经由多功能结构单元双给体官能化苝和萘单酰亚胺的迫位的制作方法
【专利说明】经由多功能结构单元双给体官能化茈和萘单酰亚胺的迫位
[0001] 本发明涉及萘和茈衍生物。
[0002] 许多萘和茈衍生物是重要的着色剂。除该传统应用之外，萘，和尤其是茈衍生物在 其他应用如有机场效应晶体管、有机发光器件、光伏器件如染料敏化太阳能电池OSC)和 静电干印复制法中受到了越来越多的关注。
[0003] 调整适于特种应用的萘和茈衍生物的设计和制备是一个活跃的研宄领域。
[0004] 已知用于制备在3, 4位具有拉电子集团如酰亚胺基或酸酐基以及在9, 10位具有 推电子基团如芳基的茈衍生物的方法不多。
[0005] 例如，Keerthi，A. ;Liu，Y. ;Wang，Q. ;Valiyaveettil，S. Chem. Eur. J. 2012,00 描 述了一种制备在3, 4位具有酰亚胺或酸酐基且在9, 10位具有取代芳基的茈衍生物的方法。 所述方法是不利的，因为其包括获得三种溴化茈衍生物的溴化步骤，因此该方法还需要分 离步骤以获得纯茈衍生物。此外，9和10位上的溴化还伴随着分别在1位、1和6位上的溴 化。因此，该方法不能获得在9和10位上的选择性溴化。
[0006] DE 1 154 799描述了如下制备在1，8位具有酸酐基且在4, 5位具有Br或C1的萘 衍生物的方法：
[0007]
【主权项】
1. 一种制备下式化合物的方法：
其中： n为0或1， Ri嘴R "相同或不同且选自NHR sw、佩叩12、OR3"、SR3"和R 315， 其中： R3W、R311、R312、R3"、r31 哺 R 315为 C 1_2。烧基、C 2_2。链締基、C 2_2。诀基、C 5_8环烧基、C e_i4芳 基或杂芳基， 其中： Ci_2。烧基、C 2-2。链締基、C 2-2。诀基和C日_8环烧基可被一个或多个选自苯基、NR WWRWII、 0-Rwi嘴S-R 的取代基取代，且 Ce-w芳基和杂芳基可被一个或多个选自Ci_i。烧基、nrw"iT5、o-rwi嘴s-rwu的取代基 取代， 其中R胃、RW11、R3"2、RW"、IT4、RW1S、RW1嘴R WU相同或不同且为C 1_1。烧基或苯基， 或者 Ri嘴R"-起选自如下组： ,
7 其中： L哺L2为C i_e亚烧基、C 6-14亚芳基或C i_e亚烧基-C 6-14亚芳基-C1-6亚烧基，R25为H、C 1_2。 烧基、C2_2。链締基、C 2_2。诀基或C 5_8环烧基、C 6_1巧基或杂芳基， 其中： Ci_2。烧基、C2-2。链締基、C2-2。诀基和〇日_8环烧基可被一个或多个选自苯基、NRSWVWI、 0-R3。3嘴S-R 3四的取代基取代，且 Ce-M芳基和杂芳基可被一个或多个选自C 1_1。烧基、NR wmR3"35、O-R3"3嘴S-R 3°37的取代基 取代， 其中rWW、护cm、护〇32、RScm、RScm、护〇35、护〇3嘴R 3〇37相同或不同且为C 1 1。烧基或苯基， L3为直接键、C i_e亚烧基、C e_i4亚芳基或C i_e亚烧基-C e_i4亚芳基-C i_e亚烧基， R"、Rie、R"、r18、r19、r20、r21和 R 22相同或不同且选自 H、F、C1、Br、I、CN、R 0R3W、SR3°2、
OC 做 R3W、C 做 0R3M或 nr 3呵306， 其中 RSW、RWI、R3。2、R3。3、R 3。4、RW哺 R we为 C 1_2。烧基、C 2_2。链締基、C 2_2。诀基、C 5_8环烧 基、Ce_i4芳基或杂芳基， 其中： Ci_2。烧基、C 2-2。链締基、C 2-2。诀基和C日_8环烧基可被一个或多个选自苯基、NR 3°°化胃、 0-R胃、S-R胃、N02、CN和面素的取代基取代，且 Ce_i4芳基和杂芳基可被一个或多个选自C 1_1。烧基、NR wmrsws、o-rww、S-R胃、N02、CN和 面素的取代基取代， 其中R胃、R胃、R胃、R胃、rWM、rWW、RSW嘴R胃相同或不同 且为。_1。烧基或苯基， 或者 R"和R I9-起，分别地，R 1S和R W-起为：
其中： 於6、R2哺R 28为H、C 1_2。烧基、C 2-2。链締基、C 2-2。诀基、C日_8环烧基、C日_1巧基或杂芳基， 其中： 。_2。烧基、C 2_2。链締基、C 2_2。诀基和C 5_8环烧基可被一个或多个选自苯基、C00M 1、SO3MI、 P03M\ N02、CN和面素的取代基取代，且 Ce_i4芳基或杂芳基可被一个或多个选自C 1_1。烧基、C00M 1、SO3M1、PO3M1、N02、CN和面素的 取代基取代， 其中Ml为H、碱金属或N巧胃RW21R3°22RW23)， 其中Rww、Rwu、R3。2嘴R 3°23相同或不同且为C 1_1。烧基， 或者 R2郝R28与单元NT^N一起形成可被一个或多个选自C00M2、S03M2、P03M2、N02、CN和面 素的取代基取代的5或6元环， 其中M2为H、碱金属或N巧wmrwssrwwrw")， 其中Rwm、R3。25、R3。2嘴R 相同或不同且为C 1_1。烧基， 所述方法包括用 a) M30H，其中 M3为碱金属、N 化 4wR4°iR4°2R4° 3)、P (R4°V°iR4°2R4°3)或脈离子， 其中IT、RW1、IT和R4。3相同或不同且选自H、C 1_2。烧基和C 6_1巧基， 其中：
Ci_2。烧基可被苯基取代，且 Ce_i^基可被C 1_1。烧基取代， b) 酸 和 c) X-给体，其中X为C1、化或I， 处理下式化合物：
其中： n具有对式（3)所述的含义， R哺R W相同或不同且为COOH或COOR29， 其中R29为C 1_2。烧基、C 2-2。链締基、C 2-2。诀基、C日_8环烧基、C日_1巧基或杂芳基， 其中： Ci_2。烧基、C2-2。链締基、C2-2。诀基和〇日_8环烧基可被一个或多个选自苯基、NR 2°1化2°11、 0-R胃和S-RW"的取代基取代，和 Ce-w芳基和杂芳基可被一个或多个选自Ci_i。烧基、NRW"lT5、〇-ir嘴s-rwu的取代基 取代， 其中於010、於011、於01嘴32013、於014、於01 5、於01嘴^^2017相同或不同且为〔11。烧基或苯基， 或者 R哺R W-起为；
Ri、R2、r3、R\ r5、r6、r7和 R 8相同或不同且选自 H、F、C1、Br、I、CN、R 〇r2w、SR2°2、0C (0) R2W、"〇)ORW^NRW5r2〇6， 其中 RW。、RWI、R2。2、R2。3、R 2。4、rw 哺 R we 为 c 1_2。烧基、C 2_2。链締基、C 2_2。诀基、C 5_8 环烧 基、Ce_i^基或杂芳基， 其中： Ci_2。烧基、C2-2。链締基、C2-2。诀基和〇日_8环烧基可被一个或多个选自苯基、NRWWrWW、 O-IT"、s-rww、n〇2、CN和面素的取代基取代，且 Ce_i4芳基和杂芳基可被一个或多个选自C 1_1。烧基、NR wmrww、o-rww、S-R胃、n〇2、CN和
面素的取代基取代， 其中於000、於001、於002、於003、於004、於005、於006和R W07相同或不同且为C 11。烧基或苯基， 或者 R嘴R 5-起，分别地，R哺R 6-起为；
其中RW为C 1_2。烧基、C 2-2。链締基、C 2-2。诀基、C日_8环烧基、C日_1巧基或杂芳基， 其中： Ci_2。烧基、C 2-2。链締基、C 2-2。诀基和C日_8环烧基可被一个或多个选自苯基、NO 2、CN和面 素的取代基取代，且 Ce_M芳基和杂芳基可被一个或多个选自C 1_1。烧基、NO 2、CN和面素的取代基取代， 从而获得下式化合物的步骤：
其中： n具有对式（3)所述的含义， X具有对X-给体所述的含义， Rl、R2、R3、R\ R5、R6、护、r8、Rll和R 12具有对式似所述的含义。
2. 根据权利要求1的方法，其中R 9和R W-起为；
3. 根据权利要求1或2的方法，其中R 1哺R 12-起为；
4. 根据权利要求1-3中任一项的方法，其中n为1。
5. 根据权利要求4的方法，其中R 1、R2、R哺R8为H，且R 3、R4、R哺R6相同或不同且选 自 H、F、C1、Br、I、CN、R2w、0R2w、SR2°2、0C 做 r2w、C (0) 0R2m或 nr 2呵206， 其中 R2。。、於。1、R2。2、R2。3、R 2。4、R2。哺 R 2。6为 C 1_2。烧基、c 2_2。链締基、c 2_2。诀基、c 日_8环烧基 或Ce_i4芳基， 其中： Ci_2。烧基、C2-2。链締基、C2-2。诀基和〇日_8环烧基可被一个或多个选自苯基、NRWWrWW、 O-IT"、s-rww、n〇2、CN和面素的取代