1.一种用于烧结工艺的密封袋，其特征在于，所述密封袋材料为耐高温材料，容积范围为10mm3～500mm3；所述耐高温材料选自：特氟龙、聚酰亚胺薄膜、铝箔胶带、聚酯薄膜胶带中的一种；所述密封袋形状选自：三角形、四边形、梯形、菱形、五角星、六边形、圆形中的一种。
2.一种烧结工艺，其特征在于，采用如权利要求1所述的用于烧结工艺的密封袋，所述工艺包括以下步骤：
s2.1将待烧结产品放置于所述密封袋内；用包封设备对密封袋进行封口，形成真空密封；
s2.2将密封后的待烧结产品，放置于烧结炉内，在烧结炉内通入烧结气氛，调整烧结温度，设置压力辅助及保温时间，得到烧结件；所述烧结气氛选自：氩气、空气、氮气、5％氢氩混合气、甲酸、真空中的一种；
s2.3将装有所述烧结件的密封袋打开，放气，得到烧结成型的产品。
3.如权利要求2所述的烧结工艺，其特征在于，所述烧结温度：100℃-280℃，所述保温时间30s--30min，所述压力辅助0mpa-30mpa。
4.如权利要求2所述的烧结工艺，其特征在于，所述密封袋的真空度小于1×102pa。
5.如权利要求2所述的烧结工艺，其特征在于，所述包封设备选自真空封口机、真空包装机中的一种。
6.如权利要求2所述的烧结工艺，其特征在于，所述密封袋的封口粘合温度为290℃～350℃。
7.如权利要求2所述的烧结工艺，其特征在于，在所述s2.1之前，所述工艺还包括：
s2.4在基板上设置连接材料，将芯片放置在所述连接材料上，烘干，得到所述待烧结产品。
8.如权利要求2所述的烧结工艺，其特征在于，在所述s2.1之前，所述工艺还包括：
s2.5在基板上设置连接材料，烘干，将芯片放置在所述连接材料上，形成待烧结单件；准备托盘，把多个待烧结单件放在托盘上，得到所述待烧结产品，所述托盘设置多个凹槽，用于固定待烧结产品。
9.如权利要求7或权利要求8所述的烧结工艺，其特征在于，所述连接材料选自：纳米金属膏、纳米金属浆料、纳米金属墨水、纳米金属膜材料中的一种，所述设置方法为印刷或贴或涂覆。
10.如权利要求7或权利要求8所述的烧结工艺，其特征在于，所述烘干环境为：温度：100℃-150℃，保温时间：30s-30min，气氛：选自空气、氮气、真空中的一种。