1.一种污水深度净化装置，其特征在于，包括格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，等离子体单元，氢还原脱氮单元，混凝沉淀池，气体处理单元和污泥浓缩单元；
所述等离子体单元包括等离子体机；
所述污泥浓缩单元包括污泥浓缩池和污泥脱水机；
所述格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，等离子体单元，氢还原脱氮单元，混凝沉淀池依次连接，污水经过格栅过滤和曝气沉淀池沉淀后经过生化处理池和二沉池进行生化处理及沉淀，然后经过等离子体单元处理后进入氢还原脱氮单元脱除氨氮和总氮最后再经过混凝沉淀池进行混凝沉淀；
污泥浓缩单元则对所述格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，氢还原脱氮单元和混凝沉淀池产生的沉淀进行污泥浓缩及过滤。
所述气体处理单元对所述生化处理池和二沉池产生的沼气经收集、淋洗、吸收和净化处理。
2.根据权利要求1所述的污水深度净化装置，其特征在于，水体分别通过提升泵泵入所述生化处理池和等离子体单元。
3.根据权利要求1所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述格栅包括粗格栅和细格栅。
4.根据权利要求1-3之一所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述生化处理池为氧化沟生化处理系统、AA/O生化处理系统、SBR生化处理系统或生物曝气过滤处理系统。
5.根据权利要求4所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述氧化沟生化处理系统是Pasveer氧化沟、T型三沟式氧化沟、DE型氧化沟、Carrousel氧化沟或Orbal氧化沟。
6.根据权利要求4所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述AA/O生化处理系统是应用的A2/O工艺或UCT工艺。
7.根据权利要求4所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述SBR生化处理系统是应用传统SBR工艺、CAST工艺、UNITANK工艺或MSBR工艺。
8.根据权利要求1-3之一所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述等离子体机的脉冲工作电压为350～10000V，相邻两电极间的电压为6～9V，频率为2400～2600MHz，电流密度为1～600mA/cm2,步骤(4)中污水在电解机中的停留时间为5s～10min。
9.根据权利要求1-3之一所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述等离子体机设有脉冲电源和等离子发生槽，所述离子发生槽内的阴极为钛、铁、铝、锌、铜、铅、镍、钼、铬、有贵金属氧化物涂层的惰性电极中的一种，阳极为有贵金属氧化物涂层的惰性电极，电极为板状或网状。
10.根据权利要求1-3之一所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述混凝沉淀池中的混凝沉淀使用的混凝剂为铁盐、铝盐、聚铝、聚铁的一种或任意两种以上组合；所述铁盐为硫酸铁、硫酸亚铁；所述铝盐为硫酸铝或氯化铝；所述聚铝为聚合氯化铝、聚合硫酸铝或聚合硅酸铝；所述聚铁为聚合氯化铁、聚合硫酸铁或聚合硅酸铁；所述混凝剂的用量为1～50g/m3。
11.根据权利要求1-3之一所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述混凝沉淀池中的混凝沉淀中使用的助凝剂为PAM，用量为1～3g/m3。
12.根据权利要求1-3之一所述的污水深度净化装置，其特征在于，在所述混凝沉淀池前设置pH检测装置，当检测水体的pH小于7时，在水体中加入氢氧化钠或碳酸钠调节水体的pH值为7～9。
13.根据权利要求1-3之一所述的污水深度净化装置，其特征在于，在所述曝气沉砂池和生化处理池之间设置初沉池。