[0069]因此，脱硫单元I可以通过吸收胺吸收液中的硫氧化物将二氧化碳从胺吸收液排放。因此，由于减少了胺吸收液中的碳酸根离子和碳酸氢根离子，所以可减少阴离子化胺。因此，可抑制阴离子脱除单元3中阴离子化胺的脱除，并且可减少胺吸收液中的胺损失。
[0070]此外，由于减少了要提供给阴离子脱除单元3的胺吸收液中的碳酸根离子和碳酸氢根离子，所以可减少在阴离子脱除单元3中用于脱除碳酸根离子和碳酸氢根离子的能量。
[0071]此外，根据第一实施方案的阴离子脱除单元3为电渗析器，并且该电渗析器包括带负电的负电极NE和带正电的正电极PE。此外，电渗析器包括第一阳离子交换膜Cl，以及第一阴离子交换膜Al，其中通过负电极NE向第一阳离子交换膜Cl施加负电荷，并且第一阴离子交换膜Al与第一阳离子交换膜Cl配置成第一基室BS1。此外，电渗析器包括第二阴离子交换膜A2和第二阳离子交换膜C2，第二阴离子交换膜A2与第一阴离子交换膜Al配置成脱盐室DC，脱硫单元I对烟道气101脱硫后的胺吸收液107提供给该脱盐室DC，并且第二阳离子交换膜C2与第二阴离子交换膜A2配置成废液室WC。此外，电渗析器包括第三阴离子交换膜A3，通过正电极PE向第三阴离子交换膜A3施加正电荷并且第三阴离子交换膜A3与第二阳离子交换膜C2配置成第二基室BS2。
[0072]因此，在电渗析过程以及前面的过程中，胺吸收液和氢氧化钠没有直接混合，并因此防止胺被氢氧化钠降解，并且维持了胺吸收液的质量。此外，在电渗析过程中，钠离子没有混合在胺吸收液中，并因此具有无需脱除胺吸收液中钠离子的优点。
[0073]在本文中，热稳定盐脱除系统130可以包括沉淀槽，该沉淀槽在阴离子脱除单元3脱除阴离子之前通过将脱硫单元I对烟道气101脱硫后的胺吸收液107和氢氧化物进行混合来沉淀并分离硫酸根离子。因此，将硫酸根离子预先从胺吸收液107分离，并因此可削减电渗析的电力消耗。
[0074]此外，当扩散渗析器用作阴离子脱除单元3时，ASAHI GLASS C0.，LTD.制造的阴离子交换膜DSV可以作为该扩散渗析器的实例使用。在使用DSV膜的分隔部中，当胺液与纯水以逆流方式交替流动时，阴离子通过浓度差从胺吸收液移动到纯水。此时，对胺进行质子化的氢离子也同时移动到纯水侧，并因此将酸和胺吸收液分离。
[0075](第二实施方案)
[0076]接下来，将对第二实施方案进行说明。在根据第一实施方案的热稳定盐脱除系统130中，当脱硫单元I将胺吸收液提供给阴离子脱除单元3时，不能向脱硫单元I提供新鲜的胺吸收液104。
[0077]与此相反，根据第二实施方案的热稳定盐脱除系统140设有两个罐，并且当胺吸收液从一个罐提供给阴离子脱除单元3时，新鲜的胺吸收液从另一个罐提供给脱硫单元I。
[0078]图3是根据第二实施方案的二氧化碳回收系统200的示意性结构图。
[0079]在本文中，对于和图1中一样的元件，指定相同的参考标记，并省略具体的说明。在根据第二实施方案的二氧化碳回收系统200的配置中，相对于根据第一实施方案的二氧化碳回收系统100的配置，删除了阀VI，并且将热稳定盐脱除系统130变成热稳定盐脱除系统140。在热稳定盐脱除系统140的配置中，相对于根据第一实施方案的热稳定盐脱除系统130，将通路切换单元SW变成通路切换单元SW2，并将控制器CON变成控制器CON2。
[0080]将使用图4对通路切换单元SW2的配置进行说明。图4是根据第二实施方案的通路切换单元SW2的示意性结构图。通路切换单元SW2设有第I三通阀TVl和第一罐Tl。第I三通阀TVl具有第一通路入口、第二通路入口以及通路出口，胺液冷却器5提供的胺吸收液104流入该第一通路入口，脱硫单元I提供的胺吸收液105-1流入该第二通路入口，胺吸收液104或胺吸收液105-1通过该通路出口排放到第一罐Tl。第一罐Tl的通路入口与第I三通阀TVl的通路出口连接。此外，第一罐Tl设有监测第一罐Tl中液面水平的液面传感器，并且将表示液面水平的第一液面水平信号输出到控制器CON2。
[0081]此外，通路切换单元SW2在第一罐Tl的下游侧设有第2三通阀TV2。第2三通阀TV2将第一罐Tl排放的胺吸收液提供给冷却器2或阴离子脱除单元3。第2三通阀TV2具有通路入口、第一通路出口以及第二通路出口，第一罐Tl提供的胺吸收液流入该通路入口，胺吸收液从该第一通路出口排放到冷却器2，胺吸收液从该第二通路出口排放到阴离子脱除单元3。
[0082]此外，通路切换单元SW2设有第3三通阀TV3以及第二罐T2。第3三通阀TV3具有第一通路入口、第二通路入口以及通路出口，胺液冷却器5提供的胺吸收液104流入该第一通路入口，脱硫单元I提供的胺吸收液105-2流入该第二通路入口，胺吸收液104或胺吸收液105-2由该通路出口提供到第二罐T2。第二罐T2的通路入口与第3三通阀TV3的通路出口连接。此外，第二罐T2设有监测第二罐T2中液面水平的液面传感器，并且将表示液面水平的第二液面水平信号输出到控制器CON2。
[0083]此外，通路切换单元SW2在第二罐T2的下游侧设有第4三通阀TV4。第4三通阀TV4将第二罐T2排放的胺吸收液提供给冷却器2或阴离子脱除单元3。第4三通阀TV4具有通路入口、第一通路出口以及第二通路出口，第二罐T2提供的胺吸收液流入该通路入口，胺吸收液从该第一通路出口排放到冷却器2，胺吸收液从该第二通路出口排放到阴离子脱除单元3。
[0084]控制器CON2基于从第一罐Tl输入的第一液面信号检测第一罐Tl是否已经变空。此外，控制器CON2基于从第二罐T2输入的第二液面信号检测第二罐T2是否已经变空。
[0085]控制器CON2基于例如SOx浓度计SOS测量的SOx浓度、第一罐Tl的液面水平以及第二罐T2的液面水平来控制第I三通阀TVl、第2三通阀TV2、第3三通阀TV3和第4三通阀TV4。在下文中，将使用图5和图6说明控制器C0N2对通路切换单元SW2的控制的实例。
[0086]图5是显示根据第二实施方案的控制器C0N2的工艺流程实例的流程图。图6是图5中流程图的延续。
[0087](步骤S101)控制器C0N2通过打开第I三通阀TVl的第一通路入口将胺吸收液104提供给第一罐Tl，并且关闭第2三通阀TV2的第一通路出口以及第二通路出口。因此，将胺吸收液104存储在第一罐Tl中。
[0088](步骤S102)控制器C0N2例如基于第一液面信号监测第一罐Tl的液面水平，并且基于第一液面信号检测是否已经将胺吸收液存储到第一罐Tl中的预定液面水平。在胺吸收液104已经存储到预定液面水平(是)的情况下，控制器C0N2进行步骤S103。另一方面，在胺吸收液104还没有存储到预定液面水平(否)的情况下，控制器C0N2进行等待而没有任何变化。
[0089](步骤S103)在步骤S102中基于第一液面信号检测到已经将胺吸收液存储到第一罐Tl中的预定液面水平的情况下，控制器C0N2通过打开第2三通阀TV2的第一通路出口将胺吸收液由第一罐Tl提供给冷却器2。此外，控制器C0N2通过关闭第I三通阀TVl的第一通路入口停止向第一罐Tl提供胺吸收液104，并且通过打开第二通路入口将胺吸收液105-1从脱硫单元I提供给向第一罐Tl。
[0090]因此，存储在第一罐Tl中的胺吸收液循环通过第2三通阀TV2、冷却器2、脱硫单元I以及第I三通阀TVl。因此，在脱硫单元I中，冷却器2提供的胺吸收液106中的二氧化碳衍生的胺氨基甲酸酯、碳酸根离子和碳酸氢根离子作为二氧化碳在排放气体101中释放，并且使用硫酸根离子、亚硫酸根离子、硝酸根离子和亚硝酸根离子将胺质子化，以形成热稳定盐。
[0091](步骤S104)此外，与步骤S103并行，控制器C0N2通过打开第3三通阀TV3的第一通路入口向第二罐T2提供胺吸收液104。因此，将胺吸收液104存储在第二罐T2中。
[0092](步骤S105)接下来，控制器C0N2判断SOx浓度计SOS检测到的SOx浓度是否已经超过预定阈值。在SOx浓度已经超过预定阈值(是)的情况下，控制器C0N2进行步骤S106。另一方面，在SOx浓度还没有超过预定阈值(否)的情况下，控制器C0N2进行等待而没有任何变化。
[0093](步骤S106)在步骤S105中判断SOx浓度已经超过预定阈值的情况下，控制器C0N2关闭第2三通阀TV2的第一通路出口，并打开第二通路出口。因此，将胺吸收液107-1由第一罐Tl提供给阴离子脱除单元3。
[0094](步骤S107)接下来，控制器C0N2基于第一液面信号监测第一罐Tl的液面水平，并且基于第一液面信号判断第一罐Tl是否已经变空。在判断第一罐Tl已经变空(是)的情况下，控制器C0N2进行步骤S108和步骤S109。另一方面，在判断第一罐Tl还没有