后将描述运种本发明的树脂组合物。
[0103] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，就抑制弯曲变形和/或提高尺寸稳定性 而言，在约+40°C的溶剂沸点至约+100°C的溶剂沸点，更优选约+60°C的溶剂沸点至约+80°C 的溶剂沸点，甚至更优选约巧〇°C的溶剂沸点的溫度下，对树脂膜A进行热处理。在本公开内 容的一个或多个实施方案中，就抑制弯曲变形和/或提高尺寸稳定性而言，该步骤[1-B]中 的热处理的溫度在约200°C至250°C的范围内。在本公开内容的一个或多个实施方案中，就 抑制弯曲变形和/或提高尺寸稳定性而言，该步骤[1-B]中的加热时间（持续时间)在大于约 1分钟但小于约30分钟的范围内。
[0104] 此外，其中树脂膜A形成在基体构件500上的该步骤[1-B]可包括在干燥和加热树 脂组合物之后使树脂膜A固化的步骤。使树脂膜A固化的溫度取决于加热设备的性能，但是 优选地在220°C至420°C的范围内，更优选地在280°C至400°C的范围内，还更优选地在330°C 至370°C的范围内，并且甚至更优选地高于340°C或者在340°C至370°C的范围内。使树脂膜A 固化的时间（持续时间）优选地在5分钟至300分钟的范围内，并且更优选地在30分钟至240 分钟的范围内。
[0105] [2]然后，在设置在所获得的基底中的树脂膜A上形成薄膜晶体管BW对应于待形 成的像素。此后，在树脂膜A上形成平坦化层301W覆盖每个薄膜晶体管B。
[0106] [2-A]首先，在树脂膜A上形成每个薄膜晶体管B。
[0107] [2-Aa]首先，在树脂膜A上形成导电膜。此后，通过对导电膜进行图案化处理形成 栅电极200。
[0108] 可通过用瓣射法等将金属材料例如侣、粗、钢、铁、鹤等供应至树脂膜A上来进行导 电膜在树脂膜A上的形成。
[0109] [2-Ab]然后，在树脂膜A上形成栅绝缘层201W覆盖栅电极200。
[0110] 该栅绝缘层201使用例如TE0S(四乙氧基硅烷）、氧气、氮气等作为原料气体(源气 体）用等离子体CVD法形成。通过使用运种等离子体CVD法，可W形成由二氧化娃或氮化娃 (其为栅绝缘层201的主要材料)构成的栅绝缘层201。
[0111] [2-Ac]然后，再次在栅绝缘层201上形成导电膜。此后，通过对栅绝缘层201上的导 电膜进行图案化处理形成源电极202和漏电极204。
[0112] 导电膜在栅绝缘层201上的形成可通过使用与步骤[2-Aa]中所述的相同方法来进 行。
[0113] [2-Ad]然后，在位于源电极202与漏电极204之间的沟道区中形成半导体层203。
[0114] 可W通过瓣射法在含氧(和氮)的气氛下使用包含类金属元素和/或金属元素的金 属祀形成该半导体层203,所述类金属元素和/或金属元素包含在上述氧化物半导体材料 中。
[0115] [2-B]然后，在树脂膜A上形成平坦化层301W覆盖薄膜晶体管B。此外，形成导电部 件300W使阳极302和漏电极204电连接。
[0116] [2-Ba]首先，形成平坦化层301W覆盖树脂膜A和在树脂膜A上形成的薄膜晶体管 B。
[0117] [2-Bb]然后形成接触孔，并且然后在接触孔中形成导电部件300。
[0118] [3]然后，在每个平坦化层301上形成发光装置（电子元件)CW对应于每个薄膜晶 体管B。
[0119] [3-A]首先，在平坦化层301上形成阳极（单个电极）302W对应于每个导电部件 300。
[0120] [3-B]然后，形成空穴传输层303 W覆盖阳极302。
[0121 ] [ 3-C]然后，形成发射层304 W覆盖空穴传输层303。
[0122] [3-D]然后，形成电子传输层305 W覆盖发射层304。
[0123] [ 3-E]然后，形成阴极306 W覆盖电子传输层305。
[0124] 在运一方面，步骤[3-A]至[3-E]中所形成的每个层可通过使用W下方法形成：气 相成膜法，例如瓣射法、真空沉积法和CVD法;或者液相成膜法，例如喷墨法、旋涂法和铸造 法。
[0125] [4]然后，制备密封基底400。然后，通过用密封基底(覆盖层)400覆盖每个发光装 置C的阴极306来用密封基底400密封发光装置C。即，形成密封基底400W覆盖每个发光装置 C。
[0126] 在运一方面，上述用密封基底400密封可通过将粘合剂置于阴极306与密封基底 400之间，然后干燥所述粘合剂来进行。
[0127] 通过进行上述步骤[1]至[4]，在基体构件500上形成了包括树脂膜A，薄膜晶体管 B、发光装置C和密封基底400的有机化显示装置1 (参照图3(C))。
[0128] [引然后，用来自基体构件500-侧的光照射树脂膜A(电子元件形成层）。
[0129] 如此在基体构件500与树脂膜A之间的界面处使树脂膜A从基体构件500的第一表 面上剥离。
[0130] 因此，使有机化显示装置(电子装置)1与基体构件500分离(参照图3(D))。
[0131] 待照射至树脂膜A的光不特别限于特定种类，只要通过用该光照射树脂膜A可W在 基体构件500与树脂膜A之间的界面处使树脂膜A从基体构件500的第一表面上剥离即可。所 述光优选为激光。通过使用激光，可W可靠地在基体构件500与树脂膜A之间的界面处使树 脂膜A从基体构件500上剥离。
[0132] 此外，激光的实例包括脉冲振荡型或连续发射型的准分子激光、二氧化碳激光、 YAG激光和YV〇4激光。
[0133] 通过进行上述步骤[1]至[5]，可获得从基体构件500上剥离的有机电致发光显示 装置1。
[0134] 然后，将描述制造图3所示的传感器元件的方法。
[0135] [1]首先，W与制造图1所示的有机电致发光显示装置1的方法相同的方式，制备包 括基体构件500和在基体构件500上形成的树脂膜（电子元件形成层)A的基底(本发明的基 底）。由于用于在基体构件500上形成树脂膜A的步骤与上述制造有机电致发光显示装置1的 方法相同，所W在此省略对于在基体构件500上形成树脂膜A的步骤的描述(参照图3(A)和 图 3(B))。
[0136] [2]然后，在设置在所获得的基底中的树脂膜A上形成上述传感器元件10。用于在 树脂膜A上形成传感器元件10的方法不特别限于特定方法。在树脂膜A上形成传感器元件10 可W用为制造期望的传感器元件而适当选择或修改的已知合适的方法进行。
[0137] 通过进行上述步骤[1]至[2]，在基体构件500上形成包括树脂膜A、像素电路11的 传感器元件10(参照图3(c))。
[0138] [3]然后，用来自基体构件500侧的光照射树脂膜（电子元件形成层)AW将传感器 元件（电子装置）1〇从基体构件500上剥离（参照图4(D))。由于用于将传感器元件10从基体 构件500上剥离的步骤与上述用于将有机电致发光显示装置1从基体构件500上剥离的步骤 相同，在此省略对于将传感器元件10从基体构件500上剥离的步骤的描述。
[0139] 通过进行上述步骤[1]至[3]，可W获得从基体构件500上剥离的传感器元件10。
[0140] 在树脂膜A在短波长至长波长的波长宽度内具有透光性的情况下，从基体构件500 的第一表面侧照射至树脂膜A的光透射通过树脂膜A，然后到达设置在有机化显示装置1中 的薄膜晶体管B和发光装置C。此时，如果所照射的光包含具有短波长的光，则设置在每个薄 膜晶体管B中的半导体层203中所包含的氧化物半导体材料由于暴露于具有短波长的光而 改变或劣化。因此发生运样的问题:有机EL显示装置1的开关特性受到不利影响。
[0141] W相同的方式，从基体构件500的第一表面侧照射至树脂膜A的光透射通过树脂膜 A，然后到达设置在传感器元件10中的光电二极管11A和薄膜晶体管11B。此时，如果所照射 的光包含具有短波长的光，则设置在每个光电二极管11A中的半导体层25N、251、25P中所包 含的氧化物半导体材料和每个薄膜晶体管11B中的半导体膜22中所包含的氧化物半导体材 料由于暴露于具有短波长的光而改变或劣化。因此发生运样的问题:传感器元件10的开关 特性受到不利影响。
[0142] 为了解决运种问题，在本发明中，树脂膜A包含芳香族聚酷胺并且由在355nm波长 下的总透光率为10%或更小的层构成。运使得可W可靠地抑制或防止从基体构件500的第 一表面侧照射至树脂膜A的光(特别是具有短波长的光)透射通过树脂膜A。因此，可W可靠 地防止有机化显示装置1的开关特性或传感器元件10的开关特性由于光的照射而受到不利 影响。
[0143] 如上所述，具有上述配置的树脂膜A可通过使用本发明的树脂组合物形成，所述本 发明的树脂组合物包含芳香族聚酷胺和溶解所述芳香族聚酷胺的溶剂。下文中，将对用于 本发明的树脂组合物的构成材料进行详细的描述。
[0144] <芳香族聚酷胺〉
[0145] 芳香族聚酷胺被用作用于形成树脂膜（电子元件形成层)A的树脂组合物的主要材 料。为了将树脂膜A在355nm波长下的总透光率设置为10%或更小，在树脂组合物中包含芳 香族聚酷胺。
[0146] 此外，通过在树脂组合物中包含芳香族聚酷胺，还可W有效地进行由于向树脂膜A 照射光而在基体构件500与树脂膜A之间的界面处使树脂膜A从基体构件500上剥离。
[0147] 如上所述，运种芳香族聚酷胺不特别限于特定种类，只要其可W将树脂膜A在 355nm波长下的总透光率设置为10%或更小即可。例如，优选的是芳香族聚酷胺具有包含糞 结构的主要化学结构。通过使用芳香族聚酷胺作为树脂膜A的主要材料，可W可靠地将所形 成的树脂膜A的总透光率设置为落在上述范围内。
[0148] 此外，优选的是芳香族聚酷胺包含与芳香族聚酷胺的主链键合的簇基。通过使用 包含与其主链键合的簇基的芳香族聚酷胺，可W改善所形成的树脂膜A的耐溶剂性，从而扩 展用于在树脂膜A上形成薄膜晶体管B和发光装置C的液体材料的选择范围。
[0149] 此外，优选的是芳香族聚酷胺是全芳香族聚酷胺，即芳香族聚酷胺仅由芳香族骨 架构成。通过使用全芳香族聚酷胺，可W可靠地将所形成的树脂膜A的总透光率设置为落在 上述范围内。在运一方面，应注意全芳香族聚酷胺是指包含在芳香族聚酷胺主链中的所有 酷胺键通过芳香族基团（芳香环)彼此键合而不通过链状或环状脂肪族基团彼此键合。
[0150] 鉴于前述内容，优选的是芳香族聚酷胺具有由W下通式（I)表示的第一重复单元 和由W下通式（II)表示的第二重复单元：
[0151]
[0152] 其中X表示第一重复单元的摩尔％，y表示第二重复单元的摩尔％，n表示1至4的整 数，Ari由W下通式(III)表示；
[0153]
[0154] (其中q = 3,并且化和化各自选自氨原子、面素原子(氣原子、氯原子、漠原子和舰原 子）、烷基、经取代的烷基如面代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如