一种微电极阵列的制备方法与流程

技术特征：

1.一种微电极阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将正硅酸乙酯和无水乙醇混合搅拌20-40min，加入1,10-菲啰啉、去离子水和盐酸，继续搅拌2-3h，陈化24-48h，得到二氧化硅感光溶胶；上述添加试剂的摩尔比为正硅酸乙酯：无水乙醇：1,10-菲啰啉：去离子水：盐酸＝5:100-200:2.5:10:1；

步骤2：采用步骤1制得的二氧化硅感光溶胶在衬底制备二氧化硅感光薄膜；将掩膜版置于所述二氧化硅感光薄膜表面，在紫外光下曝光30-60min，经无水乙醇溶洗显影后得到微电极阵列。

2.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤1中二氧化硅感光溶胶的配制方法为：将正硅酸乙酯和无水乙醇混合搅拌30min，加入1,10-菲啰啉、去离子水和盐酸，继续搅拌3h，陈化36h，上述添加试剂的摩尔比为正硅酸乙酯：无水乙醇：1,10-菲啰啉：去离子水：盐酸＝5:100-200:2.5:10:1。

3.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤1的所有过程均在氮气手套箱中进行。

4.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤2中采用浸渍提拉法的提拉速度为90-200mm/min。

5.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤2中衬底采用单晶硅、FTO玻璃或ITO柔性衬底。

6.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤2中紫外光采用波长365nm，功率为250mW的SP-9型紫外点光源。