[0044]
[0049]
[0052] 蓝色憐光渗杂剂
[0053]
[0060]
[0065] 电子传输层巧TL)材料
[0066]
[0069] 有机薄膜晶体管材料
[0070]
[007? 实例1
[007引化合物二化嗦并巧，3-f: 2, 3-]哇巧嘟-2, 3, 6, 7, 10, 11-六甲腊（HAT-CN)之纯化
[0074] 将20g HAT-CN栋色粉末与lOg活性碳混合，且放入石英舟202中（参见图2)用 于升华制程。保持隧道炉在恒定溫度（320°C)下8小时。冷却降至室溫后，自腹侧石英管 刮出经纯化的HAT-CN W得到8. 3g经纯化的HAT-CN之白色晶体，产率=41. 5%。
[007引实例2
[0076] 化合物9, 10-二（糞-2-基）蔥（AND)之纯化
[0077] 将35g ADN黄色粉末与20g娃藻±混合，且放入石英舟302中（参见图3)用于升 华制程。保持隧道炉在恒定溫度（265Γ)下3小时。冷却降至室溫后，自腹侧石英管刮出 经纯化的AND W得到3Ig经纯化的ADN之淡黄色晶体，产率=88. 5%。
[0078] 制推有化化装晉，.通用方法
[0079] 提供电阻为9-12奥姆/平方且厚度为120-160nm的IT0涂布玻璃（在下文中为 IT0基板），且于超声波浴（例如清洁剂、去离子水）中W多个清洁步骤清洁。在气相沈积 有机层前，藉由UV及臭氧进一步处理经清洁之IT0基板。用于IT0基板之所有预处理制程 系在洁净室（100级）下进行。
[0080] 藉由气相沈积在高真空单元（10 7托）（诸如电阻式加热石英舟）中将此等有机层 施加至IT0基板上。藉助于石英-晶体监测器精确监测或设定各别层之厚度及气相沈积速 率（0. 1~0. 3nm/sec)。如上所述，个别层亦可由一种W上化合物组成，亦即一般而言渗杂 有客体材料之主体材料。此藉由自两种或两种W上来源共汽化来达成。
[00引]二化嗦并巧，3-f:2, 3-]哇巧嘟-2, 3, 6, 7, 10, 11-六甲腊（HAT-CN)在此有机化装 置中用作电桐注入层。N，N-双（糞-1-基）-N，N-双（苯基）-联苯胺（NPB)最广泛用作电 桐传输层，且4, 7-二苯基-2, 9-双（4-(1-苯基-1H-苯并[d]咪挫-2-基）苯基）-1，10-啡 嘟化T-N8001，美国专利第7, 754, 348号）因相比于BPhen/BCP之高热稳定性及长使用 寿命而在有机化装置中用作电子传输材料。9, 10-二（糞-2-基）蔥（ADN，美国专利第 5,935,721 号）及10，10-二甲基-12-(4-(巧-^基）苯基）-10护巧并[1，2-6]联伸^ 苯（PT-302,美国专利第20140175384号）用作发射主体，且巧)-6-(4-(二苯胺基）苯乙締 基）-N，N-二苯基糞-2-胺值1)用作客体。4, 7-二苯基-2,9-双（4-α-苯基-1H-苯并 [d]咪挫-2-基）苯基）-1，10-啡嘟α；Γ-Ν8001，美国专利第7, 754, 348号）。在本发明中 用于制造标准有机化装置之W上有机化材料之化学结构展示如下：
[0082]
[0083]
[0084] 典型有机化装置由低功函数金属（诸如Al、Mg、Ca、Li及K)组成，作为藉由热蒸 鑛的阴极，且低功函数金属可帮助电子自阴极注入电子传输层。此外，为了减少电子注入阻 障且改进有机化装置效能，在阴极与电子传输层之间引入薄膜电子注入层。电子注入层之 习知材料为具有低功函数的金属面化物或金属氧化物，诸如：Li、LiF、MgO或Li2〇。
[0085] 另一方面，在有机化装置制造之后，藉由使用PR650光谱扫描光谱仪量测化光谱 及CIE坐标。此外，用吉时利化eithley)2400可程序化电压-电流源获得电流/电压、发 光/电压W及产率/电压特征。W上所提及之设备在室溫（约25°C )下及大气压下操作。
[0086] 实例 3
[0087] 使用类似于上述通用方法之程序，制造具有W下装置结构之发射蓝色巧光的有机 化装置：IT0/HAT-CN(20nm)或經纯化的HAT-CN/NPB(130nm)/渗杂5% D1之蓝色巧光主 体（PT-312) (35nm)/LT-N8001 (30nm)/LiF (0. 5nm)/A1 (160nm)。发射蓝色巧光 0L邸装置之 I-V-B及半衰期之测试报导于表1，半衰期定义为lOOOcd/m2之最初亮度降至一半。
[0088] 表 1
[0089]
[0090] 实例 4
[0091] 使用类似于上述通用方法之程序，制造具有W下装置结构之发射蓝色巧光有 机化装置：IT0/HAT-CN (20nm) /NPB (60nm) /AND 或渗杂 5 % D 1 之經纯化的 AND (35nm) / LT-N8001 (30nm)/LiF (0. 5nm)/A1 (160nm)。发射蓝色巧光OLED装置之I-V-B及半衰期之测 试报导于表2,半衰期定义为1000cd/m2之最初亮度降至一半。
[0092] 表 2
[0093]
[0094] W上较佳实施例显示：相较于不使用本发明之纯化方法的比较实例HAT-CN及AND 而言，当經纯化的HAT-CN(来自实例1)及經纯化的AND(来自实例2)用作发射蓝色巧光有 机化装置之材料时，可提供较高之半衰期及实际操作耐久性。在相同亮度下（cd/m2)，在 lOOOcd/m2下于发射蓝色有机化装置使用本发明提及之材料纯化方法亦可达成相对于比较 实例HAT-CN及ADN而言较低的驱动电压。
[0095] 总之，本发明掲示用于有机光电材料之纯化方法及其用于有机光电装置之用途。 本发明之用于有机光电材料之纯化方法可针对有机光电装置延长半衰期、降低驱动电压及 功率消耗。
[0096] 【符号说明】
[0097] 100a 升华设备
[0098] 100b 沈积设备
[0099] 101 有机光电材料及/或吸附剂
[0100] 102 石英舟
[0101] 103 石英管
[0102] 104 隧道炉
[0103] 105 高真空累
[0104] 106 真空腔室
[0105] 107 容器
[0106] 108 高真空累
[0107] 202 石英舟
[0108] 203 混合材料
[0109] 302 石英舟
[0110] 303 有机光电材料
[0111] 304 双层过滤板
[011引 305 吸附剂
[0113] 402 小石英管
[0114] 403 有机光电材料
[0115] 404 双层过滤筒
[0116] 405 吸附剂
[0117] 502 容器
[om] 503 混合材料
[0119] 602 容器
[0120] 603 有机光电材料
[0121] 604 双层过滤板
[0122] 605 吸附剂
【主权项】
1. 一种用于有机光电材料之纯化方法，其包含：在升华制程或沈积制程下将吸附剂嵌 入于该有机光电材料中以除去杂质。2. 如权利要求1之纯化方法，将该吸附剂与该有机光电材料混合，且将该混合材料放 在石英舟上，接着置放于石英管中用于升华制程。3. 如权利要求1之纯化方法，将该吸附剂嵌入于双层过滤板中，且覆盖在装载有有机 光电材料之石英舟上，接着将该石英舟置放于石英管中用于升华制程。4. 如权利要求1之纯化方法，将该吸附剂嵌入于双层过滤筒中，且置放在装载有有机 光电材料之小石英管之两侧，接着置放于石英管中用于升华制程。5. 如权利要求1之纯化方法，将该吸附剂与该有机光电材料混合，且将该混合材料放 入容器中，接着置放于沈积机器之热源上用于沈积制程。6. 如权利要求1之纯化方法，将该吸附剂嵌入于双层过滤板中，且覆盖在装载有该有 机光电材料之容器上，接着置放于沈积机器之热源上用于沈积制程。7. 如权利要求1之纯化方法，该有机光电材料包含有机电致发光材料、有机光伏材料 或有机薄膜晶体管材料，且该有机光电材料用于有机光电装置中。8. 如权利要求1之纯化方法，该吸附剂系选自活性碳、硅藻土、硅胶、沸石、活性氧化 铝、碳分子筛、分子筛及其组合。9. 如权利要求1之纯化方法，该杂质系选自金属离子、卤素离子、染色色彩、颜料、色素 体及其组合。10. 如权利要求1之纯化方法，该吸附剂与该有机光电材料之重量比系选自1:100至 100:1〇
【专利摘要】本发明揭示一种用于有机光电材料之纯化方法。更具体而言，本发明系关于一种用于有机电致发光(在本文中称作有机EL)材料、有机光伏(在本文中称作OPV)材料及有机薄膜晶体管(在本文中称作OTFT)材料之纯化方法。有机光电装置使用该有机光电材料可降低驱动电压，延长半衰期及改良效能。
【IPC分类】B01D15/08, B01D7/00
【公开号】CN105561623
【申请号】CN201510729085
【发明人】颜丰文, 张正澔, 邓进铭
【申请人】机光科技股份有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年10月30日
【公告号】US9224955