1.一种可用于光电子器件的防紫外辐射薄膜材料，其特征在于，所述防紫外辐射薄膜材料包括以下质量分数的组分：
防紫外辐射剂25～45％，
多孔保护剂14～16％，
混合溶剂40～60％。
2.根据权利要求1所述的可用于光电子器件的防紫外辐射薄膜材料，其特征在于，所述防紫外辐射剂为耐候木油和甘油的混合物。
3.根据权利要求2所述的可用于光电子器件的防紫外辐射薄膜材料，其特征在于，所述耐候木油的含量为20-40％，所述甘油的含量为60-80％。
4.根据权利要求1所述的可用于光电子器件的防紫外辐射薄膜材料，其特征在于，所述多孔保护剂为纳米级多孔sio2颗粒的乙二醇溶液。
5.根据权利要求4所述的可用于光电子器件的防紫外辐射薄膜材料，其特征在于，所述纳米级多孔sio2颗粒的粒径为20-50nm。
6.根据权利要求4或5所述的可用于光电子器件的防紫外辐射薄膜材料，其特征在于，所述纳米级多孔sio2颗粒和所述乙二醇的质量/体积比为20-60g/ml。
7.根据权利要求1所述的可用于光电子器件的防紫外辐射薄膜材料，其特征在于，所述混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂ygo-1204和20％水性丙烯酸树脂乳液的混合物。
8.根据权利要求7所述的可用于光电子器件的防紫外辐射薄膜材料，其特征在于，所述乙二醇的含量为30-40％，所述高分子聚电解质型731分散剂的含量为30-40％，所述硅烷偶联剂ygo-1204的含量为10-20％，所述20％水性丙烯酸树脂乳液的含量为10-20％。
9.一种可用于光电子器件的防紫外辐射薄膜，其特征在于，所述防紫外辐射薄膜为根据权利要求1-8任一项所述的防紫外辐射薄膜材料制备得到，所述防紫外辐射薄膜的厚度不超过8μm。
10.一种可用于光电子器件的防紫外辐射薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)对基底表面进行清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理；
(2)按配比配制权利要求1-8任一项所述的防紫外辐射薄膜材料，在步骤(1)处理好的基底表面采用辊涂、lb膜法、滴涂、喷涂、提拉法、喷墨打印或丝网印刷法制备防紫外辐射薄膜；
(3)将步骤(2)中所得防紫外辐射薄膜进行烘干处理。