技术特征：
技术总结
本发明属于电子材料与元器件技术领域，具体涉及一种加热电极埋入式MEMS器件及其制备方法。本发明所提供的加热电极埋入式MEMS器件，包括基底，其特征在于，所述基底上沉积有第一介质膜，所述第一介质膜上设有凹槽，凹槽中设有加热电极，所述加热电极上覆盖有带有接触孔的第二介质膜，所述第二介质膜上设有测试电极，且所述加热电极与测试电极通过第二介质膜完全隔离。本发明可以有效解决由电极金属丝在不完全剥离时在水平和垂直方向上产生的金属残留所造成的加热电极自身短路，以及加热电极与测试电极间漏电的问题。
技术研发人员：宋焱
受保护的技术使用者：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
技术研发日：2017.12.15
技术公布日：2018.04.17