芳族部分的基团,并且烃芳族部分的所有元素具有形成共轭的p-轨道,例如苯基、萘基等,两个或更多个烃芳族部分可以通过σ键连接,并且可以是例如联苯基、三联苯基、四联苯基(quarterphenyl)等,并且两个或更多个烃芳族部分直接或间接稠合以提供非芳族稠环,例如芴基。

芳基可包括单环、多环或稠环多环(即,共享相邻碳原子对的环)官能团。

在本说明书中,“杂环基”是杂芳基的一般概念,并且可包括至少一个选自n、o、s、p和si中的杂原子代替环状化合物中的碳(c),所述环状化合物例如芳基、环烷基、其稠环或其组合。当杂环基是稠环时,杂环基的整个环或每个环可以包括一个或多个杂原子。

例如,“杂芳基”可以指包括至少一个选自n、o、s、p和si的杂原子的芳基。两个或更多个杂芳基通过σ键直接连接,或当杂芳基包括两个或更多个环时,两个或更多个环可以稠合。当杂芳基是稠环时,各个环可包含一至三个杂原子。

更具体地,取代或未取代的c6至c30芳基可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的并四苯基(naphthacenyl)、取代或未取代的芘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的对三联苯基、取代或未取代的间三联苯基、取代或未取代的邻三联苯基、取代或未取代的基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的茚基、或其组合,但不限于此。

更具体地,取代或未取代的c2至c30杂环基可以是取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吡唑基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噁唑基、取代或未取代的噻唑基、取代或未取代的噁二唑基、取代或未取代的噻二唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的苯并噁嗪基、取代或未取代的苯并噻嗪基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩噁嗪基、取代或未取代的菲咯啉基、取代或未取代的苯并呋喃嘧啶基、取代或未取代的苯并噻吩嘧啶基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或取代或未取代的二苯并噻吩基、或其组合,但不限于此。

在本说明书中,空穴特性是指当施加电场时提供电子以形成空穴的能力,并且在阳极中形成的空穴可以容易地注入到发光层中并且由于根据最高占据分子轨道(homo)水平的导电特性在发光层中传输。

此外,电子特性是指当施加电场时接受电子的能力,并且阴极中形成的电子可以容易地注入到发光层中并且由于根据最低未占据分子轨道(lumo)水平的导电特性而在发光层中传输。

根据一个实施方式的用于有机光电器件的化合物由化学式1表示。

[化学式1]

在化学式1中,

l1至l3独立地为单键、或取代或未取代的c6至c20亚芳基,

ar1是取代或未取代的c6至c20芳基,

ar2和ar3独立地为取代或未取代的c6至c20芳基、取代或未取代的二苯并呋喃基或取代或未取代的二苯并噻吩基,

r1和r2独立地为氢、氘、氰基、卤素、c1至c10烷基、c6至c20芳基、c2至c20杂环基或其组合,并且

et由化学式a表示,

[化学式a]

其中,在化学式a中,

z1至z5独立地为n或c-la-ra

z1至z5中的至少一个是n,

la为单键、或取代或未取代的c6至c20亚芳基,

ra独立地为氢、氘、氰基、卤素、c1至c10烷基、c6至c20芳基、c2至c20杂环基或其组合,

ra独立地存在或其相邻基团彼此连接以形成取代或未取代的脂族、芳族或杂芳族单环,或取代或未取代的脂族、芳族或杂芳族多环,且

*是连接点。

由化学式1表示的化合物可以通过包含咔唑和在n方向上取代咔唑的et基团来实现双极性质,et基团是具有电子特性的取代基。

特别地,通过在咔唑的两个方向上取代芳基和胺结构以改善空穴传输性,进一步提高homo能级并确保更丰富的电子云,使得能够传输更多空穴和电子的材料可以开发为生产实现高效率、降低驱动电压并具有长寿命的有机发光二极管。

另外,可以通过在一个方向上直接取代咔唑的胺获得浅homo能级,并通过在另一个方向上取代咔唑的芳基来提高咔唑的电子和空穴传输能力,从而确保有机发光二极管具有进一步改善的寿命特性以及低驱动电压和高效率。

例如,et可以是取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的菲咯啉基、取代或未取代的苯并呋喃嘧啶基、取代或未取代的苯并噻吩嘧啶基或其组合。

例如,et可以是取代或未取代的三嗪基,并且在这种情况下,化学式1可以由化学式1a表示。

[化学式1a]

在化学式1a中,l1至l3、ar1至ar3、r1和r2与上述相同,并且la1和la2与l1至l3的定义相同。

在化学式1a中,ra1和ra2可以独立地为c6至c20芳基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。

la1和la2可以具体地为单键、或取代或未取代的亚苯基,并且

ra1和ra2可以具体地为苯基、联苯基、萘基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。

作为更具体的实例,et可以是组i的基团之一。

[组i]

在组i中,*是连接点。

例如,l2和l3可以独立地为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、或取代或未取代的亚萘基。

例如,ar2和ar3可独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或取代或未取代的二苯并噻吩基。

例如,l2和l3可独立地为单键、或取代或未取代的亚苯基。

例如,ar2和ar3可独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、或取代或未取代的萘基。

作为一个更具体的实例,*–l2-ar2和*–l3-ar3可独立地为组ii的取代基之一。

[组ii]

在组ii中,*是连接点。

在最具体的实施方式中,用于有机光电器件的化合物可由化学式1a表示。

在最具体的实施方式中,化学式1a的la1和la2可各自为单键。

在最具体的实施方式中,化学式1a的ra1和ra2可独立地为苯基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。

在最具体的实施方式中,ar1可为苯基或萘基。

在最具体的实施方式中,ar2和ar3可独立地为苯基、联苯基、萘基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。

r1和r2均可以是氢。

例如,用于有机光电器件的化合物可以是组1的化合物之一。

[组1]

在下文中,描述了应用上述化合物的有机光电器件。

有机光电器件可以是将电能转换成光能且反之亦然的任何器件,而没有特别限制,并且可以是例如有机光电子器件、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机光导鼓。

在本文,参考附图描述作为有机光电器件的一个实例的有机发光二极管。

图1和图2是显示根据实施方式的有机发光二极管的截面图。

参考图1,根据一个实施方式的有机发光二极管100包括彼此面对的阳极120和阴极110以及设置在阳极120和阴极110之间的有机层105。

阳极120可由具有大功函数的导体制成以帮助空穴注入,并且可以是例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阳极120可以是例如,金属,例如镍、铂、钒、铬、铜、锌、金等的金属或其合金;金属氧化物,例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)等;金属和氧化物的组合,例如zno和al或sno2和sb;导电聚合物,例如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩)(pedot)、聚吡咯和聚苯胺,但不限于此。

阴极110可由具有小功函数的导体制成以帮助电子注入,并且可以是例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阴极110可以是例如,金属,例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、钡等或其合金;多层结构材料如lif/al、lio2/al、lif/ca、lif/al和baf2/ca,但不限于此。

有机层105可包括发光层130,发光层130包括用于有机光电器件的上述化合物。

发光层130可以包括例如,上述用于有机光电器件的化合物,例如作为发光层的磷光主体的用于有机光电器件的化合物。

发光层可以包括组合物,该组合物还包含除了用于有机光电器件的上述化合物之外的至少一种化合物。

例如,它可以进一步包括掺杂剂,例如磷光掺杂剂,例如红色磷光掺杂剂。

掺杂剂是以少量与上述用于有机光电器件的化合物混合以引起发光的材料,并且通常是通过多次激发为三重态或更多重态而发光的诸如金属络合物的材料。掺杂剂可以是例如无机、有机或有机/无机化合物,并且可以使用其一种或多种类型。

掺杂剂的实例可以是磷光掺杂剂,且磷光掺杂剂的实例可以是包括ir、pt、os、ti、zr、hf、eu、tb、tm、fe、co、ni、ru、rh、pd或其组合的有机金属化合物。磷光掺杂剂可以是例如,由化学式z表示的化合物,但不限于此。

[化学式z]

lmx

在化学式z中,m是金属,l和x相同或不同,并且是与m形成络合物的配体。

m可以是例如,ir、pt、os、ti、zr、hf、eu、tb、tm、fe、co、ni、ru、rh、pd或其组合,并且l和x可以是例如双齿配体。

可以通过诸如化学气相沉积(cvd)的干膜形成方法来形成上述用于有机光电器件的化合物和/或其组合物。

参考图2,除了发光层130之外,有机发光二极管200还包括空穴辅助层140。空穴辅助层140进一步增加空穴注入和/或空穴迁移率,并且阻挡阳极120和发光层130之间的电子。空穴辅助层140可以是例如,空穴传输层、空穴注入层和/或电子阻挡层,并且可以包括至少一个层。

空穴辅助层140可包括例如,组a的化合物中的至少一种。

更具体地,空穴辅助层140可以包括在阳极120和发光层130之间的空穴传输层和在发光层130和空穴传输层之间的空穴传输辅助层,并且组a的化合物中的至少一种可以包括在空穴传输辅助层中。

[组a]

除了上述化合物之外,在us5061569a、jp1993-009471a、wo1995-009147a1、jp1995-126615a、jp1998-095973a中描述的公知化合物以及具有与其类似结构的化合物可以用作空穴传输辅助层。

另外,在本发明的实施方式中,有机发光二极管可以进一步包括电子传输层、电子注入层和空穴注入层作为图1或图2中的有机层105。

有机发光二极管100和200可以通过在基板上形成阳极或阴极,使用诸如真空沉积方法(蒸发)、溅射、等离子体电镀和离子电镀的干膜形成方法形成有机层,并在其上形成阴极或阳极来制造。

有机发光二极管可以应用于有机发光显示器件。

在下文,参考实施例更详细地说明实施方式。然而,这些实施例是示例性的,并且本发明的范围不限于此。

合成实施例1:化合物4的合成

[反应方案1]

步骤1:中间体1-a的合成

将1当量(eq)(30.3g)的1,4-二氯-2-硝基苯、1当量(31.3g)的4-联苯基硼酸、5mol%(9.1g)的pd(pph3)4和2当量(43.6g)的k2co3悬浮在310ml的四氢呋喃和220ml的蒸馏水中,然后在氮气流下回流并搅拌12小时。在反应完成时,将有机层用四氢呋喃和蒸馏水从其中萃取,用硫酸镁(mgso4)干燥并过滤,并将滤液减压浓缩。用二氯甲烷和己烷将其中产生的固体重结晶,得到37g(y=74%)的中间体1-a。

步骤2:中间体1-b的合成

将37g的中间体1-a和100g的三苯基膦悬浮在400ml的1,2-二氯苯中,然后在氮气流下回流并搅拌18小时。在反应完成时,萃取溶剂后,用200ml的丙酮将有机层重结晶,得到20g(y=61%)的中间体1-b。

步骤3:中间体1-c的合成

将20g的中间体1-b、23g的2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪和4.3g的nah(在矿物油中的60%分散体)悬浮在300ml的二甲基甲酰胺中,然后在氮气流下回流并搅拌。在反应完成时,将所得物在甲醇中沉淀并过滤以得到固体,并将固体溶于一氯苯中,进行二氧化硅过滤,然后重结晶,得到28g(y=76%)的中间体1-c。

步骤4:化合物4的合成

将1当量(13g)的中间体1-c、1当量(7.7g)的苯胺-(4-(2-萘基)苯基)、2当量(5.0g)的叔丁醇钠和0.03当量(0.7g)的pd2(dba)3悬浮在80ml的二甲苯中,并向其中加入0.09当量的三叔丁基膦,然后回流并搅拌12小时。在反应完成时,将有机层用甲苯和蒸馏水萃取,用硫酸镁干燥,并过滤,并将过滤的溶液在减压下浓缩。从其中除去有机溶剂后,将残余物溶于二氯苯,进行硅胶过滤,并用丙酮重结晶,得到17.2g(y=86%)的化合物4。lc-质量测量(理论值:767.92g/mol,测量值:m=768g/mol)。

合成实施例2:化合物8的合成

按照与合成实施例1的步骤4相同的方法获得18.7g(y=94%)的化合物8,不同之处在于使用1当量(12.1g)的中间体1-c和1当量(8.8g)的n-[4-(2-萘基)苯基][1,1'-联苯基]-4-胺。lc-质量测量(理论值:844.01g/mol,测量值:m=844g/mol)。

合成实施例3:化合物12的合成

按照与合成实施例1的步骤4相同的方法获得18.2g(y=91%)的化合物12,不同之处在于使用1当量(12.1g)的中间体1-c和1当量(8.8g)的n-[4-(2-萘基)苯基][1,1'-联苯基]-3-胺。lc-质量测量(理论值:844.01g/mol,测量值:m=844g/mol)。

合成实施例4:化合物18的合成

步骤1:中间体4-a的合成

按照与合成实施例1的步骤1相同的方法获得41.3g(y=83%)的中间体4-a,不同之处在于使用1当量(26.7g)的1,4-二氯-2-硝基苯和1当量(34.5g)的[4-(2-萘基)苯基]硼酸。

步骤2:中间体4-b的合成

将41.3g的中间体4-a和100g的三苯基膦悬浮在400ml的1,2-二氯苯中,然后在氮气流下回流并搅拌。在反应完成时,萃取溶剂,并用200ml丙酮将其中的有机层重结晶,得到25g的中间体4-b(y=66%)。

步骤3:中间体4-c的合成

将25g的中间体4-b、24.5g的2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪和4.6g的nah(在矿物油中的60%分散体)悬浮在300ml的二甲基甲酰胺中,然后在氮气流下回流并搅拌。在反应完成时,将所得物在甲醇中沉淀并过滤以得到固体,并将固体溶于1,2-二氯苯中,进行二氧化硅过滤,然后重结晶,得到32.6g(y=77%)的中间体4-c。

步骤4:化合物18的合成

将1当量(13.6g)的中间体4-c、1当量(7.2g)的苯胺-(4-(2-萘基)苯基)、2当量(4.7g)的叔丁醇钠、0.03当量(0.7g)的pd2(dba)3悬浮在80ml的二甲苯中,并向其中加入0.09当量的三叔丁基膦,然后回流并搅拌12小时。在反应完成时,将有机层用甲苯和蒸馏水萃取,用硫酸镁干燥,并过滤,并将过滤的溶液在减压下浓缩。除去有机溶剂后,将残余物溶于二氯苯,进行硅胶过滤,并用丙酮重结晶,得到18.0g(y=90%)的化合物18。lc-质量测量(理论值:817.97g/mol,测量值:m=818g/mol)。

合成实施例5:化合物43的合成

按照与合成实施例1的步骤4相同的方法获得13.7g(y=91%)的化合物43,不同之处在于使用1当量(10.7g)的中间体4-c和1当量(5.0g)的苯胺-(3-二苯并呋喃)。lc-质量测量(理论值:791.9g/mol,测量值:m=782g/mol)。

合成实施例6:化合物63的合成

步骤1:中间体6-a的合成

将17.7g的中间体1-b、21.5g的2-氯-4-苯基-6-[3-二苯并呋喃]-1,3,5-三嗪和3.0g的nah(在矿物油中的60%分散体)悬浮在250ml的二甲基甲酰胺中,然后在氮气流下回流并搅拌。在反应完成时,将所得物在甲醇中沉淀并过滤以得到固体,并将固体溶于1,2-二氯苯中,进行二氧化硅过滤,并重结晶,得到27.2g(y=91%)的中间体6-a。

步骤2:化合物63的合成

将1当量(10.5g)的中间体6-a、1当量(5.2g)的n-[4-(2-萘基)苯基]-苯基-4-胺、2当量(3.4g)的叔丁醇钠和0.03当量(0.48g)的pd2(dba)3悬浮在60ml的二甲苯中,并向其中加入0.09当量的三叔丁基膦,然后回流并搅拌12小时。在反应完成时,将有机层用甲苯和蒸馏水萃取,用硫酸镁干燥,并过滤,并将过滤的溶液在减压下浓缩。在除去有机溶剂后,将残余物溶于甲基吡咯烷酮中并重结晶,得到11.4g(y=76%)的化合物63。lc-质量测量(理论值:858.00g/mol,测量值:m=858g/mol)。

合成实施例7:化合物y-1的合成

步骤1:中间体7-a的合成

将1当量(6.6g)的3,6-二溴-9-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-9h-咔唑、1当量(30.3g)的苯基硼酸、5mol%(3.1g)的pd(pph3)4和2当量(15.0g)的k2co3悬浮在150ml的四氢呋喃和70ml的蒸馏水中,然后在氮气流下回流并搅拌12小时。在反应完成时,将有机层用四氢呋喃和蒸馏水萃取,用硫酸镁(mgso4)干燥并过滤,并将滤液减压浓缩。用一氯苯和己烷将其中产生的固体重结晶,得到22.7g(y=76%)的中间体7-a。

步骤2:化合物y-1的合成

将1当量(10.5g)的中间体7-a、1当量(6.0g)的双(4-联苯基)胺、2当量(3.6g)的叔丁醇钠和0.03当量(0.52g)的pd2(dba)3悬浮在60ml的二甲苯中,并向其中加入0.09当量的三叔丁基膦,然后回流并搅拌12小时。在反应完成时,将有机层用甲苯和蒸馏水萃取,用硫酸镁干燥,并过滤,并将滤液在减压下浓缩。除去有机溶液后,将残余物用甲基吡咯烷酮重结晶,得到10.9g(y=73%)的化合物y-1。lc-质量测量(理论值:793.95g/mol,测量值:m=794g/mol)。

合成实施例8:化合物y-2的合成

将1当量(11.2g)的3-溴-9-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-9h-咔唑、1当量(5.7g)的n-苯基-4-联苯胺、2当量(4.5g)的叔丁醇钠和0.03当量(0.64g)的pd2(dba)3悬浮在80ml的二甲苯中,并向其中加入0.09当量的三叔丁基膦,然后回流并搅拌12小时。在反应完成时,将有机层用甲苯和蒸馏水萃取,用硫酸镁干燥,并过滤,并将过滤的溶液在减压下浓缩。除去有机溶液后,将残余物溶于1,2-二氯苯中并重结晶,得到12.0g(y=80%)的化合物y-2。lc-质量测量(理论值:641.76g/mol,测量值:m=642g/mol)。

合成实施例9:化合物y-3的合成

步骤1:中间体9-a的合成

按照与合成实施例1的步骤1相同的方法获得32g(y=64%)的中间体9-a,不同之处在于使用1当量(42.5g)的1,5-二氯-2,4-二硝基苯和1当量(21.9g)的苯基硼酸代替1,4-二氯-2-硝基苯和4-联苯基硼酸。

步骤2:中间体9-b的合成

按照与合成实施例1的步骤2相同的方法,使1当量(32g)的中间体9-a反应,得到16.8g(y=63%)的中间体9-b。

步骤3:中间体9-c的合成

按照与合成实施例1的步骤3相同的方法,使1当量(16.8g)的中间体9-b反应,得到18.5g(y=58%)的中间体9-c。

步骤4:中间体9-d的合成

按照与合成实施例1的步骤1相同的方法获得11.5g(y=58%)的中间体9-d,不同之处在于使用1当量(18.5g)的中间体9-c和1当量(6.0g)的苯基硼酸。

步骤5:中间体9-e的合成

将1当量(11.5g)的中间体9-d和5当量(8.1g)的连二亚硫酸钠和2当量(15.0g)的k2co3悬浮在150ml的四氢呋喃、150ml的蒸馏水和150ml的乙醇中,然后在氮气流下回流并搅拌12小时。当反应完成时,将溶剂干燥、柱层析和纯化,然后用一氯苯和丙酮重结晶,得到9.0g(y=83%)的中间体9-e。

步骤6:化合物y-6的合成

将1当量(9g)的中间体9-e、2.5当量(9.3g)的碘苯、2当量(7.1g)的叔丁醇钠和0.03当量(0.5g)的pd2(dba)3悬浮在150ml的二甲苯中,并向其中加入0.09当量的三叔丁基膦,然后回流并搅拌12小时。在反应完成时,将有机层用甲苯和蒸馏水萃取,用硫酸镁干燥,并过滤,并将过滤的溶液在减压下浓缩。除去有机溶液后,将残余物溶于1,2-二氯苯中,然后重结晶,得到6.8g(y=68%)的化合物y-3。lc-质量测量(理论值:641.76g/mol,测量值:m=642g/mol)。

(有机发光二极管的制造)

实施例1

用蒸馏水洗涤涂有ito(氧化铟锡)作为厚的薄膜的玻璃基板。用蒸馏水洗涤后,用诸如异丙醇、丙酮、甲醇等的溶剂对玻璃基板进行超声波洗涤,干燥,然后移至等离子体清洗器中,通过使用氧等离子体清洗10分钟,并移至真空沉积室。将得到的ito透明电极用作阳极,将化合物a真空沉积在ito基板上以形成厚的空穴注入层,将化合物b在注入层上沉积为厚,并将化合物c沉积至厚以形成空穴传输层。在空穴传输层上,沉积化合物c-1到的厚度,以形成空穴传输辅助层。在空穴传输辅助层上,将化合物4用作主体,并通过真空沉积掺杂2wt%的[ir(piq)2acac]作为掺杂剂,以形成厚的发光层。随后,将化合物d和liq以1:1的比例同时真空沉积在发光层上,以形成厚的电子传输层,并通过在电子传输层上依次真空沉积liq达到厚和al达到厚形成阴极,从而制造有机发光二极管。

有机发光二极管具有五层有机薄层结构,如下:

ito/化合物a/化合物b/化合物c/化合物c-1/eml[化合物4:[ir(piq)2acac](2wt%)]/化合物d:liq/liq/al的结构。

化合物a:n4,n4'-二苯基-n4,n4'-双(9-苯基-9h-咔唑-3-基)联苯基-4,4'-二胺

化合物b:1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯-六腈(hat-cn)

化合物c:n-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-n-(4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基)-9h-芴-2-胺

化合物c-1:n,n-二([1,1'-联苯]-4-基)-7,7-二甲基-7h-芴并[4,3-b]苯并呋喃-10-胺

化合物d:8-(4-(4,6-二(萘-2-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹啉

实施例2至6

除了如表1中所述改变主体化合物以外,以与实施例1相同的方式制造每个有机发光二极管。

比较例1至3

除了如表1中所述改变主体化合物以外,以与实施例1相同的方式制造每个有机发光二极管。

评价

评估根据实施例1至6和比较例1至3的有机发光二极管的功率效率。

具体测量方法如下,且结果如表1所示。

(1)根据电压变化测量电流密度变化

关于在单元器件中流动的电流值测量所获得的有机发光二极管,同时使用电流-电压计(keithley2400)将电压从0v增加到10v,并且将测量的电流值除以面积以提供结果。

(2)取决于电压变化的亮度变化的测量

通过使用亮度计(minoltacs-1000a)测量亮度,同时有机发光二极管的电压从0v增加到10v。

(3)功率效率的测量

通过使用来自项目(1)和(2)的亮度、电流密度和电压(v)计算相同电流密度(10ma/cm2)下的功率效率(cd/a)。

(4)寿命测量

通过测量当电流效率(cd/a)降低至97%,同时亮度(cd/m2)保持为6,000cd/m2时的时间来获得结果。

(5)驱动电压的测量

使用电流-电压计(keithley2400)以15ma/cm2测量每个二极管的驱动电压以获得结果。

[表1]

参照表1,与根据比较例1至3的有机发光二极管相比,根据实施例1至6的有机发光二极管显示出显著改善的驱动电压、效率和寿命。

虽然已经结合目前被认为是实际示例性实施方式的内容描述了本发明,但应该理解,本发明不限于所公开的实施方式,但相反,旨在涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

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