1.一种体硅SOG工艺，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在预加工的单晶硅的上表面涂覆一层具有第一预定厚度的光刻胶；
步骤二、利用所述光刻胶做掩膜，在所述单晶硅的上表面刻蚀出具有第二预定厚度的台阶；
步骤三、在所述单晶硅的上表面的非台阶部分制作一层具有第三预定厚度的Al材料层；
步骤四、去除所述光刻胶；
步骤五、在预定条件下，将步骤四中得到的所述单晶硅翻转，使所述单晶硅的原上表面与预加工的玻璃阳极表面进行对位和键合；
步骤六、在键合完成后的结构中，将所述单晶硅的原下表面进行减薄处理，使得所述单晶硅的具有所述台阶部分的厚度为第四预定厚度；
步骤七、在所述单晶硅的原下表面溅射具有第五预定厚度的Al材料层，并光刻、腐蚀出Al电极；
步骤八、在所述单晶硅的具有Al电极的表面依次进行涂光刻胶、光刻处理；
步骤九、依次进行刻蚀、结构释放处理；
步骤十、去除所述光刻胶及所述单晶硅的原上表面附着的Al材料层，得到MEMS器件结构。
2.根据权利要求1所述的体硅SOG工艺，其特征在于，在所述步骤二中，包括：
步骤2.1、在具有所述光刻胶的所述单晶硅的整个上表面，沉积一层所述第三预定厚度的Al材料层；
进一步，在所述步骤四中，还包括：
去除所述光刻胶的表面附着的Al材料层。
3.根据权利要求1所述的体硅SOG工艺，其特征在于，在所述步骤一中，所述单晶硅为双抛的111晶向单晶硅。
4.根据权利要求1所述的体硅SOG工艺，其特征在于，所述第一预定厚度为2μm；所述第二预定厚度为20μm；所述第三预定厚度为100nm；所述第四预定厚度为120μm；所述第五预定厚度为2μm。
5.根据权利要求1所述的体硅SOG工艺，其特征在于，在所述步骤五中，所述第一预定条件为：
在键合机中进行对位和键合处理，其中：
温度为350℃，极板压力为1000N，电压为1000V，真空度为3×10-3mbar，时间为10分钟。
6.根据权利要求1所述的体硅SOG工艺，其特征在于，在所述步骤六中，是通过研磨机对所述单晶硅的原下表面进行减薄处理。