一种基于硅片键合的真空封装结构的制作方法

文档序号:11190345阅读:1259来源:国知局
一种基于硅片键合的真空封装结构的制造方法与工艺

本实用新型涉及真空封装技术领域,具体为一种基于硅片键合的真空封装结构。



背景技术:

微机电的真空封装是一种采用密封腔体提供高气密的真空环境的封装技术,在微机电技术领域真空封装是至关重要的环节,是期间能够实际应用的关键一步,真空封装使得微机电期间的可动部分处于真空环境下,保证微机电期间的质量,在微机电技术领域,普遍采用吸气剂来吸收腔体内部缓慢释放的气体、水分等污染物,现有的技术通常采用的是非蒸散型吸气剂,而在键合的过程中由于会产生水分,无法完全吸收可能导致的真空度降低,这就会对实际的微机电器件的使用造成影响。



技术实现要素:

针对以上问题,本实用新型提供了一种基于硅片键合的真空封装结构,密封效果好,使用寿命长,可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种基于硅片键合的真空封装结构,包括基底硅片和封盖硅片,所述基底硅片的上表面固定安装有阻气层和支撑垫片,且支撑垫片设置在阻气层的左右两端,在基底硅片的上方固定安装有空腔结构,所述空腔结构的下方为基底硅片,在空腔结构的内部固定安装有吸气剂,所述吸气剂悬置安装在空腔结构的内部,所述空腔结构的数量为多个,多个空腔结构在基底硅片的上方平行排列;所述封盖硅片固定安装在基底硅片的上方,且封盖硅片与基底硅片之间通过支撑垫片固定连接,在封盖硅片的下表面固定安装有第一聚合物层,且封盖硅片通过第一聚合物层完全涂覆在基底硅片的上表面,在封盖硅片的上方还固定安装有聚合物层,且相邻的聚合物层之间通过隔离层相互分开。

作为本实用新型一种优选的技术方案,所述空腔结构的顶端固定安装有排气孔道。

作为本实用新型一种优选的技术方案,所述支撑垫片的数量为两个。两个支撑垫片对称安装在空腔结构的左右两端。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该基于硅片键合的真空封装结构,通过设置基底硅片和封盖硅片,使得基底硅片与封盖硅片之间形成空腔结构,设置支撑垫片,使得支撑垫片不仅能够支撑封盖硅片,而且有效连接基底硅片与封盖硅片,设置吸气剂,且吸气剂能够悬置安装在空腔结构的内部,同时配合安装在封盖硅片两端的支撑垫片,防止空腔结构的内部结构受到破坏,设置阻气层,同时配合聚合物层以及隔离层 的使用,通过吸气剂吸收水分等杂质,进行密封,且在空腔结构的顶端设置有排气孔道,在封装过程中,排气孔道闭合,排出气体,增加了空腔结构内部的真空环境,提高了内部器件的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图中:1-基底硅片;2-封盖硅片;3-阻气层;4-支撑垫片;5-空腔结构;6-吸气剂;7-第一聚合物层;8-聚合物层;9-隔离层;10-排气孔道。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

实施例:

请参阅图1,本实用新型提供一种技术方案:一种基于硅片键合的真空封装结构,包括基底硅片1和封盖硅片2,基底硅片1的上表面固定安装有阻气层3和支撑垫片4,且支撑垫片4设置在阻气层3的左右两端,在基底硅片1的上方固定安装有空腔结构5,空腔结构5的顶端固定安装有排气孔道10,空腔结构5的下方为基底硅片1,在空腔结构5的内部固定安装有吸气剂6,吸气剂6悬置安装在空腔结构5的内部,空腔结构5的数量为多个,多个空腔结构5在基底硅片1的上方平行排列;封盖硅片2固定安装在基底硅片1的上方,且封盖硅片2与基底硅片1之间通过支撑垫片4固定连接,在封盖硅片2的下表面固定安装有第一聚合物层7,且封盖硅片2通过第一聚合物层7完全涂覆在基底硅片1的上表面,在封盖硅片2的上方还固定安装有聚合物层8,且相邻的聚合物层8之间通过隔离层9相互分开。

本实用新型的工作原理:

该基于硅片键合的真空封装结构,通过设置基底硅片1和封盖硅片2,使得基底硅片1与封盖硅片2之间形成空腔结构5,设置支撑垫片4,使得支撑垫片4不仅能够支撑封盖硅片2,而且有效连接基底硅片1与封盖硅片2,设置吸气剂6,且吸气剂6能够悬置安装在空腔结构5的内部,同时配合安装在封盖硅片2两端的支撑垫片4,防止空腔结构5的内部结构受到破坏,设置阻气层3,同时配合聚合物层8以及隔离层9的使用,通过吸气剂6吸收水分等杂质,进行密封,且在空腔结构5的顶端设置有排气孔道 10,在封装过程中,排气孔道10闭合,排出气体,增加了空腔结构内部的真空环境,提高了内部器件的使用寿命。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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