一种用于微电子材料半导体原料回收再利用设备的制作方法

本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种用于微电子材料半导体原料回收再利用设备。

背景技术：

微电子技术是随着超大规模集成电路发展起来的一种新型技术，主要包括系统电路设计、工艺技术、自动测试及封装等一系列技术，微电子技术在现代物理科学中扮演着重要的角色，在微电子技术的发展中，半导体原料是微电子工作的必不可少的材料，而且半导体材料的成本很高，一般都会需要进行回收利用，在半导体回收的过程中，一般会对半导体原料进行切割破碎，然后进行熔融，但是，现有的破碎和熔融的设备存在下列问题：

1、在对半导体材料进行破碎处理时，由于半导体原料的破裂会产生大量的半导体粉尘，而这些粉尘会漂浮在附近的空气中，一旦人体吸入这些半导体粉尘，对人的健康是有极大的危害的；

2、在对半导体原料进行熔融时，由于半导体原料在电熔箱内一般不会剧烈运动，所以容易出现靠近电熔箱加热区的部分熔融效果好，远离电熔箱加热区的部分熔融效果低的现象，导致最后熔融出的材料成分不够均匀，而且熔融过程中产生的大量热能得不到利用，造成资源的浪费。

所以，需要设计一种用于微电子材料半导体原料回收再利用设备来解决上述问题。

技术实现要素：

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种用于微电子材料半导体原料回收再利用设备。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种用于微电子材料半导体原料回收再利用设备，包括处理箱与支撑柱，所述支撑柱上壁设有驱动机构，所述处理箱内部设有破碎机构，所述处理箱两内壁均设有除尘机构，所述除尘机构包括固定连接在处理箱内壁的橡胶盒，所述橡胶盒内壁固定连接有永磁块，所述永磁块侧壁固定插接有铜框，所述橡胶盒上壁通过拉伸弹簧弹性连接有移动板，所述铜框两端通过导线分别与拉伸弹簧的上下侧壁固定连接，所述移动板远离处理箱一端的侧壁固定连接有毛皮层，且毛皮层与橡胶盒内壁接触，所述橡胶盒内部转动连接有旋转磁块，所述处理箱下壁固定连接有电熔箱，所述电熔箱上设有自搅拌机构，所述自搅拌机构包括固定连接在电熔箱侧壁的导热罩与隔热罩，所述导热罩与隔热罩内共同设有转盘，所述转盘内部设有两个弧形腔，两个所述弧形腔通过连接腔连通，两个所述弧形腔内壁均通过记忆金属片弹性连接有滑塞，两个所述滑塞之间的空间填充有配重液，两个所述转盘相对的侧壁共同固定连接有第一转轴，且第一转轴贯穿电熔箱侧壁，所述第一转轴位于电熔箱内的侧壁交错设有多个搅拌刀片。

优选地，所述驱动机构包括设置在支撑柱上壁的驱动电机，所述处理箱侧壁转动连接有两个第二转轴，且其中一个第二转轴与驱动电机的输出轴固定连接，两个所述第二转轴位于处理箱外的侧壁均固定连接有齿轮，且两个齿轮啮合。

优选地，所述破碎机构包括设置在处理箱内的两个破碎筒，且破碎筒侧壁为齿状，两个所述破碎筒分别固定连接在两个第二转轴侧壁。

优选地，所述旋转磁块固定连接在第二转轴侧壁，所述旋转磁块与永磁块异极相吸。

优选地，所述电熔箱上壁连通设有接料斗，所述接料斗位于两个破碎筒之间。

优选地，所述橡胶盒内壁设有滑槽，所述移动板远离毛皮层的一端位于滑槽内。

本发明具有以下有益效果：

1、与现有技术相比，本发明设有除尘机构，在装置工作时，能够通过第二转轴的转动带动旋转磁块转动，从而使导线框间断地切割磁感线，产生电流，使弹簧不断地做收缩-延伸运动，从而带动移动板侧壁的毛皮层上下往复运动，摩擦橡胶盒侧壁，使橡胶盒侧壁产生静电，吸附由于破碎工作产生的半导体粉尘，防止粉尘被人们吸入，保护了人们的健康；

2、与现有技术相比，本发明设有自搅拌机构，通过熔融时产生的热量使转盘下端受热，记忆金属片受热延伸，推动滑塞移动，将配重液挤压进入另一个弧形腔，使转盘重心发生偏移而转动，重复上述操作使转盘持续转动，对电熔箱内部的半导体原料进行搅拌，加快熔融速率，也使得半导体原料熔融的更佳均匀；

附图说明

图1为本发明提出的一种用于微电子材料半导体原料回收再利用设备的结构示意图；

图2为图1的a-a向截面图；

图3为本发明提出的一种用于微电子材料半导体原料回收再利用设备的后视图；

图4为本发明提出的一种用于微电子材料半导体原料回收再利用设备的c处结构放大图；

图5为本发明提出的一种用于微电子材料半导体原料回收再利用设备的b处结构放大图。

图中：1处理箱、2橡胶盒、3破碎筒、4电熔箱、5接料斗、6第二转轴、7支撑柱、8驱动电机、9齿轮、10转盘、11导热罩、12隔热罩、13第一转轴、14搅拌刀片、15记忆金属片、16滑塞、17配重液、18弧形腔、19连接腔、20拉伸弹簧、21滑槽、22移动板、23毛皮层、24永磁块、25铜框、26旋转磁块。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

参照图1-5，一种用于微电子材料半导体原料回收再利用设备，包括处理箱1与支撑柱7，支撑柱7上壁设有驱动机构，驱动机构包括设置在支撑柱7上壁的驱动电机8，处理箱1侧壁转动连接有两个第二转轴6，且其中一个第二转轴6与驱动电机8的输出轴固定连接，两个第二转轴6位于处理箱1外的侧壁均固定连接有齿轮9，且两个齿轮9啮合。

处理箱1内部设有破碎机构，破碎机构包括设置在处理箱1内的两个破碎筒3，且破碎筒3侧壁为齿状，两个破碎筒3分别固定连接在两个第二转轴6侧壁。

处理箱1两内壁均设有除尘机构，除尘机构包括固定连接在处理箱1内壁的橡胶盒2，橡胶盒2内壁固定连接有永磁块24，永磁块24侧壁固定插接有铜框25，铜框25为u型结构，橡胶盒2上壁通过拉伸弹簧20弹性连接有移动板22，橡胶盒2侧壁设有滑槽21，移动板22远离毛皮层23的一端位于滑槽21内，铜框25两端通过导线分别与拉伸弹簧20的上下侧壁固定连接，导线要足够长，保证拉伸弹簧20能够顺利地做收缩与延伸动作，移动板22远离处理箱1一端的侧壁固定连接有毛皮层23，且毛皮层23与橡胶盒2内壁接触，橡胶盒2内部转动连接有旋转磁块26，旋转磁块26固定连接在第二转轴6侧壁，旋转磁块26与永磁块24异极相吸。

处理箱1下壁固定连接有电熔箱4，进一步地，可在电熔箱4侧壁设置出料管和阀门，在熔融完成后打开阀门将半导体材料回收出来，电熔箱4上设有自搅拌机构，自搅拌机构包括固定连接在电熔箱4侧壁的导热罩11与隔热罩12，导热罩11由导热性好的材料制成，能够很好地将电熔箱4侧壁的热量传递到导热罩11内，隔热罩12由绝热性好的材料制成，能够保证隔热罩12内的温度不受导热罩11与电熔箱4的高温所影响，导热罩11与隔热罩12内共同设有转盘10，且转盘10侧壁与导热罩11、隔热罩12侧壁接触，使导热和散热效果更佳，转盘10内部设有两个弧形腔18，两个弧形腔18通过连接腔19连通，连接腔19要足够细，保证滑塞16运动时能够顺利地将配重液17挤压进入另一个弧形腔18内，两个弧形腔18内壁均通过记忆金属片15弹性连接有滑塞16，记忆金属片15呈螺旋状，在环境温度达到其变态温度时，能够延伸成条状，两个滑塞16均与弧形腔18内壁密封滑动连接，两个弧形腔18远离连接腔19一端侧壁通过细管与外界连通，使滑塞16能够顺利移动，两个滑塞16之间的空间填充有配重液17，两个转盘10相对的侧壁共同固定连接有第一转轴13，且第一转轴13贯穿电熔箱4侧壁，贯穿处设有耐高温的密封圈，第一转轴13位于电熔箱4内的侧壁交错设有多个搅拌刀片14，进一步地，搅拌刀片14倾斜设置，且搅拌刀片14为镰刀状，能够在搅拌的同时进一步切割半导体原料，加快熔融速率。

本发明中，所述电熔箱4上壁连通设有接料斗5，所述接料斗5位于两个破碎筒3之间，经过两个破碎筒3破碎处理完成的半导体原料能够落到接料斗5中，再进入电熔箱4内进行熔融。

本发明中，在使用时，打开驱动电机8，将需要处理的半导体原料倒入两个破碎筒3之间，驱动电机8通过第二转轴6带动两个啮合的齿轮9转动，进而带动两个破碎筒3之间，破碎筒3转动时能够将半导体原料进行挤压和破碎处理，在破碎过程中会由于半导体原料的破碎扬起大量原料灰尘，在第二转轴6转动的同时，会带动其侧壁的旋转磁块26转动，旋转磁块26经过导线框25时，会使导线框25切割旋转磁块26与永磁块24之间的磁感线，在旋转磁块26远离导线框25时，导线框25不再切割磁感线，从而使导线框25间断地产生感应电流，感应电流流过拉伸弹簧20时，拉伸弹簧20会收缩，所以，拉伸弹簧20会一直做收缩-延伸运动，从而带动移动板22上下往复运动，使移动板22侧壁的毛皮层23与橡胶盒2内壁摩擦，毛皮层23与橡胶盒2摩擦会使橡胶盒2侧壁产生静电，从而吸附破碎过程中产生的半导体灰尘，工作人员只需在使用完毕时将灰尘从橡胶盒2侧壁擦除即可。

在破碎工作开始后，打开电熔箱4，破碎处理完成的半导体原料落入电熔箱4内，电熔箱4产生的高温通过导热罩11传递到导热罩11内，转盘10靠近导热罩11一端温度升高，达到记忆金属片15的变态温度，记忆金属片15开始延伸成条状，并且推动下端的滑塞16移动，将配重液17挤压进入上端的弧形腔18内，从而使转盘10的重心发生偏移，带动转盘10转动，上端的弧形腔18转动到下端，进行受热，下端的弧形腔18转动到上端进行冷却，上端的记忆金属片15逐渐冷却，收缩成螺旋状，下端的记忆金属片15又逐渐受热，延伸成条状，又推动滑塞16运动，重复上述操作，使转盘10保持转动，转盘10转动的同时能够带动第一转轴13转动，从而带动搅拌刀片14转动，搅拌刀片14转动时，能够进一步切割半导体原料，并且对半导体原料进行搅拌，加快熔融的速率，值得注意的是，转盘10受热和冷却需要过程，所以转速较慢，但不会影响电熔箱4内部的搅拌功能与切割功能。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。