一种UV清洁胶及制备方法以及涂胶固化装置和使用方法与流程

文档序号:21533933发布日期:2020-07-17 17:26阅读:446来源:国知局
一种UV清洁胶及制备方法以及涂胶固化装置和使用方法与流程

本发明属于光伏组件封装技术领域,具体涉及一种用以清除薄膜光伏组件清边区域残余异物的uv清洁胶及制备方法以及涂胶固化装置和使用方法。



背景技术:

通常在薄膜光伏组件的制备过程中,需要用激光将光伏组件中不需要的区域(即清边区域)清除,最终在该区域使用封装材料将光伏组件封装起来制成成品组件。但由于不同材料的吸收率不同,很难通过激光完全清除玻璃基底表面的膜层。在最终对光伏组件进行封装时,由于玻璃基底表面仍有部分杂质颗粒物难以被激光去除,影响封装材料与玻璃基底表面的粘接性能,使得光伏组件的密封性下降,降低了光伏组件的良品率和使用寿命。



技术实现要素:

本发明所要解决的技术问题在于,提供一种uv清洁胶及制备方法以及涂胶固化装置和使用方法,利用uv清洁胶固化时产生的应力吸附光伏组件的基底表面上残余异物后再被迅速去除,得到基底表面无残留异物的光伏组件。

本发明是这样实现的,提供一种uv清洁胶,包括光引发剂、粘合剂和聚合物单体,光引发剂为:1~5wt%安息香二乙醚,粘合剂由50~80wt%丙烯酸-2-乙基己酯、5~10wt%醋酸乙烯酯、10~20wt%丙烯酸组成的混合物,聚合物单体由三丙烯酸丙烷三甲醇酯和乙氧基化的三丙烯酸丙烷三甲醇酯组成的混合物,含量为40~50wt%,将光引发剂、粘合剂和聚合物单体混合后在室温下搅拌12h即得到改性后的uv清洁胶。

本发明是这样实现的,提供一种如前所述的uv清洁胶的制备方法,包括如下步骤:将8g丙烯酸-2-乙基己酯、1g醋酸乙烯脂、5g丙烯酸、10ml无水乙醇和0.05g偶氮二异丁腈混合,在80℃下加热搅拌2h;随后向反应体系中加入10g醋酸乙烯酯和0.05g偶氮二异丁腈,随后继续搅拌2h,停止加热,冷却至室温;最后向反应体系中加入5g三丙烯酸丙烷三甲醇酯和5g乙氧基化的三丙烯酸丙烷三甲醇酯,0.02g安息香二乙醚,将其继续搅拌混合后在室温下搅拌12h即可。

本发明是这样实现的,提供一种涂胶固化装置,包括设置在下部的涂胶装置和上部的固化装置,所述涂胶装置包括涂胶底座,在涂胶底座的顶部设置盛有uv胶的回型凹槽,在回型凹槽的中部设置水冷台,所述固化装置包括固化上盖,在固化上盖上设置环型uv灯箱,在环型uv灯箱的中部设置遮光台,其中,涂胶装置的回型凹槽的形状和大小与固化装置的环型uv灯箱的相同,涂胶装置的水冷台的形状和大小与固化装置的遮光台的相同。

本发明是这样实现的,提供一种光伏组件的清边方法,所述光伏组件包括在基底材料表面制备的活性区域,在活性区域的边缘设有清边区域,在清边区域表面上附着有多余的、待清除的残留异物,清边就是将该残留异物清除干净,所述光伏组件的清边方法包括如下步骤:在光伏组件需要清边的区域表面上附着胶体,待胶体与清边的区域表面上的残留异物粘接固化后,再清除固化后的胶体及其粘附的残留异物。

与现有技术相比,本发明的uv清洁胶及制备方法以及涂胶固化装置和使用方法,uv清洁胶包括光引发剂、粘合剂和聚合物单体,将uv清洁胶附着在光伏组件的清边区域表面上,随后通过高功率(100~200w)uv灯照射或冷却的方法使uv清洁胶迅速固化,使其产生较大的应力将光伏组件的玻璃基底表面上的残余异物附着,再迅速去除固化后的胶体及其粘附的残留异物。由于改性后的uv清洁胶与玻璃基底的粘接力弱,因此很容易被去除,从而得到清边区域表面残留异物被清除干净的光伏组件成品。本发明对残留物清除彻底,提高光伏组件的密封性能,延长了光伏组件的良品率和使用寿命。

附图说明

图1为本发明涂胶固化装置的涂胶装置的俯视图;

图2为本发明涂胶固化装置的固化装置的俯视图。

具体实施方式

为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

本发明uv清洁胶的较佳实施例,包括光引发剂、粘合剂和聚合物单体,光引发剂为:1~5wt%安息香二乙醚,粘合剂由50~80wt%丙烯酸-2-乙基己酯、5~10wt%醋酸乙烯酯、10~20wt%丙烯酸组成的混合物,聚合物单体由三丙烯酸丙烷三甲醇酯和乙氧基化的三丙烯酸丙烷三甲醇酯组成的混合物,含量为40~50wt%,将光引发剂、粘合剂和聚合物单体混合后在室温下搅拌12h即得到改性后的uv清洁胶。

其中,uv清洁胶的固化收缩率达到17%~25%。

本发明还公开一种如前所述的uv清洁胶的制备方法,包括如下步骤:

将8g丙烯酸-2-乙基己酯、1g醋酸乙烯脂、5g丙烯酸、10ml无水乙醇和0.05g偶氮二异丁腈混合,在80℃下加热搅拌2h;随后向反应体系中加入10g醋酸乙烯酯和0.05g偶氮二异丁腈,随后继续搅拌2h,停止加热,冷却至室温;最后向反应体系中加入5g三丙烯酸丙烷三甲醇酯和5g乙氧基化的三丙烯酸丙烷三甲醇酯,0.02g安息香二乙醚,将其继续搅拌混合后在室温下搅拌12h即可。

请参照图1以及图2所示,本发明还公开一种涂胶固化装置,包括设置在下部的涂胶装置和上部的固化装置。

所述涂胶装置包括涂胶底座1,在涂胶底座1的顶部设置盛有uv胶的回型凹槽2,在回型凹槽2的中部设置水冷台3。水冷台3与冷却装置连通,以保持其处于低温状态。

所述固化装置包括固化上盖4,在固化上盖4上设置环型uv灯箱5,在环型uv灯箱5的中部设置遮光台6。在环型uv灯箱5内设置uv灯。在遮光台6区域免除uv灯照射。

其中,涂胶装置的回型凹槽2的形状和大小与固化装置的环型uv灯箱5的相同,涂胶装置的水冷台3的形状和大小与固化装置的遮光台6的相同。

所述涂胶装置通过连接管道7与自动填胶装置8连通,自动填胶装置8内的uv胶通过连接管道7补充到回型凹槽2中。

其中,所述uv胶为前所述的uv清洁胶,或者,为采用前述的uv清洁胶的制备方法制备的uv清洁胶。

一般地,光伏组件中间部分为活性区域,拥有完整串联电池结构,可以进行光电转换,光伏组件四周约1~2cm宽的部分为清边区域,此部分最后经过激光清边后只留下玻璃,其余膜层组分均被激光清边步骤清除掉。

本发明还公开一种光伏组件的清边方法。所述光伏组件包括在基底材料表面制备的活性区域,在活性区域的边缘设有清边区域,在清边区域表面上附着有多余的、待清除的残留异物,清边就是将该附着在清边区域表面上的待清除的残留异物清除干净。

所述光伏组件的清边方法包括如下步骤:在光伏组件需要清边的区域表面上附着胶体,待胶体与清边的区域表面上的残留异物粘接固化后,再清除固化后的胶体及其粘附的残留异物,使得光伏组件的清边区域的残留异物被清除干净并露出其底部的基底材料。

其中,所述胶体为前述的uv清洁胶,或者,为采用前述的uv清洁胶的制备方法制备的uv清洁胶。

具体地,本发明还公开一种采用如前所述的涂胶固化装置在光伏组件需要清边的区域表面上进行胶体涂敷和胶体固化,其使用方法包括如下步骤:

步骤一、先将待清边的光伏组件的活性区域所在面朝下放置在涂胶装置上,其活性区域与涂胶装置的水冷台3对应一致,其清边区域与涂胶装置的回型凹槽2对应一致,向回型凹槽2中通入uv胶,uv胶与清边区域所在表面的残留异物粘接。

光伏组件的活性区域在水冷台3的降温作用下保持在相对低的温度以避免因受到环型uv灯箱5照射温度升高而对光伏组件性能产生不利影响。

步骤二、然后,将固化装置盖在有光伏组件的涂胶装置上面,开启环型uv灯箱5,uv胶在环型uv灯箱5的uv灯照射下被固化。

uv光透过光伏组件的玻璃基底照到uv胶上,经2~5s使表面3~6mm厚的的光固化uv胶被固化,利用uv胶凝固时产生的收缩力将光伏组件清边区域表面上残留的空穴传输层、光吸收层、电子传输层以及背电极材料异物牢牢吸附在光固化uv胶上。

步骤三、最后,打开固化装置,取出光伏组件,剥离清除固化后的uv胶及其粘附的残留异物,得到清边区域表面残留异物被清除干净的光伏组件成品。

其中,所述uv胶为前述的uv清洁胶,或者,为采用前述的uv清洁胶的制备方法制备的uv清洁胶。

下面结合具体实施例来进一步说明本发明的光伏组件的清边方法。

实施例1

本发明第一种光伏组件的清边方法,该清边方法使用如前所述的涂胶固化装置,包括如下步骤:

常温下,将已激光切割完的光伏组件样品膜面朝下地放入涂胶装置的涂胶底座上,光伏组件的清边区域与回型凹槽区域对齐,之后清边区域附着回型凹槽内的uv清洁胶,将固化装置盖在光伏组件上,开启环型uv灯箱,经2s后约3mm厚的uv清洁胶在环型uv灯箱的uv灯照射下被固化,利用uv清洁胶凝固时产生的收缩力将清边区域表面残留的空穴传输层、光吸收层、电子传输层以及背电极材料异物牢牢吸附在uv清洁胶上,然后将光伏组件样品传输至脱层区,剥离清除固化后的uv胶及其粘附的残留异物。

实施例2

本发明第二种光伏组件的清边方法,该清边方法使用如前所述的涂胶固化装置,包括如下步骤:

常温下,将已激光切割完的光伏组件样品膜面朝下地放入涂胶装置的涂胶底座上,光伏组件的清边区域与回型凹槽区域对齐,之后清边区域附着回型凹槽内的uv清洁胶,将固化装置盖在光伏组件上,开启环型uv灯箱,经5s后约6mm厚的uv清洁胶在环型uv灯箱的uv灯照射下被固化,利用uv清洁胶凝固时产生的收缩力将清边区域表面残留的空穴传输层、光吸收层、电子传输层以及背电极材料异物牢牢吸附在uv清洁胶上,然后将光伏组件样品传输至脱层区,剥离清除固化后的uv胶及其粘附的残留异物。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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