半导体单管激光器的存储装置的制作方法

本发明属于光电子器件存储领域，更具体地涉及一种半导体单管激光器的存储装置。

背景技术：

半导体激光器具有功率转换效率高、体积小和重量轻等诸多优点，是固体激光器和光纤激光器最有前景的泵浦源，广泛应用于激光医疗、工业加工和国防军事领域。随着科技的高速发展，对高亮度半导体泵浦源的需求也越来越迫切。大功率半导体COS封装的单管激光器凭借其转换效率高、光束质量好、散热性能好等优点成为高效的泵浦源，具有非常广泛的潜在应用领域。半导体激光器的腔面具有形成谐振腔和输出光的作用，在半导体激光器的工艺生产、存储和运输过程中需要特别保持激光器腔面的光洁度，防止损伤或沾污激光器腔面导致的激光器性能的严重下降甚至失效，这就给单管半导体激光器的存储和运输带来了极大的困难。因此，研究和发明可以安全存储和运输单管半导体激光器的储存装置是本领域的一个研究重点。

目前，在市面上很少有关于妥善储存、运输单管半导体激光器的储存装置出售，虽然有一部分储存装置可以基本满足要求，但是价格极其昂贵，并且无法大量储存和运输，因此很难在市场上买到合适的单管半导体激光器储存装置。本发明提出一种大功率半导体COS封装单管激光器存储装置，可叠加使用，方便大功率半导体单管激光器的存储，在移动过程中可使单管不易于左右移动而刮伤出光面和造成正负极短路，方便取用。

技术实现要素：

基于以上问题，本发明的主要目的在于提出一种半导体单管激光器的存储装置，用于解决以上技术问题中的至少之一。

为了实现上述目的，本发明提出了一种半导体单管激光器的存储装置，由n个存储层叠置而成，其中n为自然数，每个存储层具有一基板，其中对于每一个基板：

基板的上表面形成有一矩形平台，矩形平台上表面具有一凹陷空间，凹陷空间中具有横向和纵向周期排列的矩形体，每个矩形体上具有一与矩形体等长等宽的“+”字形凸台，在矩形体的每一个方位角、即“+”字形凸台向内凹陷的一个位置处与对应相邻的三个“+”字形凸台之间形成有一以矩形体为支撑、“+”字形凸台为限位的存储空间，从而每个“+”字形凸台四周形成有四个相等的存储空间，用于存储半导体单管激光器；

基板的下表面具有一与矩形平台相配合的凹槽，并在凹槽内与每个存储空间四个内角相对应的位置处具有一柱体，当将存储层叠置于另一存储层时，柱体用于抵靠固定放置于另一存储层的存储空间内的半导体单管激光器。

进一步地，上述矩形体与矩形体上的“+”字形凸台组成一个矩形单元，最外层的矩形单元为1/2个单元结构，且四个方位角的矩形单元为1/4个单元结构，1/2个单元结构即：在纵向方向是1/2所述矩形单元宽度的半个矩形体与半个“+”字形凸台，在横向方向是1/2所述矩形单元长度的半个矩形体与半个“+”字形凸台，1/4个单元结构即纵向方向和横向方向均为原矩形单元1/2的1/4个矩形体和1/4个“+”字形凸台。

进一步地，上述横向的相邻矩形体之间的间隙形成取放口，用于取放半导体单管激光器；半导体单管激光器的腔面位于纵向的相邻矩形体之间的间隙中。

进一步地，上述基板的一个角为一45度的倒角。

进一步地，在矩形平台上靠近一组相对边的位置分别具有至少一个矩形槽，且靠近倒角所在边的矩形槽个数大于相对边的矩形槽个数。

进一步地，上述基板下表面的凹槽内具有与矩形槽相对应的矩形柱，用于与另一基板的矩形槽相配合。

进一步地，在矩形平台上，在靠近另一组相对边的位置具有两个空间，用于粘贴具有半导体单管激光器信息的标签。

进一步地，上述存储装置的材料为黑色防静电塑料。

进一步地，上述基板、矩形平台与单个存储层存储的半导体单管激光器的尺寸及个数相匹配，且存储空间的尺寸与存储的半导体单管激光器的尺寸相匹配。

基于上述技术方案可知，本发明提出的半导体单管激光器的存储装置具有以下有益效果：

1、本发明提出的存储装置，在横向的相邻矩形体之间的间隙形成取放口，用于取放半导体单管激光器，使得取放方便；存储时半导体单管激光器的出光面位于纵向的相邻矩形体之间的间隙中，可以有效防止激光器的出光面与存储装置的接触，避免了在夹取和存储单管激光器时造成对激光器不必要的损伤，从而可以有效的保护单管的出光面避免产生任何损伤，防止金丝坍塌造成的激光器正负极短路；

2、本发明提出的存储装置，由于其基板的下表面的凹槽内，在与存储空间内角相对应的位置具有一柱体，用于固定另一存储层的半导体单管激光器，从而保证存储装置在移动过程中单管激光器不易于左右移动，从而进一步避免了出光面刮伤造成的激光器损伤和正负极短路；

3、本发明提出的存储装置可叠加使用，采用黑色防静电材料，可有效防静电，能大大节约成本，且可将不同的单管分类存储，相互之间不受影响；

4、本发明提出的存储装置可以与bar条存储盒的固定架配套使用。

附图说明

图1是本发明一实施例提出的半导体单管激光器的存储装置中单个存储层的上表面结构示意图；

图2是本发明一实施例提出的半导体单管激光器的存储装置中单个存储层的下表面结构示意图；

图3是本发明一实施例提出的半导体单管激光器的存储装置中单个存储层的上表面局部放大结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。

本发明公开了一种半导体单管激光器的存储装置，由n个存储层叠置而成，其中n为自然数，每个存储层具有一基板，其中对于每一个基板：

基板的上表面形成有一矩形平台，矩形平台上表面具有一凹陷空间，凹陷空间中具有横向和纵向周期排列的矩形体，每个矩形体上具有一与矩形体等长等宽的“+”字形凸台，在矩形体的每一个方位角、即“+”字形凸台向内凹陷的一个位置处与对应相邻的三个“+”字形凸台之间形成有一以矩形体为支撑、“+”字形凸台为限位的存储空间，从而每个“+”字形凸台四周形成有四个相等的存储空间，用于存储半导体单管激光器；

基板的下表面具有一与矩形平台相配合的凹槽，并在凹槽内与每个所述存储空间四个内角相对应的位置处具有一柱体，当将存储层叠置于另一存储层时，柱体用于抵靠固定放置于另一存储层的存储空间内的半导体单管激光器。

上述矩形体与矩形体上的“+”字形凸台组成一个矩形单元，最外层的矩形单元为1/2个单元结构，且四个方位角的矩形单元为1/4个单元结构，1/2个单元结构即：在纵向方向是1/2所述矩形单元宽度的半个矩形体与半个“+”字形凸台，在横向方向是1/2所述矩形单元长度的半个矩形体与半个“+”字形凸台，1/4个单元结构即纵向方向和横向方向均为原矩形单元1/2的1/4个矩形体和1/4个“+”字形凸台。

优选地，上述横向的相邻矩形体之间的间隙形成取放口，用于取放半导体单管激光器；半导体单管激光器的腔面位于纵向的相邻矩形体之间的间隙中，可以有效防止激光器的出光面与存储装置的接触，避免了在夹取和存储单管激光器时造成对激光器不必要的损伤，从而可以有效的避免单管的出光面产生任何损伤，防止金丝坍塌造成激光器正负极短路。

其中，上述基板的一个角为一45度的倒角，优选地，在矩形平台上靠近一组相对边的位置分别具有至少一个矩形槽，且靠近倒角所在边的矩形槽个数大于相对边的矩形槽个数。

上述基板下表面的凹槽内具有与所述矩形槽相对应的矩形柱，用于与另一基板的矩形槽相配合。

优选地，在矩形平台上，在靠近另一组相对边的位置具有两个空间，用于粘贴具有半导体单管激光器信息的标签。

优选地，上述存储装置的材料为黑色防静电塑料，可有效防止静电对器件的影响。

优选地，上述基板、矩形平台与单个存储层存储的半导体单管激光器的尺寸及个数相匹配，且存储空间的尺寸与存储的半导体单管激光器的尺寸相匹配。

以下通过具体实施例对本发明提出的半导体单管激光器的存储装置进行详细描述。

实施例

如图1-3所示，本实施例提出一种半导体单管激光器的存储装置，该存储装置由n个存储层叠置而成，其中n为自然数，第n-1个存储层的上表面与第n个存储层的下表面相接触。图示为单个存储层的示意图，每个存储层均具有一基板1，其中：

如图1所示为单个存储层上表面的结构示意图，基板101的尺寸为101.6mm×101.6mm×4.8mm，在基板101的上表面形成有一矩形板102，其尺寸为91.4mm×91.4mm×4mm，该矩形板102与基板101的边缘相距5.1mm。矩形板102的尺寸决定了整个存储盒可存放的单管数目以及整个存储盒的大小，也可以根据需要存放的单管数目和大小来决定其尺寸，本实施例提出的矩形板102的尺寸可存放100只MARUWA公司的氮化铝热沉COS封装的大功率半导体单管激光器。

在基板101的一角处，形成有一倒角103，该倒角为45度，用于相邻两个存储层的叠置装配定位，并利于相邻存储层的拆卸。

在矩形板102上表面具有一凹陷空间，在此凹陷空间的横向和纵向形成有周期排列的矩形体104，横向方向的周期为6.4mm，纵向方向的周期为8.5mm，该矩形体104的个数为11×11；在每个矩形体104的上表面具有一“+”字形凸台105，其长宽与矩形体104相等，在矩形体的每一个方位角、即“+”字形凸台105向内凹陷的一个位置处106与对应相邻的三个“+”字形凸台之间形成有一以矩形体104为支撑、“+”字形凸台105为限位的存储空间107，从而每个“+”字形凸台四周形成有四个相等的存 储空间，本实施例中“+”字形凸台105向内凹陷的一个位置处106的尺寸为1.2mm×2.15mm×0.5mm。其中每个矩形体104、其上的“+”字形凸台105形成一个矩形单元，周期排列的矩形体的外围为1/2个矩形单元且四个方位角的矩形单元为1/4个单元结构。

另外，半导体单管激光器存储于以矩形体104为支撑、“+”字形凸台105为限位的存储空间107中。

如图3所示为单个存储层上表面的局部放大结构示意图，从图3可以看出，横向排列的矩形体104之间具有第一间隙108，间隙宽度为2.4mm，用于作为取放口，取放半导体单管激光器；纵向排列的矩形体104之间具有第二间隙109，第二间隙109的宽度为1.8mm，存储时，半导体单管激光器的腔面位于此间隙中。

矩形板102在靠近第一边110的位置形成有一第一矩形槽114，其长宽为55mm×2mm，在靠近第一矩形槽114相对的第二边111的位置具有两个大小不等的第二矩形槽115和第三矩形槽116，第二矩形槽115的长宽为40mm×2mm，第三矩形槽116的长宽为15mm×2mm，所述第一至第三矩形槽用于存储层上下叠加时定位配合。在靠近矩形板102中靠近第三边112和第四边113的位置分别具有一空间117，此空间可以粘贴标签，用来标记单管激光器的信息，同时每个矩形体104旁也可标记数字，便于识别、取用。

如图2所示为单个存储层下表面的结构示意图，基板101的下表面在与矩形板102相对应的位置处具有一凹槽201，且该凹槽201的尺寸为91.8mm×91.8mm×3.4mm，在使用时，单个存储层的下表面盖于另一存储层上，防止单管被外界污染和损伤；凹槽201内与矩形板102上每一存储空间107的内角相对应的位置形成有一小圆柱体202，该圆柱体的尺寸为φ0.5mm×1mm，单个存储层的下表面盖于另一存储层上时，圆柱体202能有效的防止单管激光器在存储空间107内左右移动，同时也避免了凹槽201压破另一存储层中的单管激光器，防止造成单管激光器的金丝坍塌，致使激光器正负极短路。凹槽201中在与矩形板102上表面的第一矩形槽114、第二矩形槽115和第三矩形槽116相对应的位置，形成有尺寸相匹配的第一矩形柱203、第二矩形柱204和第三矩形柱205，方便相邻两个 存储层上下叠加使用时定位，防止存储盒之间由于改变方向而出现套错现象。

本实施例中存储装置采用的材料是黑色防静电塑料，经济耐用，结构简单，价格低廉，可以有效的保证高功率半导体COS封装单管激光器的存储，防止对大功率单管激光器腔面的损伤。同时，该存储盒盒与盖融为一体，可以叠放使用，易于存储，能大大节约成本和使用空间。另外，可以与市面上现有的4英寸bar条存储盒的固定架配套使用，用于高功率半导体COS封装单管激光器的运输。

本发明中所述尺寸是针对MARUWA公司的氮化铝热沉COS封装的大功率半导体单管而定，并不局限于这一具体尺寸结构的实施例。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。