技术特征：
1.一种聚芳硫醚砜基低介电常数膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)制备聚芳硫醚砜及其衍生物的溶液：将聚芳硫醚砜及其衍生物10～40重量份和溶剂80～150重量份于120～200℃溶解2～10h；2)预处理：将聚芳硫醚砜及其衍生物的溶液置于30～150℃的环境中处理1～12h；3)定型成膜：将预处理的聚芳硫醚砜及其衍生物置于凝固浴中浸泡处理2～72h，然后再烘干定型得聚芳硫醚砜及其衍生物膜；4)后处理：最后将定型后聚芳硫醚砜及其衍生物膜进行热压处理得聚芳硫醚砜基低介电常数膜。2.根据权利要求1所述的聚芳硫醚砜基低介电常数膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述溶剂选自：苯酚、四氯乙烷、浓硫酸、n
‑
甲基吡咯烷酮、1,3
‑
二甲基
‑2‑
咪唑啉酮、n,n
‑
二甲基甲酰胺、n,n
‑
二甲基甲酰胺或盐酸中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的聚芳硫醚砜基低介电常数膜的制备方法，其特征在于，步骤3)中，烘干指于60～100℃下干燥8～20h。4.根据权利要求1或2所述的聚芳硫醚砜基低介电常数膜的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述凝固浴为去离子、乙醇、乙醚或甲醇中的至少一种。5.根据权利要求1～4任一项所述的聚芳硫醚砜基低介电常数膜的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述热压处理指：于120～320℃，压力0～5mpa的条件下热压2～50min。6.一种聚芳硫醚砜基低介电常数膜，其特征在于，所述低介电常数膜采用权利要求1～5任一项所述的方法制得。7.聚芳硫醚砜基低介电常数膜的表面可直接粘结金属导电材料制得聚芳硫醚砜基复合材料，所述聚芳硫醚砜基低介电常数膜为采用权利要求1～5任一项所述的方法制得的膜。
技术总结
本发明涉及一种低介电常数聚芳硫醚砜基膜及其制备方法，属于高分子膜领域。本发明提供一种聚芳硫醚砜基低介电常数膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)制备聚芳硫醚砜及其衍生物的溶液；2)预处理；3)定型成膜；4)后处理。本发明以聚芳硫醚砜及其衍生物为基材，通过预处理、定型和后处理，制得了一种聚芳硫醚砜基低介电常数膜，所得膜具有较低的介电常数(介电常数在1.8～2.9)、较低的介电损耗(介电损耗为10
技术研发人员：卫志美 朱传人 杨杰 王孝军 龙盛如 张刚
受保护的技术使用者：四川大学
技术研发日：2021.07.09
技术公布日：2021/9/24