技术特征：
1.一种含氮杂环二胺化合物，其特征在于，所述含氮杂环二胺化合物的结构式为：其中，x1、x2、x3、x4、x5、x6、x7、x8、x9、x
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均为碳原子，y1、y2均为氮原子，l1、l2分别独立地选自中的任一种。2.如权利要求1所述的含氮杂环二胺化合物，其特征在于，所述含氮杂环二胺化合物的结构式包括以下中的一种：结构式包括以下中的一种：3.一种如权利要求1～2任一所述的含氮杂环二胺化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将含氮杂环的二溴代物、对氨基苯乙炔、四三苯基膦钯、碘化亚铜、三乙胺溶于1,4-二氧六环中，通过sonogashira反应制备得到含氮杂环二胺化合物。4.一种聚酰亚胺前体，其特征在于，所述聚酰亚胺前体的结构式为：其中，ar1为为中的任一种；ar2为权利要求1～2中任一所述的含氮杂环二胺化合物除去nh2基后的取代基。5.一种如权利要求4所述的聚酰亚胺前体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将如权利要求1～2任一所述的含氮杂环二胺化合物加入至溶剂中，然后加入四羧酸二酐，经过缩聚反应即得聚酰亚胺前体；其中，所述四羧酸二酐包括均苯四甲酸二酐、4,4
’‑
氧双邻苯二甲酸酐、3,3’,4,4
’‑
联苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐、六氟二酐中的一种。6.如权利要求5所述的聚酰亚胺前体的制备方法，其特征在于，所述溶剂为极性溶剂，所述极性溶剂包括n,n-二甲基乙酰胺。7.一种聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的结构式为：其中，ar1为为中的任一种；ar2为权利要求1～2中任一所述的含氮杂环二胺化合物除去nh2基后的取代基。8.一种如权利要求7所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将权利要求5～6所述的制备方法制备得到的聚酰亚胺前体涂覆于基板上，经过固化即得聚酰亚胺薄膜。9.如权利要求7所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述固化具体包括：先
于90～110℃下烘焙3～7min，然后于200～250℃下固化30min～90min。10.一种如权利要求7所述的聚酰亚胺薄膜或权利要求8～9任一所述的制备方法制备得到的聚酰亚胺薄膜作为电子部件的绝缘材料、晶圆封装材料和半导体装置中的钝化膜材料、缓冲涂膜材料、层间绝缘膜材料、表面保护膜材料的应用。
技术总结
本发明提供了一种含氮杂环二胺化合物及其制备方法、聚酰亚胺前体、聚酰亚胺薄膜及其应用。本发明的含氮杂环二胺化合物，运用氮的碱性来降低亚胺化过程的活化能，从而降低固化温度，除此之外，在二胺化合物中设计入不饱和三键，可以通过热交联的形式提高聚合物的力学性能；本发明通过特定结构的含氮杂环二胺化合物合成得到的聚酰亚胺前体树脂，即使在250℃以下的低温固化条件下聚酰亚胺的酰亚胺环化反应(酰亚胺化)也能良好进行，能得到机械性能良好的树脂层。本申请由含氮杂环二胺化合物合成而得的聚酰亚胺树脂的完全固化所需温度明显低于常规聚酰亚胺薄膜，故可避免在高温固化时，根据装置而存在芯片的收率降低问题。根据装置而存在芯片的收率降低问题。
技术研发人员：王旷宇 张耀 李金辉 张国平 孙蓉
受保护的技术使用者：深圳先进电子材料国际创新研究院
技术研发日：2022.05.12
技术公布日：2022/7/12