技术特征：
1.一种cmp用浆料组合物，其特征在于，包括：由硅溶胶组成的0.2至10重量％的研磨材料；选自由5
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甲基苯并三唑或聚乙二醇所组成的0.001至7重量％的添加剂；及余量的溶剂，以使所述组合物能够调节对氮化硅膜的氧化硅膜或多晶硅膜的选择比以进行研磨。2.根据权利要求1所述的cmp用浆料组合物，其特征在于，在所述添加剂中，聚乙二醇:5
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甲基苯并三唑的比例为0～5.0:0超过～5.0，氧化硅膜:氮化硅膜:多晶硅膜的研磨选择比为1～50:1:1～10。3.根据权利要求2所述的cmp用浆料组合物，其特征在于，所述硅溶胶的ζ电位为+10至+70mv。4.根据权利要求3所述的cmp用浆料组合物，其特征在于，所述ζ电位为+15至+50mv。5.根据权利要求1所述的cmp用浆料组合物，其特征在于，所述硅溶胶的粒子大小为10至120nm。6.根据权利要求5所述的cmp用浆料组合物，其特征在于，所述粒子大小为30至80nm。7.根据权利要求1所述的cmp用浆料组合物，其特征在于，氧化硅膜的去除率为8.根据权利要求1所述的cmp用浆料组合物，其特征在于，所述硅溶胶的金属(li、b、mg、k、ca、ti、v、cr、mn、fe、co、ni、cu、zn、zr、mo、ag、cd、sn、ta、w、pt、na、al)含量为100ppb以下。9.根据权利要求8所述的cmp用浆料组合物，其特征在于，所述金属(li、b、mg、k、ca、ti、v、cr、mn、fe、co、ni、cu、zn、zr、mo、ag、cd、sn、ta、w、pt、na、al)含量为50ppb以下。10.根据权利要求1所述的cmp用浆料组合物，其特征在于，ph为3至5。11.一种使用cmp用浆料组合物的研磨方法，其特征在于，使用权利要求1至10中任一项所述的cmp浆料组合物，在制造3d nand闪存半导体的栅极间隙多晶硅工艺中，研磨氧化硅膜的初始段差，并将由选自
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氧化硅膜或多晶硅膜’中的一种或两种和
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氮化硅膜’形成的被研磨膜同时进行研磨。12.根据权利要求11所述的使用cmp用浆料组合物的研磨方法，其特征在于，将所述被研磨膜同时进行研磨的方法通过调节添加剂和研磨材料的含量来调节
‘
氧化硅膜:氮化硅膜:多晶硅膜’的选择比而进行研磨。
技术总结
本发明涉及一种CMP用浆料组合物及使用其的研磨方法，更具体地，通过去除作为研磨材料的硅溶胶的ζ电位(Zeta potential)和金属杂质提高氧化硅膜的研磨性能并最小化刮伤缺陷，可以通过调节添加剂和研磨材料的含量来自由地调节对氧化硅膜、氮化硅膜及多晶硅膜的选择性比以进行研磨，从而提供一种能够有效地应用于去除氧化硅膜的段差的半导体工艺及需要相对于氮化硅膜选择性地去除氧化硅膜及多晶硅膜的半导体制造工艺中的CMP用浆料组合物及使用其的研磨方法。用其的研磨方法。
技术研发人员：李昇勋 李昇炫 金胜焕
受保护的技术使用者：荣昌化学制品株式会社
技术研发日：2020.03.02
技术公布日：2021/10/26