br>[0071]但是，有机物水垢无法用剪切力去除，经过长时间的运转逐渐蓄积。例如海水淡化系统I的情况下，根据预处理部20的结构和性能、海水的水质、以及由注药系统24注入的药品种类等会有变动，但用T0C(Total Organic Carbon:总有机碳量)换算，输送到脱盐部30的海水中含有0.1?10mg/L左右的有机物。
[0072]当RO膜上产生由有机物带来的污垢时，RO膜的过滤能力下降。过滤能力下降了的情况下，通过沿着RO膜的膜面冲清洗液来清洗RO膜的膜面。但是，在即使清洗RO膜的膜面过滤能力也没有恢复的情况下，需要更换元件。在海水淡化系统I中更换RO膜组件32的元件。
[0073]在如上的元件的更换时，由于长时间停止海水淡化系统1，海水淡化系统I的运转率下降。另外，由于元件的零件费用和更换的作业费用会附加到运转成本中，所以海水淡化系统I的运转成本上升。因此，为了降低水处理成本，需要尽可能地从输送到RO膜组件32的海水中排除有机物。
[0074]但是，若过度进行预处理，由于凝集剂和杀菌剂的过量添加，运转成本增大。此外，由于添加过量的凝集剂而无法使用于海水中含有的有机物的絮凝物的成长的剩余部分，会通过超滤膜组件22并附着在RO膜上，给RO膜带来负荷。
[0075]<R0膜的污垢的减少方法>
[0076]因此，在实施例1中，评价输送到RO膜组件32的供给水的水质，控制预处理部20的参数(例如凝集剂等药品注入量、向超滤膜组件22输水的输水泵22a的运转压力等)，以便针对其水质进行最优选的预处理。由此，不会进行过度的预处理就能够从输送到RO膜组件32的供给水中排除污垢原因物质，因此能够减少RO膜的污垢的产生。其结果，能够减少RO膜的膜面的清洗及RO膜组件32的元件更换的次数，另外，能够减少凝集剂等的添加量，所以能够降低海水淡化系统I的运转成本。
[0077]在此，由海水淡化系统I淡化的海水中含有多种悬浮成分，而根据悬浮成分与RO膜的亲和性的不同等，悬浮成分对污垢的产生的影响程度也不同。因此，海水的总有机碳量与在RO膜产生的污垢的相关性不一定高。
[0078]因此，作为评价输送到RO膜组件32的供给水的水质的方法，为了评价是否是实际上容易产生污垢的水质，使用具有与RO膜类似的表面状态的传感器，测定输送到RO膜组件32的供给水中含有的污垢原因物质的质量。
[0079]在实施例1中，如图1所示，在副管路LS2(比RO膜组件32靠下游且比浓缩水槽36靠上游的位置)设置吸附量测定部35。在吸附量测定部35，设置具有与RO膜类似的表面状态的传感器(例如后述的吸附量测定传感器35a)，在吸附量测定部35，能够测定吸附于传感器的浓缩水中含有的污垢原因物质的吸附量。此外，在从RO膜组件32到浓缩水槽36的副管路LS2，污垢原因物质被浓缩。因此，即使是输送到RO膜组件32的供给水中含有的污垢原因物质的浓度低的情况，也能够高精度地测定吸附于传感器的污垢原因物质的吸附量。此外，吸附量测定部35也可以是具备分析室、将浓缩水从阀VL5通过配管送到分析室而进行测定的结构。
[0080]如上所述，在吸附量测定部35，能够测定吸附于传感器的浓缩水中含有的污垢原因物质的吸附量。但是，由于污垢原因物质的一部分会附着在RO膜组件32上，所以由吸附量测定部35测定的污垢原因物质的吸附量的测定结果与输送到RO膜组件32的供给水中含有的污垢原因物质的质量有可能不会简单地对应。
[0081 ] 但是，使用浓缩水而测定出的污垢原因物质的质量，对于输送到RO膜组件32的供给水中含有的污垢原因物质的质量，与浓缩水的浓缩率大致成正比地增加。因此，使用由吸附量测定部35测定的污垢原因物质的吸附量的测定结果，能够计算出输送到RO膜组件32的供给水中含有的污垢原因物质的质量。根据该计算出的值，可以知道输送到RO膜组件32的供给水的水质。
[0082]下面，说明具体的水质测定方法。
[0083]首先，根据输送到RO膜组件32的供给水的水量以及从RO膜组件32排出的透过水(在图1的主管路LM中流动的水)的水量，计算出从RO膜组件32排出的浓缩水(在图1的副管路LS1、LS2中流动的水)的浓缩率。接着，由吸附量测定部35测定吸附于传感器的污垢原因物质的吸附量。然后，根据由吸附量测定部35测定出的吸附于传感器的污垢原因物质的吸附量以及浓缩水的浓缩率，计算出输送到RO膜组件32的供给水中含有的污垢原因物质的质量。
[0084]这样，根据由吸附量测定部35测定出的吸附于传感器的污垢原因物质的吸附量，能够评价输送到RO膜组件32的供给水的水质(污垢原因物质的质量)。
[0085]以由上述水质测定方法得到的、输送到RO膜组件32的供给水的水质作为判断基准，控制预处理部20的参数，以便能够针对输送到RO膜组件32的供给水的水质进行最优选的预处理。例如输送到RO膜组件32的供给水中含有的污垢原因物质的质量大的情况下，只要增大凝集剂的添加量即可。这样，通过针对输送到RO膜组件32的供给水的水质进行最优选的预处理，不会进行过度的预处理就能够从输送到RO膜组件32的供给水中排除污垢原因物质，因此能够减少RO膜的污垢的产生。
[0086]其结果，能够提高海水淡化系统I的造水性能。并且，能够减少RO膜的膜面的清洗及RO膜组件32的元件更换的次数，另外，能够减少凝集剂等的添加量，因此，能够降低海水淡化系统I的运转成本。
[0087]在实施例1中，作为设置在吸附量测定部35的传感器，应用了能够根据晶体振子微天平法测定吸附于传感器的测定面上的吸附物的质量的吸附量测定传感器35a。
[0088]下面，使用图2说明吸附量测定传感器35a的具体结构。图2是表示实施例1的吸附量测定传感器35a的结构的一个例子的剖视图。
[0089]如图2所示，吸附量测定传感器35a由传感器芯片350 (例如，Q-Sense社制的销售品)和形成在传感器芯片350的测定面Fl上的芳香族聚酰胺膜351构成。
[0090]传感器芯片350由以下构件构成，即例如厚度约0.3mm、直径约14mm的呈薄圆板形状的AT切割水晶板(晶体振子)350a、形成在AT切割水晶板350a的两面上的金电极350b、以及在传感器芯片350的一面上经由金电极350b通过溅射法形成的二氧化硅(S12)膜350c。金电极350b的厚度为约300nm，二氧化硅膜350c的厚度为约lOOnm。
[0091]晶体振子微天平法是利用了例如吸附量测定传感器35a的AT切割水晶板350a产生的剪切*9 )振动的谐振频率与AT切割晶体板350a的质量成正比的原理的测定方法。将测定面Fl ( 二氧化硅膜350c成膜的面)吸附了吸附物时的质量变化作为谐振频率的变化而检测。即，谐振频率的变化为吸附物的质量。
[0092]下面，使用上述图2、图3及图4(a)说明在传感器芯片350的测定面Fl上成膜芳香族聚酰胺膜351的方法的第一个例子。图3是说明在实施例1的传感器芯片350的测定面Fl形成芳香族聚酰胺膜351的工序的一个例子的工序图。图4(a)是形成在实施例1的传感器芯片350的测定面Fl上的芳香族聚酰胺膜的化学结构式。此外，将与传感器芯片350的测定面Fl相反侧的面称为背面F2。
[0093]步骤SI (背面保护):在传感器芯片350的背面F2贴附掩蔽膜等，覆盖保护背面F2。
[0094]步骤S2(干洗):在传感器芯片350的测定面Fl上照射准分子紫外线(波长192nm)，使测定面Fl亲水化并且去除油脂成分等。
[0095]步骤S3 (硅烷偶联处理):将传感器芯片350浸入硅烷偶联剂(3_氨基丙基三甲氧基硅烷)的1%水溶液2分钟后，用流水冲洗取出的传感器芯片350，并用氮气吹去液体。
[0096]步骤S4(加热):在80°C条件下将传感器芯片350加热10分钟，进行偶联反应。
[0097]步骤S5 (在二胺水溶液中浸渍):使测定面Fl朝上地将传感器芯片350放入浅底碟等容器后，倒入0.04被％的m-苯二胺水溶液，以使整个传感器芯片350浸渍。
[0098]步骤S6(滴加二羧酸己烷溶液):在m-苯二胺水溶液的表面注入0.04wt%的对苯二甲酸氯化物的己烷溶液，以使其以约Imm厚度层叠。
[0099]步骤S7(在界面形成膜):静置20?30秒，在界面形成聚酰胺薄膜。
[0100]步骤S8(转移):倾斜拉起传感器芯片350，使形成在界面的聚酰胺薄膜转移到传感器芯片350的测定面Fl上。
[0101]步骤S9 (加热):用800C的加热板将传感器芯片350加热5分钟，使残存在传感器芯片350上的水溶液蒸发。
[0102]步骤SlO (清洗):用纯水清洗传感器芯片35