吲哚鎓化合物以及使用了该化合物的光学记录材料的制作方法
【专利说明】吲哚鐺化合物以及使用了该化合物的光学记录材料
[0001] 本申请是申请日为2008年9月26日、中国专利申请号为200880102660. 3、发明名 称为"吲哚鑰化合物以及使用了该化合物的光学记录材料"（PCT/JP2008/067514号国际申 请进入中国国家阶段）的发明专利的分案申请。
技术领域
[0002] 本发明涉及主要应用于光学记录材料等的新型吲哚鑰化合物以及含有该吲哚鑰 化合物而形成的光学记录材料，具体而言，涉及利用激光等将信息加工成信息图案来进行 记录的光学记录介质中使用的光学记录材料，更具体而言，涉及可以利用具有紫外以及可 见区域的波长且低能量的激光等进行高密度的光学记录和再生的光学记录介质中使用的 光学记录材料。
【背景技术】
[0003] 光学记录介质一般具有记录容量大、记录或再生以非接触的方式进行等优良的特 征，因而广泛普及。WORM、⑶-R、DVD ± R等追记型光盘是将激光聚集在记录层的微小面积上， 改变光学记录层的性状来进行记录，并根据记录部分与未记录部分的反射光量的不同来进 行再生。
[0004] 在550nm~620nm的范围内具有高强度吸收的化合物、特别是在550nm~620nm 具有最大吸收（Amax)的化合物被用作形成DVD-R等光学记录介质的光学记录层的光学记 录材料。
[0005] 作为上述光学记录材料，具有吲哚环的吲哚鑰化合物由于具有灵敏度高、能应对 记录高速化的优点，所以报道的例子很多。例如，在专利文献1~6中报道了苯乙烯基吲哚 鑰化合物。另外，在专利文献7中报道了在吲哚环的3位引入苄基而形成的低温分解性的 花青化合物，在专利文献8中报道了在吲哚环的3位引入苄基而形成的吲哚鑰化合物。人 们认为在低温下分解的化合物易于形成光学记录层的记录部分（凹坑），因此适合高速记 录介质。
[0006] 但是，这些材料在耐热性、耐光性和记录特性方面还没有取得令人满意的性能。
[0007] 专利文献1 :日本特开平11-34489号公报
[0008] 专利文献2 :日本特开平11-170695号公报
[0009] 专利文献3 :日本特开2001-342366号公报
[0010] 专利文献4 :日本特开2002-206061号公报
[0011] 专利文献5 :日本特开2003-313447号公报
[0012] 专利文献6 :日本特开2003-321450号公报
[0013] 专利文献7 :日本特开2003-231359号公报
[0014] 专利文献8 :日本特开2006-150841号公报
【发明内容】
[0015] 因此，本发明的目的在于提供耐热性和耐光性高、且显示出适合高速光学记录用 途的热分解行为的吲哚鑰化合物以及含有该吲哚鑰化合物而形成的光学记录材料。
[0016] 本发明人等经过反复研宄，结果发现具有特定的阳离子结构的吲哚鑰化合物作为 光学记录材料显示出良好的热分解行为，从而完成了本发明。
[0017] 本发明通过提供下述通式（I )表示的吲哚鑰化合物来实现上述目的。
[0018]
[0019] (式中，环A表示苯环或萘环，R1表示下述通式（II )或下述通式（III)表示的基 团，R2表示碳原子数为1~30的有机基团、下述通式（II )或下述通式（III)表示的基团， Y1表示氢原子、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为6~20的芳基或碳原子数为7~20 的芳基烷基，Z 1表不可以被卤素基取代或者可以被-〇-、-CO-、-OCO-或-COO-中断的碳原 子数为1~8的烷基、具有碳原子数为1~8的烃基的磺酰基、具有碳原子数为1~8的烃 基的亚磺酰基、具有碳原子数为1~8的烷基的烷基氨基、具有碳原子数为1~8的烷基的 二烷基氨基、下述通式（III)表示的基团、氰基、硝基、羟基或卤素基，Z 2表示可以被卤素基 取代或者可以被-〇_、-C0-、-0C0-或-C00-中断的碳原子数为1~8的烷基、具有碳原子 数为1~8的烃基的磺酰基、具有碳原子数为1~8的烃基的亚磺酰基、下述通式（III)表 示的基团、氰基、硝基、羟基或卤素基，多个Z 2之间可以键合形成环结构，a表示0~6的整 数，b表示0~5的整数，Antr表示q价的阴离子，q表示1或2, p表示保持电荷为中性的 系数。）
[0020]
[0021] (式中，G与T之间的键为双键、共轭双键或三键，
G表示碳原子，T表示碳原子、氧 原子或氮原子（其中，当T为氧原子时，y和z为0,当T为氮原子时，y+z为0或I) ;w表示 0~4的数，X、y和z表示0或1，R' R°2、R°3以及R °4分别独立地表示氢原子、羟基、硝基、 氰基、卤原子、可以被卤原子取代的碳原子数为1~4的烷基或可以被卤原子取代的碳原子 数为1~4的烷氧基，R tl1和R °4可以键合形成环烯环或杂环。）
[0022]
[0023] (式中，Ra~R 别独立地表示氢原子或碳原子数为1~4的烷基，该烷基中的 亚甲基可以被-O-或-CO-取代，Q表示直接键合或可以具有取代基的碳原子数为1~8的 亚烷基，该亚烷基中的亚甲基可以被-0-、-S-、-CO-、-coo-、-0C0-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NH C〇-、-N = CH-或-CH = CH-取代，M 表示 Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、 Pd、Rh、Pt 或 Ir。）
[0024] 另外，本发明还通过提供上述通式（I )表示的吲哚鑰化合物是下述通式（IV ) 表示的化合物的吲哚鑰化合物来实现上述目的。
[0025]
[0026] (式中，环A、R2、Y1、Z1、Z2、a、b、An q'p和q与上述通式（I )中的定义相同，R3、 R4和R5分别独立地表示卤原子、羟基、硝基、氰基、可以被卤原子取代的碳原子数为1~4的 烷基或可以被卤原子取代的碳原子数为1~4的烷氧基。）
[0027] 另外，本发明还通过提供在基体上形成有光学记录层的光学记录介质的所述光学 记录层的形成中使用的、含有上述吲哚鑰化合物中的至少1种而形成的光学记录材料来实 现上述目的。
[0028] 另外，本发明还通过提供以在基体上具有由上述光学记录材料形成的光学记录层 为特征的光学记录介质来实现上述目的。
【具体实施方式】
[0029] 以下，结合优选实施方式，对本发明的吲哚鑰化合物以及含有该吲哚鑰化合物而 形成的光学记录材料进行详细说明。
[0030] 首先，对上述通式（I )和（IV )表示的吲哚鑰化合物进行说明。
[0031] 上述通式（I )和上述通式（IV)中，在环A表示的苯环或萘环的取代基Z1和Z 2 表示的、可以被卤素基取代或者可以被-〇-、-C0-、-0C0-或-coo-中断的碳原子数为1~ 8的烷基中，卤素基的取代位置以及-0-、-C0-、-0C0-或-C00-的中断位置是任意的，也包 括-0-、-C0-、-0C0-或-C00-与环A直接键合的情况。
[0032] 作为上述碳原子数为1~8的烷基，例如可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基、丁 基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、庚基、异庚基、叔庚基、正 辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、一氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、三氟甲基、五氟乙基、 甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异丁氧基、戊氧基、异戊 氧基、叔戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、异庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、异辛氧基、叔 辛氧基、2-乙基己氧基、一氯甲氧基、二氯甲氧基、三氯甲氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、 2- 羟基乙氧基、2-甲基-2-羟基乙氧基、1-甲基-2-羟基乙氧基、3-羟基丙氧基、2-(2-羟 基乙氧基）乙氧基、2-甲氧基乙氧基、2- 丁氧基乙氧基、2-甲基-2-甲氧基乙氧基、1-甲 基-2-甲氧基乙氧基、3-甲氧基丙氧基、2-(2-甲氧基乙氧基）乙氧基、乙酰基、丙酮基、丁 烷-2-酮-1-基、丁烷-3-酮-1-基、环己烷-4-酮-1-基、三氯乙酰基、三氟乙酰基、乙酰 氧基、乙烧幾氧基、丙烷幾氧基、丁烧幾氧基、二氣乙醜氧基等。另外，作为Z 1和Z 2表不的 磺酰基或亚磺酰基所具有的碳原子数为1~8的烃基，例如可以列举甲基、乙基、丙基、异丙 基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、环己基甲基、2-环己 基乙基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基等烷基；乙烯基、1-甲 基乙條