镜图和能谱分析。扫描电 镜结果表明，实验组在含巧儀培养基下中形成的矿物沉淀的表面形貌除了楠圆形和无规则 矿物之外，还出现大量的长柱状矿物（图9中a和b)，有大量外表有皱權的菌体聚集在矿物 表面上（图9中a和b)，当附着在矿物上的菌体的长轴正好平行于长柱状矿物的长轴时，矿 物就会在有菌体附着的部位产生平行于长轴的凹陷，菌体则嵌在凹陷的部位，可见菌体的 存在诱导产生了长柱状矿物晶体，同时菌体也会附着在晶体的表面。对图9中a黑色方框 选中的矿物进行能谱分析，结果表明该矿物主要含C、0和化运Ξ种元素（图9中C)，说明 形成的矿物为化C〇3,此外矿物还含有少量的Si元素和Mg元素（图9中C)，Mg元素可能是 由于溶液中高浓度的Mg2+附着在矿物上形成的，Si元素可能来源于载物台，因为扫描电镜 的载物台主要成分就是单晶娃。对图9中b黑色方框选中的长柱状矿物进行能谱分析，该 矿物主要含C、0和Mg运Ξ种元素，说明形成的矿物为MgC〇3,此外矿物还含有少量的化和 Si元素（图9中d)，化元素可能是由于溶液中高浓度的Ca2+附着在矿物表面导致的，Si元 素可能来源于载物台，因为扫描电镜的载物台主要成分就是单晶娃。可见，实验组在含巧儀 培养基下中形成的矿物为化C〇3和MgCO3。
[0141] 实验组在含巧儀培养基戊中形成的矿物沉淀与实验组在含巧儀培养基下中形成 的矿物沉淀的扫描电镜图和能谱分析基本相同。
[0142]S、矿物沉淀的高分辨率透射电镜（Hi曲ResolutionTransmissionElectron Microscopy,HRTEM)和纳米区域电子衍射联合分析
[0143] 取实施例4步骤5中培养12天的各培养基底部沉淀，置于1. 5mL离屯、管，静置 5min，弃上清液，然后每个离屯、管中各加入ImL的蒸馈水进行洗涂，静置5分钟，弃上清， 洗涂Ξ次，W除去各种盐离子，然后将沉淀用玛瑶研鉢充分研磨，加入无水乙醇悬浮，进行 HRTEM和纳米区域电子衍射联合分析。
[0144] 实验结果如下：
[0145] 实验组在含巧儀培养基甲中形成的矿物的晶面距离d值（A)为1.171U1. 3502、 1. 2938和1. 4258(图10中a)，运一实验结果与PDF#24-0027卡片数据中方解石的晶面间距 1. 1778、1. 3553、1. 2950和1. 4168十分相近，因此所对应的晶面指数分别为（0114)、（217)、 (128)和（0012)，表明该矿物为方解石。实验组在含巧儀培养基甲中形成的矿物还有另外 一种，该矿物的晶面距离d值(基)为3. 5036、4. 1162和5. 8041(图10中b)，运一实验结果 与PDF#72-1616卡片数据中球靈石晶面间距3. 4966、4. 1730和5. 8147十分相近，因此所对 应的晶面指数分别为（104)、（103)和（101)，表明第二种矿物为球靈石。可见，实验组在含 巧儀培养基甲中形成的矿物为方解石和球靈石。
[0146] 实验组在含巧儀培养基乙中形成的矿物的晶面距离d值（A)为2. 4859、2. 4220、 2. 6457和2. 9145(图10中C)，运一实验结果与PDF#83-1923卡片数据中单水方解石的晶 面间距2. 4905、2. 4247、2. 6384和2. 9091十分接近，因此所对应的晶面指数分别为（221)、 (103)、（220)和（022)，表明该矿物是单水方解石。
[0147] 实验组在含巧儀培养基丙中形成的矿物的晶面距离d值CA)为2. 3728、2. 4232、 2. 5526和2. 9249(图10中d)，运一实验结果与PDF#83-1923卡片数据中单水方解石的晶 面间距2. 370U2. 4247、2. 5476和2. 9091十分相近，因此所对应的晶面指数分别为（032)、 (103) (212)和（022)，表明该矿物是单水方解石。
[0148] 实验组在含巧儀培养基下中形成的矿物的晶面距离d值（A)为1.7836J. 0819、 2. 1836和2. 3737(图10中e)，运一实验结果与PDF#70-1433卡片数据中Ξ水菱儀矿的晶 面间距1. 7833、2. 0726、2. 1840和2. 3726十分接近，因此所对应的晶面指数分别为（206)、 (-222)、（-214)和（204)，表明该矿物为Ξ水菱儀矿。实验组在含巧儀培养基下中形成的矿 物还有另外一种，该矿物的的晶面距离d值（A)为3. 4899、3. 9162和5. 8203(图10中f)， 运一实验结果与PDF#83-1923卡片数据中单水方解石晶面间距3. 4869、3. 9087和5. 8183 十分相近，因此所对应的晶面指数分别为（012)、（201)和（101)，表明第二种矿物为单水方 解石。可见，实验组在巧儀培养基下中形成的矿物为Ξ水菱儀矿和单水方解石。
[0149] 实验组在含巧儀培养基戊中形成的矿物的晶面距离d值(1)为2. 0312、2. 0754、 2. 2003和2. 2677(图10中g)，运一实验结果与PDF#70-1433卡片数据中Ξ水菱儀矿的晶 面间距2. 0202、2. 0726、2. 2020和2. 2726十分接近，因此所对应的晶面指数分别为（006)、 (-222)、（220)和（311)，表明该矿物为Ξ水菱儀矿。实验组在含巧儀培养基戊中形成的矿 物中同样还有另外一种，该矿物的的晶面距离d值(Α)为2. 8136、3. 4478和5. 2679(图10 中h)，运一实验结果与PDF#83-1923卡片数据中单水方解石的晶面间距2. 8249、3. 4544和 5. 2768十分相近，因此所对应的晶面指数分别为（031)、（120)和（110)，表明第二种矿物为 单水方解石。可见，实验组在巧儀培养基戊中形成的矿物为Ξ水菱儀矿和单水方解石。
[0150] 综上所述，实验组在含巧儀培养基甲、含巧儀培养基乙和含巧儀培养基丙中形成 的矿物包括方解石、球靈石和单水方解石，均为化C〇3,即矿物的主要组成元素为化、C和0， 运一结论正好与步骤一中邸X分析结果吻合；实验组在含巧儀培养基下和含巧儀培养基戊 中形成的矿物包括Ξ水菱儀矿和单水方解石，即矿物的主要组成元素为MgXa、C和0,运一 结论也与步骤一中邸X的分析结果相吻合。
【主权项】
1. 地衣芽孢杆菌（Bacilluslicheniformis)SRB3,其在中国微生物菌种保藏管理委员 会普通微生物中心的保藏编号为CGMCCNo. 10971。2. -种菌剂，其特征在于：所述菌剂的活性成分为权利要求1所述的地衣芽孢杆菌 (Bacilluslicheniformis)SRB3CGMCCNo. 10971。3. 权利要求 1 所述地衣芽孢杆菌（Bacilluslicheniformis)SRB3CGMCCNo. 10971、或 权利要求2所述菌剂在脱除钙离子和/或镁离子中的应用。4. 权利要求1所述地衣芽抱杆菌（1^(3；[11118 1;[(311611丨;1^〇1'111丨8)31?13306]\0^1^〇.10971、或 权利要求2所述菌剂在脱除水中钙离子和/或镁离子中的应用。5. 权利要求 1 所述地衣芽孢杆菌（Bacilluslicheniformis)SRB3CGMCCNo. 10971、或 权利要求2所述菌剂在沉降钙离子和/或镁离子中的应用。6. 权利要求 1 所述地衣芽孢杆菌（Bacilluslicheniformis)SRB3CGMCCNo. 10971、或 权利要求2所述菌剂在沉降水中钙离子和/或镁离子中的应用。7. -种获得方解石和/或球霰石的方法，包括如下步骤：向含有0. 005~0. 015mol/ LCa2+的液相体系中加入权利要求1所述地衣芽孢杆菌（Bacilluslicheniformis) SRB3CGMCCNo. 10971。8. -种获得单水方解石的方法，包括如下步骤：向含有0. 005~0. 015mo1/LCa2+ 和0. 05~0. 20mol/LMg2+的液相体系中加入权利要求1所述地衣芽孢杆菌（Bacillus licheniformis)SRB3CGMCCNo. 10971。9. 一种获得三水菱镁矿的方法，包括如下步骤：向含有0. 10~0. 20mol/LMg2+的 液相体系中加入权利要求1所述地衣芽孢杆菌（Bacilluslicheniformis)SRB3CGMCC No.10971。10. 如权利要求7至9任一所述的方法，其特征在于： 所述含有〇. 005~0. 015mol/LCa2+的液相体系、所述含有0. 005~0. 015mol/LCa2+和 0. 05~0. 20mol/LMg2+的液相体系或所述含有0. 10~0. 20mol/LMg2+的液相体系中均含 有碳酸根离子和/或碳酸氢根离子。
【专利摘要】本发明公开了一株脱除钙离子和镁离子的细菌及其用途。本发明所提供的脱除钙离子和镁离子的细菌是地衣芽孢杆菌(Bacillus？licheniformis)SRB3，其在中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心的保藏编号为CGMCC？No.10971。本发明提供的地衣芽孢杆菌(Bacillus？licheniformis)SRB3，CGMCC？No.10971在沉降钙离子和镁离子中起至关重要的作用，在硬水软化方面具有广阔的应用前景。CGMCC No.1097120150610
【IPC分类】C12N1/20, C12P3/00, C12R1/10, C02F3/34
【公开号】CN105368756
【申请号】CN201510932679
【发明人】韩作振, 闫华晓, 赵辉, 韩梅, 赵延洋, 孙彬, 孟瑞瑞, 庄定祥, 陆凌雪, 李雯君, 秦志远
【申请人】山东科技大学
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年12月14日