有机金属化合物和包括其的发光装置的制作方法

有机金属化合物和包括其的发光装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年3月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0030942号的优先权和权益，其全部内容通过引用由此并入。
技术领域
3.本公开涉及有机金属化合物和包括其的发光装置。


背景技术：

4.有机发光装置为自发射装置，其与本领域中的装置相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的适当的(例如，优异的)特性。
5.有机发光装置可包括位于基板上的第一电极，以及顺序堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。


技术实现要素：

6.根据一个或多个实施方式的方面涉及有机金属化合物和包括其的发光装置。
7.另外的方面将部分地在如下的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或可通过本公开呈现的实施方式的实践而认识到。
8.根据本公开的实施方式，
9.有机金属化合物由式1表示。
10.式1
(q1)、-p(＝o)(q1)(q2)和-p(＝s)(q1)(q2)，
20.r1至r4中的至少一个可选自未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
12-c
60
杂芳基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
12-c
60
单价非芳族稠合多环基团和未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
12-c
60
单价非芳族稠合杂多环基团，
21.r1至r6中的两个相邻取代基可任选地彼此键合，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
5-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
22.b1至b4可各自独立地为选自1至5的整数，
23.*和*'可各自指示与相邻原子的结合位点，并且
24.r
10a
可为：
25.氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基，
26.各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任何组合，
27.各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任何组合，或
[0028]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0029]
其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为氢，氘，-f，-cl，-br，-i，羟基，氰基，硝基，c
1-c
60
烷基，c
2-c
60
烯基，c
2-c
60
炔基，c
1-c
60
烷氧基，或各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合。
[0030]
根据本公开的另一实施方式，发光装置包括：
[0031]
第一电极，
[0032]
面向第一电极的第二电极，以及
[0033]
在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，
[0034]
其中夹层包括有机金属化合物。
[0035]
根据本公开的另一实施方式，
[0036]
电子设备包括发光装置。
附图说明
[0037]
本公开的某些实施方式的上述和其他方面、特征和增强将从结合附图的下述描述中更显而易见，在附图中：
[0038]
图1为根据实施方式的发光装置的结构的示意图；
[0039]
图2为根据本公开的实施方式的发光设备的截面图；并且
[0040]
图3为根据本公开的实施方式的发光设备的截面图。
具体实施方式
[0041]
现将更详细地参考实施方式，其示例在附图中示出，其中遍及本文，相同的附图标记指相同的元件。就此而言，本实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面通过参考图仅描述实施方式，以解释本描述的各方面。如本文使用，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表达“a、b和c中的至少一个”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，所有的a、b和c，或其变体。
[0042]
期望四齿pt基磷光材料的发射波长优化和材料稳定性改善。
[0043]
而且，磷光材料由于激态复合物形成而发射较长的波长，并且期望(或需要)通过增强配体和金属原子之间的结合力来改善寿命。另外，期望(或需要)具有改进的三重态金属中心态(3mc)的高材料稳定性的材料。
[0044]
根据实施方式的由式1表示的有机金属化合物如下。
[0045]
式1
[0046][0047]
在式1中，
[0048]
m1可为与四齿配体形成正方形平面结构的金属原子，
[0049]
环a1至环a4可各自独立地选自c
5-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基，
[0050]
l1至l4可各自独立地选自单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(r5)(r6)-*'、*-c(r5)＝*'、*＝c(r5)-*'、*-c(r5)＝c(r6)-*'、*-c(＝o)-*'、*-c(＝s)-*'、*-c≡c-*'、*-b(r5)-*'、*-n(r5)-*'、*-p(r5)-*'、*-si(r5)(r6)-*'和*-ge(r5)(r6)-*'，
[0051]
a1至a4可各自独立地选自0、1、2和3，其中a1至a4中的一个可为0，且当a1为0时，环
a1和环a2可以不彼此连接，当a2为0时，环a2和环a3可以不彼此连接，当a3为0时，环a3和环a4可以不彼此连接，并且当a4为0时，环a4和环a1可以不彼此连接，
[0052]
y1至y4可各自独立地选自碳原子(c)和氮原子(n)，
[0053]
b1至b4可各自独立地选自化学键、*-o-*'和*-s-*'，
[0054]
r1至r6可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
单价非芳族稠合多环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-b(q1)(q2)、-n(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)、-p(＝o)(q1)(q2)和-p(＝s)(q1)(q2)，
[0055]
r1至r4中的至少一个可选自未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
12-c
60
杂芳基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
12-c
60
单价非芳族稠合多环基团和未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
12-c
60
单价非芳族稠合杂多环基团，
[0056]
r1至r6中的两个相邻取代基可任选地彼此键合，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
5-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0057]
b1至b4可各自独立地为选自1至5的整数，
[0058]
*和*'可各自指示与相邻原子的结合位点，并且
[0059]r10a
可为：
[0060]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0061]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任何组合；
[0062]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任何组合；或
[0063]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0064]
其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合。
[0065]c12-c
60
杂芳基、c
12-c
60
单价非芳族稠合多环基团和c
12-c
60
单价非芳族稠合杂多环
基团为具有大空间位阻的取代基，并且式1中的r1至r4中的至少一个具有这样的具有大空间位阻的取代基。
[0066]
在实施方式中，式1中的m1为与四齿配体形成正方形平面结构的金属原子，并且式1中的r1至r4中的至少一个具有这样的具有大空间位阻的取代基。
[0067]
金属原子可通过与四齿配体形成络合物而形成正方形平面结构或四面体结构。
[0068]
在根据本公开的实施方式的由式1表示的有机金属化合物中，m1为与四齿配体形成正方形平面结构的金属原子。因为式1中的r1至r4中的至少一个具有具备大空间位阻的取代基，所以正方形平面结构不是指完整的(例如，完全的)平面结构。然而，根据本公开的实施方式的由式1表示的有机金属化合物不具有四面体结构。
[0069]
根据实施方式的由式1表示的有机金属化合物具有其中m1与四齿配体形成正方形平面结构，但是r1至r4中的至少一个具有大空间位阻的结构。因此，尽管根据实施方式的由式1表示的有机金属化合物具有正方形平面结构，但是堆叠并不光滑。例如，两个或更多个分子不容易形成堆叠结构。结果，过渡到解离路径的激态复合物(或激态分子)的数量可以减少。激态复合物的存在不仅拓宽了峰(例如，发射光谱的峰)，而且不会导致发光机制(例如，不会导致发光)。因此，当使用由式1表示的有机金属化合物时，由于激态复合物的数量减少，峰变得相对尖锐，从而能够例如在深蓝区中发射并增加发光效率。
[0070]
而且，具有大空间位阻的取代基可从上方阻挡pt-n键(该pt-n键是有机金属化合物的最弱的结合位点)(例如，阻挡pt-n键的形成)，并且可以抑制或减少吡啶和咔唑的c-n键的旋转和释放，从而导致3mc能量的增加。高3mc能量可以阻挡或减少非发光转变的机会，因此，由式1表示的有机金属化合物可以具有高效率和长寿命特性。
[0071]
在实施方式中，当b1为化学键时，y1和m1彼此直接键合，当b2为化学键时，y2和m1彼此直接键合，当b3为化学键时，y3和m1彼此直接键合，并且当b4为化学键时，y4和m1彼此直接键合。
[0072]
在实施方式中，b1至b4可各自为化学键，
[0073]
y2可为n，并且y2和m1之间的键可为配位键(例如，配位共价键或配价键)，
[0074]
y1、y3和y4可各自为c，y1和m1之间的键、y3和m1之间的键以及y4和m1之间的键中的一个可为配位键(例如，配位共价键或配价键)，并且其他的(例如，剩余的)可为共价键。
[0075]
在实施方式中，m1可选自铂(pt)、钯(pd)、铜(cu)、锌(zn)、银(ag)、金(au)、铑(rh)、铱(ir)、钌(ru)、铼(re)、锇(os)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)和铥(tm)。在实施方式中，m1可选自pt、pd、cu、ag和au。在实施方式中，m1可为pt。
[0076]
在实施方式中，环a1至环a4可各自独立地选自苯基、萘基、蒽基、菲基、薁基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、环戊二烯基、1,2,3,4-四氢萘基、呋喃基、噻吩基、噻咯基、茚基、芴基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、茚并吡啶基、吲哚并吡啶基、苯并呋喃并吡啶基、苯并噻吩并吡啶基、苯并噻咯并吡啶基、茚并嘧啶基、吲哚并嘧啶基、苯并呋喃并嘧啶基、苯并噻吩并嘧啶基、苯并噻咯并嘧啶基、二氢吡啶基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、2,3-二氢咪唑基、三唑基、2,3-二氢三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、吡唑并吡啶基、呋喃并吡唑基、噻吩并吡唑基、苯并咪唑基、2,3-二氢苯并咪唑基、咪唑并吡啶基、2,3-二氢
咪唑并吡啶基、呋喃并咪唑基、噻吩并咪唑基、咪唑并嘧啶基、2,3-二氢咪唑并嘧啶基、咪唑并吡嗪基、2,3-二氢咪唑并吡嗪基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、5,6,7,8-四氢异喹啉基和5,6,7,8-四氢喹啉基，
[0077]
在实施方式中，环a2可为包括至少一个n的6元环，并且环a1、环a3或环a4可包括包含至少两个n的5元环部分。
[0078]
包括至少一个n的6元环可为，例如，吡啶基。
[0079]
包含至少两个n的5元环部分可为，例如，咪唑部分。
[0080]
在实施方式中，r1至r4中的至少一个可由式2a表示：
[0081][0082]
其中，在式2a中，r
11
和r
12
可各自独立地选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基，
[0083]
l
11
可选自单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(r5)(r6)-*'、*-c(r5)＝*'、*＝c(r5)-*'、*-c(r5)＝c(r6)-*'、*-c(＝o)-*'、*-c(＝s)-*'、*-c≡c-*'、*-b(r5)-*'、*-n(r5)-*'、*-p(r5)-*'、*-si(r5)(r6)-*'和*-ge(r5)(r6)-*'，
[0084]
a11可为选自1至5的整数，其中，当a11为2或更大时，两个或更多个l
11
可彼此相同或独立地彼此不同；b11可为选自1至3的整数；b12可为选自1至4的整数；r5和r6各自与参照式1描述的相同，并且*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。
[0085]
在实施方式中，在式2a中，r
11
和r
12
可各自独立地选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基和c
1-c
60
烷基，并且l
11
可选自单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(r5)(r6)-*'和*-n(r5)-*'。
[0086]
在实施方式中，环a2可由式2-1(1)表示，并且
[0087]
环a1、环a3和环a4可各自独立地选自由式2-1(1)至式2-1(35)和式2-2(1)至式2-2(25)表示的基团：
[0088]
[0089]
[0090][0091]
其中，在式2-1(1)至式2-1(35)和式2-2(1)至式2-2(25)中，
[0092]y15
可为碳原子(c)或氮原子(n)，
[0093]
x
21
可为n或c(r
21
)，x
22
可为n或c(r
22
)，x
23
可为n或c(r
23
)，x
24
可为n或c(r
24
)，x
25
可为n或c(r
25
)，x
26
可为n或c(r
26
)，x
27
可为n或c(r
27
)，且x
28
可为n或c(r
28
)，
[0094]
x
29
可为c(r
29a
)(r
29b
)、si(r
29a
)(r
29b
)、n(r
29
)、o或s，
[0095]
x
30
可为c(r
30a
)(r
30b
)、si(r
30a
)(r
30b
)、n(r
30
)、o或s，
[0096]r21
至r
30
和r
25a
至r
30b
(例如，r
25a
至r
30a
和r
25b
至r
30b
)各自独立地与参照式1中的r1至r4描述的相同，
[0097]
*指示与b1、b2、b3或b4的结合位点，并且
[0098]
*'和*”各自指示与相邻原子的结合位点。
[0099]
在实施方式中，在式2-1(1)至式2-1(35)和式2-2(1)至式2-2(25)中，r
21
至r
30
和r29a
至r
30b
可各自独立地选自：氢、氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、c
1-c
20
烷基和c
1-c
20
烷氧基；
[0100]
各自被选自以下的至少一个取代的c
1-c
20
烷基和c
1-c
20
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、苯基和联苯基；
[0101]
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、菲基、蒽基、吡啶基、嘧啶基、咔唑基和三嗪基；以及
[0102]
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、菲基、蒽基、吡啶基、嘧啶基、咔唑基和三嗪基：氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、菲基、蒽基、吡啶基、嘧啶基、咔唑基和三嗪基。
[0103]
在实施方式中，在式2-1(1)至式2-1(35)和式2-2(1)至式2-2(25)中，r
21
至r
30
和r
29a
至r
30b
可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、苯基和吡啶基。
[0104]
在实施方式中，a1可为0，环a1可选自由式2-1(1)至式2-1(35)表示的基团，并且环a3和环a4可各自独立地选自由式2-2(1)至式2-2(25)表示的基团。
[0105]
在实施方式中，环a1可选自由式2-1(32)至式2-1(35)表示的基团，并且式2-1(32)至式2-1(35)中的r
29
可由式2a表示：
[0106][0107]
式2a与如上所述的相同。
[0108]
在实施方式中，由式1表示的有机金属化合物可由式2表示：
[0109]
式2
[0110][0111]
其中，在式2中，
[0112]
x
31
可为n或c(r
31
)，x
32
可为n或c(r
32
)，x
33
可为n或c(r
33
)，并且x
34
可为n或c(r
34
)，
[0113]r21
和r
31
至r
34
可各自独立地与参照式1中的r1至r6描述的相同，
[0114]
b21可选自1、2和3，
[0115]
环a'3可与参照式1中的环a1描述的相同，并且m1、环a1、环a4、l1、l3、l4、a1、a3、a4、y1、y3、y4、b1至b4、r1、r3、r4、b1、b3和b4可各自与参照式1分别描述的相同。
[0116]
在实施方式中，环a'3可为苯基或萘基部分。
[0117]
在实施方式中，式2中的r1可由式2a表示：
[0118][0119]
式2a与如上所述的相同。
[0120]
在实施方式中，在式2中，b2可为化学键，并且y1、y3和y4可各自为碳原子。本公开的有机金属化合物在n和m1之间具有相对高的键解离能，因此具有高分子刚性。
[0121]
在实施方式中，在式2中，r4和r
31
至r
33
可各自独立地为氢、氘、c
4-c
60
烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳基。
[0122]
r4和r
32
可各自独立地为烷基或芳基，各自具有大空间位阻，并且例如，可各自独立
地为叔丁基，叔戊基，新戊基，异戊基，仲戊基，3-戊基，仲异戊基，异己基，仲己基，叔己基，被c
2-c6烷基取代的苯基，联苯基，或三联苯基。
[0123]
因为具有大空间位阻的式2a取代了式2中的环a1，所以向解离路径转变的激态复合物(或激态分子)的数量减少，从而增加了效率(例如，发光效率)等，并且通过将具有大空间位阻的烷基或芳基取代了r4和r
32
位置，效果进一步增加(例如，增强)。
[0124]
然而，当r4和r
32
位置处的空间位阻太大时，在合成有机化合物的工艺中，金属原子与配体结合的步骤的反应不会很好地发生。
[0125]
在实施方式中，由式2表示的有机金属化合物的三重态金属中心态(3mc)的能级可为约0.45ev至约0.70ev。
[0126]
本公开的有机金属化合物通过包括具有大空间位阻的取代基(例如，式2a)而具有相对高的三重态金属中心态(3mc)的能级。本公开的有机金属化合物具有高的3mc能量，因此向离解路径转变的可能性减小，导致发光效率增加。
[0127]
在实施方式中，由式1表示的有机金属化合物可为下述化合物中的一种：
[0128][0129]
在实施方式中，发光装置包括：
[0130]
第一电极；
[0131]
面向第一电极的第二电极；以及
[0132]
位于第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，
[0133]
其中夹层包括由式1表示的有机金属化合物。在实施方式中，发光装置可为有机发光装置。
[0134]
在实施方式中，
[0135]
发光装置的第一电极可为阳极，
[0136]
发光装置的第二电极可为阴极，
[0137]
夹层可进一步包括第一电极和发射层之间的空穴传输区以及发射层和第二电极之间的电子传输区，
[0138]
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且
[0139]
电子传输区可包括空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。
[0140]
在实施方式中，发射层可为磷光发射层。
[0141]
在实施方式中，由式1表示的有机金属化合物可用于发射层中。
[0142]
在实施方式中，发射层可包括掺杂剂，并且掺杂剂可包括由式1表示的有机金属化合物。在实施方式中，掺杂剂可由由式1表示的有机金属化合物组成。
[0143]
在实施方式中，发射层可为蓝色发射层(例如，发射层可发射蓝光)。
[0144]
根据本公开的实施方式，电子设备包括薄膜晶体管和发光装置，其中薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层和栅电极，并且发光装置的第一电极可电连接到薄膜晶体管的源电极或漏电极。
[0145]
如本文使用的术语“夹层”指位于发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或多个层。包括于“夹层”中的材料不限于有机材料。例如，“夹层”可包括无机材料。
[0146]
图1的描述
[0147]
图1为根据本公开的实施方式的发光装置10的示意性截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0148]
下文，将参照图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[0149]
第一电极110
[0150]
在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极150上方。作为基板，可使用玻璃基板或塑料基板。在实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有适当的(例如，优异的)耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任何组合。
[0151]
第一电极110可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料而形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为可利于空穴注入的高功函数材料。
[0152]
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任何组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任何组合可用作用于形成第一电极110的材料。
[0153]
第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
[0154]
夹层130
[0155]
夹层130可位于第一电极110上。夹层130可包括发射层。
[0156]
夹层130可进一步包括第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及发射层和第二电极150之间的电子传输区。
[0157]
除了各种适当的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物(比如有机金属化合物)和/或无机材料(比如量子点)等。
[0158]
在实施方式中，夹层130可包括，i)顺序堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射单元，和ii)位于两个相邻发射单元之间的电荷生成层。当夹层130包括如上所述的发射单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。
[0159]
夹层130中的空穴传输区
[0160]
空穴传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同材料组成，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同材料。
[0161]
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。
[0162]
例如，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构，空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构，空穴注入层/发射辅助层结构，空穴传输层/发射辅助层结构，或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每种结构中，构成层从第一电极110以各自所述的次序顺序堆叠，但是本公开的实施方式不限于此。
[0163]
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：
[0164]
式201
[0165][0166]
式202
[0167][0168]
其中，在式201和式202中，
[0169]
l
201
至l
204
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0170]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0171]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，
[0172]
xa5可为选自1至10的整数，
[0173]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0174]r201
和r
202
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物ht16)，
[0175]r203
和r
204
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0176]
在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个：
[0177][0178]
在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
各自与本说明书中参照r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被本说明书中描述的至少一个r
10a
取代。
[0179]
在实施方式中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
[0180]
在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0181]
在实施方式中，式201可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0182]
在实施方式中，式201中的xa1可为1，r
201
可为由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且r
202
可为由式cy204至式cy207中的一个表示的基团。
[0183]
在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy203表示的基团。
[0184]
在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy203表示的基团，并且可包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0185]
在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy217表示的基
团。
[0186]
在实施方式中，空穴传输区可包括化合物ht1至ht46中的一种，m-mtdata，tdata，2-tnata，npb(npd)，β-npb，tpd，螺-tpd，螺-npb，甲基化的npb，tapc，hmtpd，4,4’,4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)，聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)，聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)，聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)，聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)，或其任何组合：
[0187]
[0188]
[0189]
[0190][0191]
[0192]
空穴传输区的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得适当的或令人满意的空穴传输特性。
[0193]
发射辅助层可通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少来自发射层的电子泄漏到空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。
[0194]
p-掺杂剂
[0195]
除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可均匀或非均匀分散于空穴传输区中(例如，以包括电荷产生材料(例如，由电荷产生材料组成)的单个层的形式)。
[0196]
电荷产生材料可为，例如，p-掺杂剂。
[0197]
在实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可为约-3.5ev或更小。
[0198]
在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含有元素el1和元素el2的化合物(待下面更详细地描述)或其任何组合。
[0199]
醌衍生物的实例可包括tcnq和/或f4-tcnq等。
[0200]
含氰基化合物的实例可包括hat-cn和/或由下式221表示的化合物等：
[0201][0202]
式221
[0203][0204]
在式221中，
[0205]r221
至r
223
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，并且
[0206]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为各自被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或其任何组合取代的c
1-c
20
烷基；或其任何组合。
[0207]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属、准金属或其组合，并且元素el2可为非金属、准金属或其组合。
[0208]
金属的实例可包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；和镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0209]
准金属的实例可包括硅(si)、锑(sb)和碲(te)。
[0210]
非金属的实例可包括氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。
[0211]
在实施方式中，含有元素el1和元素el2的化合物的实例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。
[0212]
金属氧化物的实例可包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)和铼氧化物(例如，reo3等)。
[0213]
金属卤化物的实例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0214]
碱金属卤化物的实例可包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。
[0215]
碱土金属卤化物的实例可包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0216]
过渡金属卤化物的实例可包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、卤化锆(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)和金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)。
[0217]
后过渡金属卤化物的实例可包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)和锡卤化物(例如，sni2等)。
[0218]
镧系金属卤化物的实例可包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。
[0219]
准金属卤化物的实例可包括锑卤化物(例如，sbcl5等)。
[0220]
金属碲化物的实例可包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)。
[0221]
夹层130中的发射层
[0222]
当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在一个或多个实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。
[0223]
发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。
[0224]
发射层可包括根据实施方式的由式1表示的有机金属化合物。
[0225]
在实施方式中，发光装置的发射层可包括至少一种有机金属化合物，发射层可进一步包括主体，并且发射层中包括的主体的量可大于发射层中包括的有机金属化合物的量。在实施方式中，基于100重量份的主体，有机金属化合物的量可为约0.01重量份至30重量份。在实施方式中，基于100重量份的主体，有机金属化合物的量可为约0.01重量份至15重量份。
[0226]
在实施方式中，发射层可包括有机金属化合物，并且发射层可发射蓝光。在实施方式中，最大发射波长为约440nm或更大且470nm或更小的蓝光可从发射层发射。有机金属化合物的最大发射波长为利用高斯09程序(可从gaussian,inc.,wallingford,ct获得)在b3lyp/lanl2dz作为函数和m062x&6-311g(d,p)作为基集的条件下，利用含时密度泛函理论(td-dft)方法通过量子模拟获得的值。
[0227]
发射层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当发射层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得适当的(例如，优异的)发光特性。
[0228]
主体
[0229]
主体可包括由下式301表示的化合物：
[0230]
式301
[0231]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
，
[0232]
其中，在式301中，
[0233]
ar
301
和l
301
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未
取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0234]
xb11可为1、2或3，
[0235]
xb1可为选自0至5的整数，
[0236]r301
可为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0237]
xb21可为选自1至5的整数，并且
[0238]q301
至q
303
各自独立地与参照q1描述的相同。
[0239]
在实施方式中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个ar
301
可经由单键彼此连接。
[0240]
在实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：
[0241]
式301-1
[0242][0243]
式301-2
[0244][0245]
其中，在式301-1和式301-2中，
[0246]
环a
301
至环a
304
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0247]
x
301
可为o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0248]
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
[0249]
l
301
、xb1和r
301
与本说明书中分别描述的相同，
[0250]
l
302
至l
304
各自独立地与参照l
301
描述的相同，
[0251]
xb2至xb4各自独立地与参照xb1描述的相同，并且
[0252]r302
至r
305
和r
311
至r
314
各自独立地与参照r
301
描述的相同。
[0253]
在实施方式中，主体可包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其组合。在实施方式中，主体可包括be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物、zn络合物或其组合。
[0254]
在一个实施方式中，主体可包括化合物h1至h124中的一种，9,10-二(2-萘基)蒽(adn)，2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)，9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)，4,4
′‑
双(n-咔唑基)-1,1
′‑
联苯(cbp)，1,3-二-9(咔唑基)苯(mcp)，1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)，或其任何组合，但是本公开的实施方式不限于此：
[0255]
[0256]
[0257]
[0258]
[0259]
[0260]
[0261][0262]
磷光掺杂剂
[0263]
磷光掺杂剂可包括根据本发明的实施方式的由式1表示的有机金属化合物。
[0264]
荧光掺杂剂
[0265]
荧光掺杂剂可包括芳胺化合物和/或苯乙烯胺化合物。
[0266]
在实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[0267]
式501
[0268][0269]
其中，在式501中，
[0270]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0271]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
[0272]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0273]
在实施方式中，式501中的ar
501
可包括其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。
[0274]
在实施方式中，式501中的xd4可为2。
[0275]
在实施方式中，荧光掺杂剂可包括化合物fd1至fd36中的一种，dpvbi，dpavbi，或其任何组合：
[0276]
[0277]
[0278]
[0279][0280]
延迟荧光材料
[0281]
发射层可包括延迟荧光材料。
[0282]
在本说明书中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。
[0283]
发射层中包括的延迟荧光材料可根据发射层中包括的其他材料的种类(例如，类型)而充当主体或掺杂剂。
[0284]
在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可大于或等于0ev且小于或等于0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足上述范围时，延迟荧光材料的三重态到单重态的上转换可有效地发生，因此，可改善发光装置10的发光效率。
[0285]
在实施方式中，延迟荧光材料可包括i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基和/或缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼(b)的同时稠合的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0286]
延迟荧光材料的实例可包括下述化合物df1至df9中的至少一种：
[0287][0288]
夹层130中的电子传输区
[0289]
电子传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同材料组成，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同材料。
[0290]
电子传输区可包括空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。
[0291]
在实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构，空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，电子控制层/电子传输层/电子注入层结构，或电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，构成层从发射层顺序堆叠。
[0292]
电子传输区(例如，电子传输区中的空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团。
[0293]
在实施方式中，电子传输区可包括由下式601表示的化合物：
[0294]
式601
[0295]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
，
[0296]
其中，在式601中，
[0297]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0298]
xe11可为1、2或3，
[0299]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0300]r601
可为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0301]q601
至q
603
各自独立地与参照q1描述的相同，
[0302]
xe21可为1、2、3、4或5，并且
[0303]
ar
601
、l
601
或r
601
中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团。
[0304]
在实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar
601
可经由单键彼此连接。
[0305]
在实施方式中，式601中的ar
601
可为取代的或未取代的蒽基。
[0306]
在实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：
[0307]
式601-1
[0308][0309]
其中，在式601-1中，
[0310]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0311]
l
611
至l
613
各自独立地与参照l
601
描述的相同，
[0312]
xe611至xe613各自独立地与参照xe1描述的相同，
[0313]r611
至r
613
各自独立地与参照r
601
描述的相同，并且
[0314]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0315]
在实施方式中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0316]
电子传输区可包括化合物et1至et45中的一种，2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)，alq3，balq，taz，ntaz，或其任何组合：
[0317]
[0318]
[0319][0320]
电子传输区的厚度可为约至约例如，约至约当电子传输区包括空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任何组合时，空穴阻挡层和电子控制层的厚度可各自独立地为约至约例如，约至约并且电子传输层的厚度可为约至约例如，约至约当空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得适当的或令人满意的电子传输特性。
[0321]
除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。
[0322]
含金属材料可包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碱金属络合物的金属离子可为li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可为be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属
离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。
[0323]
在实施方式中，含金属材料可包括li络合物。li络合物可包括，例如，化合物et-d1(liq)或et-d2：
[0324][0325]
电子传输区可包括利于电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可与第二电极150直接接触。
[0326]
电子注入层可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同材料组成，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同材料。
[0327]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。
[0328]
碱金属可包括li、na、k、rb、cs或其任何组合。碱土金属可包括mg、ca、sr、ba或其任何组合。稀土金属可包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任何组合。
[0329]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或碲化物，或其任何组合。
[0330]
含碱金属化合物可包括碱金属氧化物(比如li2o、cs2o和/或k2o)、碱金属卤化物(比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi和/或ki)或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)和/或ba
x
ca
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任何组合。在实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0331]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合作为与金属离子键合的配体。
[0332]
电子注入层可包括(例如，由下述组成)如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、
稀土金属络合物或其任何组合。在实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0333]
在实施方式中，电子注入层可包括(例如，由下述组成)i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；或ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。在实施方式中，电子注入层可为ki:yb共沉积层和/或rbi:yb共沉积层等。
[0334]
当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合可均匀或非均匀分散于包括有机材料的基质中。
[0335]
电子注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得适当的或令人满意的电子注入特性。
[0336]
第二电极150
[0337]
第二电极150可位于具有此类结构的夹层130上。第二电极150可为阴极(其为电子注入电极)，并且作为用于第二电极150的材料，可使用各自具有低功函数的金属、合金、电导性化合物或其任何组合。
[0338]
在实施方式中，第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0339]
第二电极150可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
[0340]
封盖层
[0341]
第一封盖层可位于第一电极110外侧(例如，在第一电极110的背向第二电极150的一侧上)，和/或第二封盖层可位于第二电极150外侧(例如，在第二电极150的背向第一电极110的一侧上)。在一个实施方式中，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以此叙述的次序顺序堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以此叙述的次序顺序堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以此叙述的次序顺序堆叠的结构。
[0342]
发光装置10的夹层130的发射层中产生的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层朝向外侧引导或提取，或发光装置10的夹层130的发射层中产生的光可通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层朝向外侧引导或提取。
[0343]
根据相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可增加外部发射效率。因此，发光装置10的光提取效率增加，使得发光装置10的发射效率可得到改善。
[0344]
第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括具有1.6或更大的折射率(在589nm的波长处)的材料。
[0345]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。
[0346]
第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括一种或多种碳环化合物、一种或多种杂环化合物、一种或多种含胺基化合物、一种或多种卟啉衍生物、一种或多
种酞菁衍生物、一种或多种萘酞菁衍生物、一种或多种碱金属络合物、一种或多种碱土金属络合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任何组合的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
[0347]
在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。
[0348]
在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物ht28至ht33中的一种，化合物cp1至cp6中的一种，β-npb，或其任何组合：
[0349][0350]
电子设备
[0351]
发光装置可包括在各种适当的电子设备中。在实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。
[0352]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在实施方式中，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。发光装置可与如上所述的相同。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如本文描
述的量子点。
[0353]
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
[0354]
像素限定层可位于多个子像素区域之间以限定多个子像素区域中的每一个。
[0355]
滤色器可包括(例如，进一步包括)多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的遮光图案。
[0356]
滤色器区域(或颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域，发射第二颜色光的第二区域，和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在实施方式中，滤色器区域(或颜色转换区域)可包括量子点。在实施方式中，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自进一步包括散射体(例如，光散射体)。
[0357]
在实施方式中，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三第一颜色光。就此而言，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可具有不同的最大发射波长。在实施方式中，第一光可为蓝光，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，并且第三第一颜色光可为蓝光。
[0358]
除了如上所述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极或漏电极可电连接到发光装置的第一电极或第二电极。
[0359]
薄膜晶体管可进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
[0360]
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。
[0361]
电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光被提取到外侧，同时(或同步)防止或基本上防止环境空气和水分渗透到发光装置中。密封部分可为包括透明玻璃基板和/或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0362]
根据电子设备的使用，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适当的功能层可另外位于密封部分上。功能层可包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过利用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。
[0363]
除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
[0364]
电子设备可应用于各种适当的显示器、光源、照明(例如，照明设备)、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事薄(或管理器)、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖仪、脉冲测量装置、脉冲波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种适当的测量工具、仪表(例
如，用于车辆、飞机和/或船只的仪表)和/或投影仪等。
[0365]
图2和图3的描述
[0366]
图2为根据本公开的实施方式的发光设备的截面图。
[0367]
图2的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部分(或封装层)300。
[0368]
基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可形成在基板100上。缓冲层210可防止或减少杂质渗透通过基板100，并且可在基板100上提供平坦的表面。
[0369]
tft可位于缓冲层210上。tft可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0370]
有源层220可包括无机半导体(比如硅或多晶硅)、有机半导体和/或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。
[0371]
用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可位于有源层220上，并且栅电极240可位于栅绝缘膜230上。
[0372]
夹层绝缘膜250位于栅电极240上。夹层绝缘膜250可位于栅电极240和源电极260之间以将栅电极240与源电极260绝缘，以及位于栅电极240和漏电极270之间以将栅电极240与漏电极270绝缘。
[0373]
源电极260和漏电极270可位于夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
[0374]
tft电连接到发光装置以驱动发光装置，并且可被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置可提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0375]
第一电极110可形成在钝化层280上。钝化层280可不完全覆盖漏电极270并且可暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110可连接到漏电极270的暴露部分。
[0376]
含有绝缘材料的像素限定层290可位于第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的区，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。在实施方式中，夹层130中的至少一些(例如，一个或多个)层可以以公共层的形式延伸超过像素限定层290的上部。
[0377]
第二电极150可位于夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。
[0378]
封装部分300可位于封盖层170上。封装部分300可位于发光装置上以保护发光装置免受水分和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，其包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x)
、氧化铟锡、氧化铟锌或其任何组合；有机膜，其包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油醚(age)等)或其组合；或无机膜和有机膜的组合。
[0379]
图3为根据本公开的实施方式的发光设备的截面图。
[0380]
图3的发光设备与图2的发光设备相同，只是遮光图案500和功能区400另外位于封装部分300上。功能区400可为i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色
转换区域的组合。在实施方式中，图3的发光设备中包括的发光装置可为串联发光装置。
[0381]
制造方法
[0382]
包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一个或多个适当的方法形成于特定区中。
[0383]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度下进行，这取决于待形成的层中待包括的材料和待形成的层的结构。
[0384]
术语的定义
[0385]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基”指仅由作为成环原子的碳原子组成且具有3至60个碳原子的环状基团，例如，c
5-c
60
碳环基，且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基”指具有1至60个碳原子并且除了碳原子之外进一步具有杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。在实施方式中，c
1-c
60
杂环基可具有3至61个成环原子。
[0386]
如本文使用的术语“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基。
[0387]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”指具有3至60个碳原子且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团，且如本文使用的术语“缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团”指具有1至60个碳原子且包括*-n＝*'作为成环部分的杂环基。
[0388]
在实施方式中，
[0389]c3-c
60
碳环基可为i)基团t1或ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，
[0390]c1-c
60
杂环基可为i)基团t2，ii)其中两个或更多个基团t2彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，
[0391]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可为i)基团t1，ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团，iii)基团t3，iv)其中两个或更多个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至
少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，c
3-c
60
碳环基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，
[0392]
缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团可为i)基团t4，ii)其中两个或更多个基团t4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，
[0393]
基团t1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，
[0394]
基团t2可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，
[0395]
基团t3可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0396]
基团t4可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0397]
如本文使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基”、“c
1-c
60
杂环基”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”或“缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团”各自指与任何环状基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团，这取决于该术语参照使用的式的结构。在实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基和/或亚苯基等，其可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构来容易理解。
[0398]
单价c
3-c
60
碳环基和单价c
1-c
60
杂环基的实例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，且二价c
3-c
60
碳环基和二价c
1-c
60
杂环基的实例可包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳c60
杂芳基。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子，以及1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的实例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基和萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。
[0409]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有彼此稠合的两个或更多个环、仅碳原子(例如，具有8至60个碳原子)作为成环原子，且当总体考虑时在其整个分子结构中无芳香性(例如，整个分子结构不为芳族)的单价基团，例如，c
12-c
60
单价非芳族稠合多环基团。单价非芳族稠合多环基团的实例可包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基、金刚烷基和茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指与单价非芳族稠合多环基团具有相同的结构的二价基团。
[0410]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有彼此稠合的两个或更多个环、除例如1至60个碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子，且当总体考虑时在其整个分子结构中无芳香性(例如，整个分子结构不为芳族)的单价基团，例如，c
12-c
60
单价非芳族稠合杂多环基团。单价非芳族稠合杂多环基团的实例可包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、氮杂金刚烷基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指与单价非芳族稠合杂多环基团具有相同的结构的二价基团。
[0411]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指由-oa
102
(其中a
102
为c
6-c
60
芳基)表示的单价基团，且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指由-sa
103
(其中a
103
为c
6-c
60
芳基)表示的单价基团。
[0412]
如本文使用的术语“c
7-c
60
芳基烷基”指由-a
104a105
(其中a
104
可为c
1-c
54
亚烷基，且a
105
可为c
6-c
59
芳基)表示的单价基团，且如本文使用的术语“c
2-c
60
杂芳基烷基”指由-a
106a107
(其中a
106
可为c
1-c
59
亚烷基，且a
107
可为c
1-c
59
杂芳基)表示的单价基团。
[0413]r10a
可为：
[0414]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0415]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任何组合；
[0416]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳
硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任何组合；或
[0417]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)，或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0418]
q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合；c
7-c
60
芳基烷基；或c
2-c
60
杂芳基烷基。
[0419]
如本文使用的术语“杂原子”指除碳原子之外的任何原子。杂原子的实例为o、s、n、p、si、b、ge、se及其任何组合。
[0420]
如本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)和/或金(au)等。
[0421]
如本文使用的术语“ph”指苯基，如本文使用的术语“me”指甲基，如本文使用的术语“et”指乙基，如本文使用的术语“tert-bu”或“bu
t”指叔丁基，且如本文使用的术语“ome”指甲氧基。
[0422]
如本文使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0423]
如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。“三联苯基”可为具有被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0424]
在该取代基定义部分中的碳原子的数量仅为示例。在实施方式中，c
1-c
60
烷基中的最大碳数60为示例，且烷基的定义同样适用于c
1-c
60
烷基。在实施方式中，c
12-c
60
杂芳基中的最小碳数12为示例，且杂芳基的定义同样适用于c
12-c
60
杂芳基。其他情况也一样。
[0425]
除非另外定义，否则如本文使用的*、*'和*”各自指与相应式或部分中的相邻原子的结合位点。
[0426]
下文，将参考合成例和实施例更详细地描述根据本公开的实施方式的化合物和发光装置。在描述合成例中使用的措辞“使用b代替a”指使用相同摩尔当量的b代替相同摩尔当量的a。
[0427]
实施例
[0428]
合成例1：合成化合物5
[0429][0430]
1)合成中间体[5-a]：
[0431]
将1-溴二苯并[b,d]呋喃、1-碘-2-硝基苯、pd2(dba)3、2-二环己基膦基-2
′
,6
′‑
二
甲氧基联苯(sphos)和叔丁醇钠添加至反应容器，悬浮于100ml的甲苯中，然后，在120℃下加热并搅拌4小时。反应终止后，向其添加300ml的蒸馏水，有机层用乙酸乙酯萃取，并且将萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗并用硫酸钠干燥。将所得产物进行柱色谱以获得中间体[5-a]。(产率为91％)
[0432]
2)合成中间体[5-b]：
[0433]
将合成的中间体[5-a]溶解于乙醇中并向其添加5当量的锡(sn)。在温度升至80℃的同时，向其添加浓盐酸水溶液并搅拌12小时。将混合物在室温下冷却，然后用氢氧化钠水溶液中和，随后用乙酸乙酯和蒸馏水萃取。将用硫酸镁干燥后得到的产物溶解于最少量的二氯甲烷中，然后向其添加正己烷用于固化。过滤所得固体并用水冲洗。干燥固体以获得中间体[5-b]。(产率为88％)
[0434][0435]
3)合成中间体[5-d]：
[0436]
将2-甲氧基咔唑、2-溴-4-叔丁基吡啶、碘铜(0.1当量)、磷酸钾(2.0当量)和l-脯氨酸(0.1当量)悬浮于100ml的二甲基甲酰胺溶剂中，然后，在120℃下加热并搅拌12小时。反应完成后，在减压下从中去除溶剂，并且有机层用二氯甲烷和蒸馏水萃取。有机层用蒸馏水冲洗三次，用硫酸镁干燥，过滤，然后在减压下浓缩。通过柱色谱纯化浓缩物以获得中间体[5-d]。(产率为75％)
[0437]
4)合成中间体[5-e]：
[0438]
将合成的中间体[5-d]溶解于乙酸中，并且向其添加溴酸水溶液。将反应混合物在120℃下加热并搅拌4小时。反应混合物在室温下冷却，并用2n氢氧化钠水溶液中和。过滤所得固体并用水冲洗。干燥固体以获得中间体[5-e]。产率为89％)
[0439]
5)合成中间体[5-f]：
[0440]
将合成的中间体[5-e]、1-叔丁基-3,5-二溴苯(1.0当量)、碘铜(0.1当量)、磷酸钾(2.0当量)和l-脯氨酸(0.1当量)悬浮于100ml的二甲基甲酰胺溶剂中，然后，在120℃下加热并搅拌12小时。反应完成后，在减压下从中去除溶剂，并且有机层用二氯甲烷和蒸馏水萃取。有机层用蒸馏水冲洗三次，用硫酸镁干燥，过滤，然后在减压下浓缩。通过柱色谱纯化浓缩物以获得中间体[5-f]。(产率为79％)
[0441][0442]
6)合成中间体[5-g]：
[0443]
将合成的中间体[5-f]、中间体[5-b]、pd2(dba)3、2-二环己基膦基-2
′
,6
′‑
二甲氧基联苯(sphos)和叔丁醇钠添加至反应容器，悬浮于100ml的甲苯中，然后，在120℃下加热并搅拌4小时。反应终止后，向其添加300ml的蒸馏水，有机层用乙酸乙酯萃取，并且将萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗并用硫酸钠干燥。将所得产物进行柱色谱以获得中间体[5-g]。(产率为88％)
[0444][0445]
7)合成中间体[5-h]：
[0446]
将合成的中间体[5-g]、原甲酸三乙酯和37％盐酸水溶液添加至反应容器，然后，在80℃下加热并搅拌12小时。反应终止后，将混合物在室温下冷却，过滤所得固体并用乙醚冲洗，然后干燥所冲洗的固体以获得中间体[5-h]。(产率为95％)
[0447]
8)合成中间体[5-i]：
[0448]
将合成的中间体[5-h]溶解于溶剂(其中甲醇和水以2:1的比率混合)中，并向其添加nh4pf6用于固化。将所得固体在室温下搅拌24小时，过滤，用乙醚冲洗，然后干燥以获得中间体[5-i]。(产率为99％)
[0449]
9)合成化合物5
[0450]
将中间体[5-i]、二氯(1,5-环辛二烯)铂和乙酸钠悬浮于300ml的1,4-二噁烷中，然后，在110℃下加热并搅拌72小时。反应终止后，将混合物在室温下冷却，向其添加250ml的蒸馏水，有机层用乙酸乙酯萃取，萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗并用硫酸镁干燥。将所得产物进行柱色谱以获得化合物5。(产率为28％)
[0451]
合成例2：合成化合物3
[0452]
化合物3以与化合物5的合成例中相同的方式合成，只是使用4-溴二苯并[b,d]呋喃代替1-溴二苯并[b,d]呋喃。
[0453]
合成例3：合成化合物4
[0454]
化合物4以与化合物5的合成例中相同的方式合成，只是使用1-碘-2-硝基苯-d4代替1-碘-2-硝基苯。
[0455]
合成例4：合成化合物6
[0456]
化合物6以与化合物5的合成例中相同的方式合成，只是使用1,3-二溴苯代替1-叔
丁基-3,5-二溴苯。
[0457]
合成例5：合成化合物10
[0458]
化合物10以与化合物5的合成例中相同的方式合成，只是使用1-溴二苯并[b,d]噻吩代替1-溴二苯并[b,d]呋喃。
[0459]
合成例6：合成化合物21
[0460]
化合物21以与化合物5的合成例中相同的方式合成，只是使用6-(叔丁基)-2-甲氧基咔唑代替2-甲氧基咔唑。
[0461]
合成例中合成的化合物的1h nmr和ms/fab示于表1中。
[0462]
除了表1中所示的化合物之外，其他化合物的合成方法可以由本领域技术人员通过参考上述合成途径和原料容易地认识到。
[0463]
表1
[0464][0465][0466]
评估例
[0467]
i)通过量子模拟测量在合成例中合成的化合物和相关领域化合物100、200和300中的每一种的三重态金属-配体电荷转移态(3mlct)的百分比，ii)最大发射波长(λ
maxsim
)，和iii)三重态金属中心态(3mc)的能级，并且其结果示于表2中。最大发射波长(λ
maxexp
)为通过实验测量的值。
[0468]
表2
[0469]
化合物3mlct(％)λ
maxsim
(nm)λ
maxexp
(nm)3mc(ev)314.44634580.49414.04674590.51513.74694560.55612.04784600.521014.24684550.592113.34694560.6210012.85085300.382008.84955100.2130014.84654600.41
[0470][0471]
参考表2，可以确认，根据本公开的实施方式的化合物的3mc值各自大于相关领域化合物100、200和300的3mc值。而且，这同样适用于3mlct(％)值。
[0472]
有机发光装置的制造
[0473]
实施例1
[0474]
作为阳极，将可获自康宁的15ω/cm2ito玻璃基板切成50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声5分钟，然后通过紫外射线辐射和向其暴露臭氧30分钟来清洁。然后，将玻璃基板装载到真空沉积设备上。
[0475]
将npd真空沉积在基板上以形成厚度为的空穴注入层，然后，将作为空穴传输化合物的tcta真空沉积在其上以形成厚度为的空穴传输层。
[0476]
将mcp和本公开的化合物5以99:1的重量比共沉积在空穴传输层上以形成厚度为的发射层。
[0477]
然后，将作为电子传输化合物的tspo1沉积在其上以形成厚度为的电子传输层。
[0478]
将作为卤化碱金属的lif以的厚度沉积在电子传输层上，然后，将al真空沉积以形成厚度为的阴极，以形成lif/al电极，从而完成有机发光装置的制造。
[0479][0480]
实施例2
[0481]
以与实施例1中相同的方式制造实施例2的有机发光装置，只是在形成发射层中，使用化合物3代替化合物5。
[0482]
实施例3
[0483]
以与实施例1中相同的方式制造实施例3的有机发光装置，只是在形成发射层中，使用化合物6代替化合物5。
[0484]
实施例4
[0485]
以与实施例1中相同的方式制造实施例4的有机发光装置，只是在形成发射层中，使用化合物10代替化合物5。
[0486]
实施例5
[0487]
以与实施例1中相同的方式制造实施例5的有机发光装置，只是在形成发射层中，使用化合物21代替化合物5。
[0488]
比较例1
[0489]
以与实施例1中相同的方式制造比较例1的有机发光装置，只是在形成发射层中，使用化合物100代替化合物5。
[0490]
比较例2
[0491]
以与实施例1中相同的方式制造比较例2的有机发光装置，只是在形成发射层中，使用化合物200代替化合物5。
[0492]
比较例3
[0493]
以与实施例1中相同的方式制造比较例3的有机发光装置，只是在形成发射层中，使用化合物300代替化合物5。
[0494]
为了评估实施例1至5和比较例1至3中制造的有机发光装置中的每一个的特性，测量其在10ma/cm2的电流密度下的驱动电压、效率和效率。
[0495]
利用源表(keithley instrument，2400系列)测量有机发光装置的驱动电压和电
流密度。
[0496]
表3
[0497][0498]
参考表3，确认了与根据比较例1至3制造的有机发光装置的结果相比，根据实施例1至5制造的有机发光装置显示出适当的(例如，优异的)结果。
[0499]
尽管根据实施方式的由式1表示的有机金属化合物具有正方形平面结构，但是由于在配体的特定位点引入了空间位阻的取代基，堆叠不太容易发生。结果，因此形成的激态复合物(或激态分子)的数量减小，并且因此发射的光的峰变得尖锐。
[0500]
应理解，本文描述的实施方式应仅被认为是描述性的，而不是为了限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参考图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。