一种复合晶圆保护膜及其制备方法与流程

1.本发明涉及晶圆保护技术领域，尤其涉及一种复合晶圆保护膜及其制备方法。


背景技术：

2.半导体是所有电子产品生产都不可缺少的原材料之一，电子产品的性能完全依赖于半导体产品的质量，而其中晶圆的制造是半导体行业中最重要的一环。从晶圆制造成半导体芯片的过程中，需要经历研磨、清洗、切割等多道工序，为了避免晶圆在加工制程中受到破坏，需要在上述工序下对晶圆实施保护。
3.晶圆制程保护膜是专用于半导体行业的保护膜，其起到晶圆高锡球保护、超薄晶圆研磨保护和芯片晶粒切割保护作用，是晶圆芯片实现超薄小尺寸，高散热性能的关键部件。半导体制造方法中，在支撑半导体晶圆的基板上先经由一种表面保护胶膜贴附了半导体晶圆的状态下，进行各种背面加工大直径电路设计晶圆进行分段加工和减薄加工，然后通过切割将晶圆分成较小的晶片，通过粘结将晶片粘附到支撑元件，例如pcb和引线框架基底上。具体地，将保护膜安装在晶圆的背面上，将晶圆减薄和切割成预定尺寸的晶片，然后扩膜分晶，再拾取单个的晶片，将拾取的晶片粘附到支撑元件上。首先，安装步骤中粘附到晶圆背面的保护膜一方面用于牢固地支撑晶圆，以防止由于晶圆芯片制程步骤中晶圆移动或产生翘曲和破裂，其次还可防止在晶片表面和侧面由刀片形成裂缝，再次还能使拾取步骤中扩展基础膜，从而更容易地拾取晶片。
4.传统晶圆保护膜常常由于延展性不够，难以满足晶圆芯片研磨制程中的高锡球保护和超薄晶圆保护的要求，也不能提供在芯片切割制程中所需的扩膜分晶保护功能。为了提高晶圆保护膜的柔韧性和延展性，技术人员大多采用聚氯乙烯为保护膜基膜。但使用pvc基膜不可避免产生增塑剂迁移的问题，长远而言会影响保护膜的胶粘层对基材的附着力，产生剥离残胶，并且增塑剂会通过胶层迁移至被保护的晶圆表面造成晶圆污染。此外，胶粘剂涂布后需要热固化，而pvc本身热稳定性差，加热易收缩，所以胶粘剂一般采用转移涂布的方式使其转印到pvc上，但转移涂布的生产工序复杂繁琐，因此导致晶圆保护膜的生产效率十分低下。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提出一种复合晶圆保护膜，其在聚氯乙烯层和压敏胶层中引入热塑性聚氨酯弹性体层，可作为阻隔层避免聚氯乙烯中的增塑剂迁移至压敏胶层，在保证晶圆保护膜的柔韧性和延展性的前提下，能有效提高压敏胶层对基层的附着力，以克服现有技术中的不足之处。
6.本发明的另一个目的在于提出一种复合晶圆保护膜的制备方法，其工序依赖性低、灵活性强，有利于提高复合晶圆保护膜的生产效率。
7.为达此目的，本发明采用以下技术方案：
8.一种复合晶圆保护膜，包括由下至上依次层叠设置的离型层、聚氯乙烯层、热塑性
聚氨酯弹性体层和压敏胶层；
9.所述热塑性聚氨酯弹性体层的原料包括聚酯型热塑性聚氨酯弹性体、聚醚型热塑性聚氨酯弹性体和共聚型热塑性聚氨酯弹性体为的任意一种或多种的组合，所述热塑性聚氨酯弹性体层的厚度为5～50μm。
10.优选的，所述热塑性聚氨酯弹性体层的拉伸强度大于等于20mpa，所述热塑性聚氨酯弹性体层的断裂伸长率大于等于250％。
11.优选的，所述聚氯乙烯层的厚度为20～200μm，所述聚氯乙烯层的拉伸强度大于等于20mpa，所述聚氯乙烯层的断裂伸长率大于等于250％。
12.优选的，所述压敏胶层的厚度为2～20μm，所述压敏胶层的粘接强度大于等于100gf/25mm，所述压敏胶层的延伸率大于等于250％。
13.优选的，所述离型层的厚度为0.5～3μm，所述离型层的离型力小于5gf/25mm。
14.优选的，还包括热熔胶层，所述热熔胶层位于所述聚氯乙烯层和所述热塑性聚氨酯弹性体层之间；
15.所述热熔胶层的厚度为3～30μm，所述热熔胶层的熔点为70～120℃，所述热熔胶层的延伸率大于等于250％。
16.一种复合晶圆保护膜的制备方法，用于制备上述的复合晶圆保护膜，包括以下步骤：
17.a、将聚氯乙烯薄膜作为聚氯乙烯层，在聚氯乙烯层的任意一面涂布uv离型剂，经uv照射固化后形成离型层,得到具有离型层和聚氯乙烯层的第一复合层；
18.b、将热塑性聚氨酯弹性体层的原料通过共挤流延的方式挤出复合，得到热塑性聚氨酯弹性体层；
19.c、制备压敏胶溶液，在步骤b的热塑性聚氨酯弹性体层表面涂布压敏胶溶液，经烘干后得到具有热塑性聚氨酯弹性体层和压敏胶层的第二复合层；
20.d、将第二复合层进行预热，令预热后的第二复合层中的热塑性聚氨酯弹性体层与第一复合层中的聚氯乙烯层进行热压复合，冷却后得到复合晶圆保护膜。
21.优选的，步骤a中，利用高压汞灯对uv离型剂进行uv照射固化，且所述固化步骤的强度为100～180w/cm，能量密度为400～1000mj/cm2。
22.优选的，步骤c中，所述烘干步骤的烘干温度为80～150℃。
23.优选的，步骤d中，所述预热步骤的预热温度为80～120℃，预热时间大于等于20s；所述热压复合步骤的复合压力为0.5～3mpa，所述冷却步骤的冷却温度为10～40℃。
24.本技术实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
25.1、在聚氯乙烯层和压敏胶层中引入热塑性聚氨酯弹性体层，其可作为阻隔层避免聚氯乙烯中的增塑剂迁移至压敏胶层，提高压敏胶层对基层的附着力；另外，热塑性聚氨酯弹性体可通过热塑性成膜，绿色环保，没有溶剂挥发污染等问题；进一步地，热塑性聚氨酯弹性体膜具有较好的耐温性，不会产生热收缩，压敏胶层可以直接涂布在热塑性聚氨酯弹性体上热固化，生产工序更加简洁，有利于提高效率。
26.2、热塑性聚氨酯弹性体层的原料包括聚酯型热塑性聚氨酯弹性体、聚醚型热塑性聚氨酯弹性体和共聚型热塑性聚氨酯弹性体为的任意一种或多种的组合，上述材料具有较高的热稳定性，不易热收缩，可取代聚氯乙烯作为热固性压敏胶层的载体，避免热烘干过程
中造成基膜热收缩，其还可通过常规涂布烘干的方式制备压敏胶复合层，避免转移涂布繁琐工序，从而提升复合晶圆保护膜的生产效率。
27.3、复合晶圆保护膜的制备方法中热塑性聚氨酯弹性体层涂布压敏胶、聚氯乙烯层涂布离型层两个工序可分别独立进行，互不影响，最后将两种复合层热压复合即可得到成品，连接强度高且满足自动化生产条件，减少冗余工序，使得本方案的工序依赖性低、灵活性强，有利于提高晶圆保护膜的生产效率。
附图说明
28.图1是本发明一种复合晶圆保护膜的结构示意图。
29.其中：离型层1、聚氯乙烯层2、热塑性聚氨酯弹性体层3、压敏胶层4、热熔胶层5。
具体实施方式
30.一种复合晶圆保护膜，包括由下至上依次层叠设置的离型层1、聚氯乙烯层2、热塑性聚氨酯弹性体层3和压敏胶层4；
31.所述热塑性聚氨酯弹性体层3的原料包括聚酯型热塑性聚氨酯弹性体、聚醚型热塑性聚氨酯弹性体和共聚型热塑性聚氨酯弹性体为的任意一种或多种的组合，所述热塑性聚氨酯弹性体层3的厚度为5～50μm。
32.传统晶圆保护膜常常由于延展性不够，难以满足晶圆芯片研磨制程中的高锡球保护和超薄晶圆保护的要求，也不能提供在芯片切割制程中所需的扩膜分晶保护功能。为了提高晶圆保护膜的柔韧性和延展性，技术人员大多采用聚氯乙烯为保护膜基膜。但使用pvc基膜不可避免产生增塑剂迁移的问题，长远而言会影响保护膜的胶粘层对基材的附着力，产生剥离残胶，并且增塑剂会通过胶层迁移至被保护的晶圆表面造成晶圆污染。
33.因此，为了保证晶圆保护膜的柔韧性和延展性的前提下，避免聚氯乙烯中增塑剂向压敏胶层转移，同时提高压敏胶层对基层的附着力，本技术方案提出了一种复合晶圆保护膜，如图1所示，包括由下至上依次层叠设置的离型层1、聚氯乙烯层2、热塑性聚氨酯弹性体层3和压敏胶层4，在聚氯乙烯层2和压敏胶层4中引入热塑性聚氨酯弹性体层3，其可作为阻隔层避免聚氯乙烯中的增塑剂迁移至压敏胶层4，提高压敏胶层4对基层的附着力；另外，热塑性聚氨酯弹性体层3的原料包括聚酯型热塑性聚氨酯弹性体、聚醚型热塑性聚氨酯弹性体和共聚型热塑性聚氨酯弹性体为的任意一种或多种的组合，上述材料具有较高的热稳定性，不易热收缩，可取代聚氯乙烯作为热固性压敏胶层的载体，避免热烘干过程中造成基膜热收缩，其还可通过常规涂布烘干的方式制备压敏胶复合层，避免转移涂布繁琐工序，从而提升复合晶圆保护膜的生产效率。
34.需要说明的是，本方案中热塑性聚氨酯弹性体层3的制备可直接采购市场产品化的聚氨酯粒料，如浙江华峰热塑性聚氨酯有限公司的hf-3390型号、宁波金穗橡塑公司的2390型号，然后通过熔融共挤流延的方法挤出而成，得到目标厚度的热塑性聚氨酯弹性体。
35.现有技术中，一般通过溶液涂布再烘烤干燥的方式在聚氯乙烯层2和压敏胶层4中引入隔离涂层，上述隔离涂层的引入方式存在以下缺点：1.溶液涂布过程中会产生溶剂挥发，造成环境污染；2.隔离剂涂布在聚氯乙烯膜上通过烘烤干燥形成隔离层，烘烤过程不可避免造成聚氯乙烯膜收缩；3.压敏胶层是涂布在隔离层之上，所以工序上必须先涂布隔离
层，烘干固化后再施加压敏胶层，工序繁琐，生产效率低。而本方案采用热塑性聚氨酯弹性体作为隔离层，具有以下优点：1.热塑性聚氨酯弹性体可通过热塑性成膜，绿色环保，没有溶剂挥发污染等问题；2.热塑性聚氨酯弹性体膜具有较好的耐温性，不会产生热收缩，压敏胶层可以直接涂布在热塑性聚氨酯弹性体上热固化，生产工序更加简洁，有利于提高效率。
36.进一步地，本方案中热塑性聚氨酯弹性体层3的厚度为5～50μm，一方面使得热塑性聚氨酯弹性体层3可以脱离于聚氯乙烯基膜作为压敏胶的承载层，保证在涂布压敏胶时有足够的力学强度；另一方面，热塑性聚氨酯弹性体层3的厚度对于阻隔增塑剂的迁移更有利。但本方案中热塑性聚氨酯弹性体层3的厚度不宜过厚，否则会影响晶圆保护膜整体的柔韧性。
37.优选的，所述热塑性聚氨酯弹性体层3的厚度为10～30μm。
38.更进一步说明，所述热塑性聚氨酯弹性体层3的拉伸强度大于等于20mpa，所述热塑性聚氨酯弹性体层3的断裂伸长率大于等于250％。
39.本方案对热塑性聚氨酯弹性体层3的拉伸强度和断裂伸长率的优选，一方面，可以令热塑性聚氨酯弹性体层3作为独立承载层时具有足够的力学强度，另一方面可以保证晶圆保护膜整体的力学性能，避免复合膜出现层间力学短板，满足晶圆保护膜的应用需求。
40.更进一步说明，所述聚氯乙烯层2的厚度为20～200μm，所述聚氯乙烯层2的拉伸强度大于等于20mpa，所述聚氯乙烯层2的断裂伸长率大于等于250％。
41.在本技术方案的一个优选实施例中，聚氯乙烯层2的厚度为20～200μm，若聚氯乙烯层2的厚度太小，难以提供足够的力学支撑强度和保护强度；若聚氯乙烯层2的厚度太大，则会影响薄膜的柔韧性，也造成不必要的成本增加。
42.优选的，所述聚氯乙烯层2的厚度为40～150μm。
43.本方案的聚氯乙烯层2为晶圆保护膜的骨架支撑层，对晶圆起保护作用，具有良好的柔韧性。聚氯乙烯层2可以通过已知的常规方法进行生产制造，如熔融压延或挤出流延等方法。也可直接采购市场产品，如采购自南亚塑胶工业股份有限公司(pvc bg系列)。
44.更进一步说明，所述压敏胶层4的厚度为2～20μm，所述压敏胶层4的粘接强度大于等于100gf/25mm，所述压敏胶层4的延伸率大于等于250％。
45.进一步地，本方案中压敏胶层4的厚度优选为2～20μm，厚度太小，对于粗糙度较高的晶圆表面，附着力可能出现不足；厚度太大，成本增加，且有可能造成残胶风险。其粘接强度在100gf/25mm以上，可满足晶圆切割保护的需要。延展率的要求，有利于避免保护膜拉伸时压敏胶层出现断裂或裂缝。
46.本方案中的压敏胶层4直接接触晶圆，防止保护膜从晶圆表面脱落，起粘接固定的作用。在本技术方案的一个优选实施例中，压敏胶层4可由含氯二异氰酸酯预聚体和氯化蓖麻油组成，经溶液涂布、烘干溶剂、热固化后形成胶层。需要说明的是，压敏胶层可通过已公开的现有技术进行合成制备得到，在此不作赘述。
47.更进一步说明，所述离型层1的厚度为0.5～3μm，所述离型层1的离型力小于5gf/25mm。
48.更进一步地，本方案中离型层1的厚度优选为0.5～3μm，若厚度太小，精度控制困难，涂层平整性不好，离型效果也差；若厚度太厚，需要提高光固化强度或延长固化时间才能充分固化，影响生产效率，也造成不必要的成本增加。另外，离型层1的离型力优选为小于
5gf/25mm，若离型层离型力过高，在收卷时容易被压敏胶层粘附，不易解卷，影响后续操作性。
49.优选的，所述离型层1的厚度为0.6～2.5μm，所述离型层1的离型力小于3gf/25mm。
50.本方案中离型层1的设置防止晶圆保护膜在收卷时压敏胶层粘连背面，其作用是使本方案的保护膜容易解卷，方便使用。所述离型层为uv固化型树脂，可选用uv固化型有机硅离型剂经光固化而成。所述uv固化型有机硅离型剂可通过采购市场产品获得，如可购买广州诺裕新材料有限公司生产的yk200型号离型剂；也可以根据现有公开技术方法进行制备，在此不作赘述。
51.更进一步说明，还包括热熔胶层5，所述热熔胶层5位于所述聚氯乙烯层2和所述热塑性聚氨酯弹性体层3之间；
52.所述热熔胶层5的厚度为3～30μm，所述热熔胶层5的熔点为70～120℃，所述热熔胶层5的延伸率大于等于250％。
53.在本技术方案的一个更优实施例中，本方案一种复合晶圆保护膜还包括用于连接聚氯乙烯层2和热塑性聚氨酯弹性体层3的热熔胶层5，并将热熔胶层5的厚度、熔点和延伸率进行了限定，有利于提升复合晶圆保护膜的复合强度，避免脱层。
54.具体地，若热熔胶层5的厚度太小，连接强度不足可能会存在脱层风险；若厚度太厚，会延长后续工序的热熔时间，影响晶圆保护膜的生产效率。热熔胶的熔点在70～120℃，熔点太低，有可能会因储存温度过高造成胶层软化变形，影响成膜复合效果；熔点过高意味着热压复合温度需要在熔点以上，容易造成聚氯乙烯层受热变形。热熔胶层的延伸率大于等于250％，能有效保证保护膜拉伸时不会造成热熔胶层局部破坏。
55.更具体地，本方案中热熔胶层5可以为聚氨酯型热熔胶，层厚度优选5～15μm。热熔胶的熔点优选80～110℃。热熔胶层可通过直接采购市场上聚氨酯热熔胶原料，如美瑞新材料股份有限公司生产的聚氨酯热熔胶，型号h290或h295，通过共挤流延设备和聚氨酯一同流延而成。
56.一种复合晶圆保护膜的制备方法，用于制备上述的复合晶圆保护膜，包括以下步骤：
57.a、将聚氯乙烯薄膜作为聚氯乙烯层2，在聚氯乙烯层2的任意一面涂布uv离型剂，经uv照射固化后形成离型层1,得到具有离型层1和聚氯乙烯层2的第一复合层；
58.b、将热塑性聚氨酯弹性体层3的原料通过共挤流延的方式挤出复合，得到热塑性聚氨酯弹性体层3；
59.c、制备压敏胶溶液，在步骤b的热塑性聚氨酯弹性体层3表面涂布压敏胶溶液，经烘干后得到具有热塑性聚氨酯弹性体层3和压敏胶层4的第二复合层；
60.d、将第二复合层进行预热，令预热后的第二复合层中的热塑性聚氨酯弹性体层3与第一复合层中的聚氯乙烯层2进行热压复合，冷却后得到复合晶圆保护膜。
61.本技术方案还提出了一种复合晶圆保护膜的制备方法，热塑性聚氨酯弹性体层涂布压敏胶、聚氯乙烯层涂布离型层两个工序可分别独立进行，互不影响，最后将两种复合层热压复合即可得到成品，连接强度高且满足自动化生产条件，减少冗余工序，使得本方案的工序依赖性低、灵活性强，有利于提高晶圆保护膜的生产效率。
62.在本技术方案的一个优选实施例中，制备方法包括以下步骤：
63.a、将聚氯乙烯薄膜作为聚氯乙烯层2，在聚氯乙烯层2的任意一面涂布uv离型剂，经uv照射固化后形成离型层1,得到具有离型层1和聚氯乙烯层2的第一复合层；
64.b、将热熔胶层5和热塑性聚氨酯弹性体层3的原料通过共挤流延的方式挤出复合，得到具有热熔胶层5和热塑性聚氨酯弹性体层3的复合层；
65.c、制备压敏胶溶液，在步骤b的热塑性聚氨酯弹性体层3表面涂布压敏胶溶液，经烘干后得到具有热熔胶层5、热塑性聚氨酯弹性体层3和压敏胶层4的第二复合层；
66.d、将第二复合层进行预热，令预热后的第二复合层中的热熔胶层5与第一复合层中的聚氯乙烯层2进行热压复合，冷却后得到复合晶圆保护膜。
67.更进一步说明，步骤a中，利用高压汞灯对uv离型剂进行uv照射固化，且所述固化步骤的强度为100～180w/cm，能量密度为400～1000mj/cm2。
68.在本技术方案的一个优选实施例中，步骤a利用高压汞灯对uv离型剂进行uv照射固化，并对其强度和能量密度进行限定。若照射强度过低，固化速度慢，影响生产效率，且有固化不完全的风险；强度过大，固化反应太激烈使局部粘度过高，反应不均匀。若能量密度过低，固化时间延长；能量密度过高有可能使涂层老化或泛黄。
69.进一步地，本方案步骤a中uv照射固化基准为使离型层固化聚合度不低于90％，聚合度达到90％以上可保证离型层固化充分，收卷时不会有残留单体转移至压敏胶层上。
70.更进一步说明，步骤c中，所述烘干步骤的烘干温度为80～150℃。
71.更进一步地，本方案中烘干步骤的烘干温度为80～150℃，若烘干温度低，烘干时间要延长，压敏胶溶液烘干不充分会有残胶风险；若烘干温度过高，有可能造成热塑性聚氨酯弹性体层3软化变形。
72.需要说明的是，本方案的烘干步骤可采用表面红外辐照加鼓风烘干，表面红外辐照有利于温度集中在压敏胶层，避免底层热熔胶在烘干过程中软化；鼓风有利于温度均匀，同时加速空气流动，有利于溶剂挥发。
73.优选的，所述烘干步骤的烘干温度为110～140℃。
74.更进一步说明，步骤d中，所述预热步骤的预热温度为80～120℃，预热时间大于等于20s；所述热压复合步骤的复合压力为0.5～3mpa，所述冷却步骤的冷却温度为10～40℃。
75.在本技术方案的一个优选实施例中，还对步骤d的预热温度、时间、复合压力和冷却温度进行限定，有利于两复合层的有效复合。
76.下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
77.实施例1-一种复合晶圆保护膜的制备方法
78.a、将厚度为20μm、拉伸强度为20mpa及断裂伸长率为250％的聚氯乙烯薄膜作为聚氯乙烯层，在聚氯乙烯层的任意一面涂布uv离型剂，利用高压汞灯对uv离型剂进行uv照射固化后形成厚度为0.5μm、离型力为4gf/25mm的离型层,得到具有离型层和聚氯乙烯层的第一复合层；其中，固化步骤的强度为100w/cm，能量密度为400mj/cm2；
79.b、将聚酯型热塑性聚氨酯弹性体通过共挤流延的方式挤出复合，得到厚度为5μm、拉伸强度为20mpa及断裂伸长率为250％的热塑性聚氨酯弹性体层；
80.c、制备压敏胶溶液，在步骤b的热塑性聚氨酯弹性体层表面涂布压敏胶溶液，经80℃的温度烘干后得到具有热塑性聚氨酯弹性体层和压敏胶层的第二复合层；其中，压敏胶层的厚度为2μm，粘接强度为100gf/25mm，延伸率为250％；
81.d、将第二复合层进行预热，令预热后的第二复合层中的热塑性聚氨酯弹性体层与第一复合层中的聚氯乙烯层进行热压复合，冷却后得到复合晶圆保护膜；其中，预热步骤的预热温度为80℃，预热时间为30s；热压复合步骤的复合压力为0.5mpa，冷却步骤的冷却温度为40℃。
82.实施例2-一种复合晶圆保护膜的制备方法
83.a、将厚度为100μm、拉伸强度为25mpa及断裂伸长率为280％的聚氯乙烯薄膜作为聚氯乙烯层，在聚氯乙烯层的任意一面涂布uv离型剂，利用高压汞灯对uv离型剂进行uv照射固化后形成厚度为1.5μm、离型力为3gf/25mm的离型层,得到具有离型层和聚氯乙烯层的第一复合层；其中，固化步骤的强度为140w/cm，能量密度为700mj/cm2；
84.b、将聚醚型热塑性聚氨酯弹性体通过共挤流延的方式挤出复合，得到厚度为25μm、拉伸强度为25mpa及断裂伸长率为280％的热塑性聚氨酯弹性体层；
85.c、制备压敏胶溶液，在步骤b的热塑性聚氨酯弹性体层表面涂布压敏胶溶液，经110℃的温度烘干后得到具有热塑性聚氨酯弹性体层和压敏胶层的第二复合层；其中，压敏胶层的厚度为10μm，粘接强度为125gf/25mm，延伸率为280％；
86.d、将第二复合层进行预热，令预热后的第二复合层中的热塑性聚氨酯弹性体层与第一复合层中的聚氯乙烯层进行热压复合，冷却后得到复合晶圆保护膜；其中，预热步骤的预热温度为100℃，预热时间为25s；热压复合步骤的复合压力为1.5mpa，冷却步骤的冷却温度为20℃。
87.实施例3-一种复合晶圆保护膜的制备方法
88.a、将厚度为200μm、拉伸强度为30mpa及断裂伸长率为295％的聚氯乙烯薄膜作为聚氯乙烯层，在聚氯乙烯层的任意一面涂布uv离型剂，利用高压汞灯对uv离型剂进行uv照射固化后形成厚度为3μm、离型力为2gf/25mm的离型层,得到具有离型层和聚氯乙烯层的第一复合层；其中，固化步骤的强度为180w/cm，能量密度为1000mj/cm2；
89.b、将共聚型热塑性聚氨酯弹性体通过共挤流延的方式挤出复合，得到厚度为50μm、拉伸强度为30mpa及断裂伸长率为295％的热塑性聚氨酯弹性体层；
90.c、制备压敏胶溶液，在步骤b的热塑性聚氨酯弹性体层表面涂布压敏胶溶液，经150℃的温度烘干后得到具有热塑性聚氨酯弹性体层和压敏胶层的第二复合层；其中，压敏胶层的厚度为20μm，粘接强度为140gf/25mm，延伸率为295％；
91.d、将第二复合层进行预热，令预热后的第二复合层中的热塑性聚氨酯弹性体层与第一复合层中的聚氯乙烯层进行热压复合，冷却后得到复合晶圆保护膜；其中，预热步骤的预热温度为120℃，预热时间为20s；热压复合步骤的复合压力为3mpa，冷却步骤的冷却温度为10℃。
92.实施例4-一种复合晶圆保护膜的制备方法
93.a、将厚度为20μm、拉伸强度为20mpa及断裂伸长率为250％的聚氯乙烯薄膜作为聚氯乙烯层，在聚氯乙烯层的任意一面涂布uv离型剂，利用高压汞灯对uv离型剂进行uv照射固化后形成厚度为0.5μm、离型力为4gf/25mm的离型层,得到具有离型层和聚氯乙烯层的第一复合层；其中，固化步骤的强度为100w/cm，能量密度为400mj/cm2；
94.b、将熔点为100℃的热熔胶层原料和聚酯型热塑性聚氨酯弹性体通过共挤流延的方式挤出复合，得到具有热熔胶层和热塑性聚氨酯弹性体层的复合层；其中，热塑性聚氨酯
弹性体层的厚度为5μm、拉伸强度为20mpa及断裂伸长率为250％，热熔胶层的厚度为3μm，延伸率为250％；
95.c、制备压敏胶溶液，在步骤b的热塑性聚氨酯弹性体层表面涂布压敏胶溶液，经80℃的温度烘干后得到具有热塑性聚氨酯弹性体层和压敏胶层的第二复合层；其中，压敏胶层的厚度为2μm，粘接强度大于等于100gf/25mm，延伸率为250％；
96.d、将第二复合层进行预热，令预热后的第二复合层中的热塑性聚氨酯弹性体层与第一复合层中的聚氯乙烯层进行热压复合，冷却后得到复合晶圆保护膜；其中，预热步骤的预热温度为80℃，预热时间为30s；热压复合步骤的复合压力为0.5mpa，冷却步骤的冷却温度为40℃。
97.分别采用上述实施例的制备方法制备复合晶圆保护膜，并对获得的复合晶圆保护膜进行常规的柔韧性、延展性、拉伸强度和粘结力测试，其结果如下表1所示：
98.表1实施例中不同复合晶圆保护膜的性能测试结果
99.项目实施例1实施例2实施例3实施例4柔韧性优异优异优异优异延展性(％)250280295250拉伸强度(mpa)20253020粘结力(gf/25mm)100125140115
100.由表1的性能测试结果可知，本方案一种复合晶圆保护膜的制备方法制备的复合晶圆保护膜具有优异的柔韧性和延展性，且其力学性能较好，能有效保证对基层的附着力。
101.以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。