技术特征：
1.一种在用于制造半导体器件的装置中使用的过滤器件，包括：一个或多个滤膜；以及过滤器壳体，包围所述一个或多个滤膜，其中，所述滤膜中的每个包括由陶瓷材料制成的基膜以及多个通孔，以及所述基膜涂有涂覆材料。2.根据权利要求1所述的过滤器件，其中，所述多个通孔的平均直径在10nm至500nm的范围内。3.根据权利要求2所述的过滤器件，其中，所述多个通孔的直径的变化在所述平均直径的5％至25％的范围内。4.根据权利要求1所述的过滤器件，其中，所述基膜的厚度在50nm至500nm的范围内。5.根据权利要求1所述的过滤器件，其中，多个通孔的高宽比在2至10的范围内。6.根据权利要求1所述的过滤器件，其中，所述涂覆材料包括以下各项中的一种或多种：pe(聚乙烯)、ptfe(聚四氟乙烯)、pvdf(聚偏二氟乙烯)、pfa(聚氟烷氧基)、hdpe(高密度聚乙烯)、pas(聚芳基砜)、pes(聚醚砜)、ps(聚砜)、pp(聚丙烯)和peek(聚醚醚酮)或其衍生物。7.根据权利要求1所述的过滤器件，其中，所述陶瓷是阳极氧化铝。8.根据权利要求1所述的过滤器件，其中，每平方微米的所述多个孔的总数在100至600的范围内。9.一种液体供应系统，包括：半导体晶圆处理装置；液体罐，被配置为存储用于制造半导体器件的液体；液体供应系统，用于从所述液体罐向所述半导体晶圆处理装置供应所述液体；以及终端(pou)过滤器件，设置在所述液体供应系统上，其中，所述终端过滤器件包括：一个或多个滤膜；以及过滤器壳体，包围所述一个或多个滤膜，所述滤膜中的每个包括由阳极氧化铝制成的基膜以及多个通孔，以及所述基膜涂有涂覆材料。10.一种清洁过滤器件的方法，包括：确定所述过滤器件是否要清洁；以及在确定所述过滤器件要清洁之后，使清洁溶液反向流过所述过滤器件，其中，所述过滤器件包括：滤膜；和过滤器壳体，包围所述滤膜，所述滤膜包括由阳极氧化铝制成的基膜以及多个通孔，以及所述基膜涂有涂覆材料。
技术总结
过滤器件包括一个或多个滤膜以及包围该一个或多个滤膜的过滤器壳体。滤膜中的每个包括由陶瓷材料制成的基膜以及多个通孔。基膜涂有涂覆材料。本申请的实施例还涉及液体供应系统和清洁过滤器件的方法。统和清洁过滤器件的方法。统和清洁过滤器件的方法。
技术研发人员：于淳 曾志江 赖意中 庄子寿 贾芸如
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.03.02
技术公布日：2021/9/6