本申请涉及超滑材料，尤其涉及一种超滑结构的滑移面状态控制方法和超滑器件结构。、二维材料，如石墨烯、氮化硼、二硫化钼、二硫化钨等，其载流子迁移和热量扩散都被限制在二维平面内，使得这种材料展现出许多奇特的性质，成为研究的热点。利用部分微米级别的二维材料在层间剪切后仍能自发地回复到原来的位置的性...

本发明涉及有序合金铁磁性纳米线结构体及其制造方法。、具有强垂直磁各向异性(pma：perpendicular magnetic anisotropy)和大的矫顽磁力(hc)的铁磁性体，以应用于磁阻式随机存取存储器(mram：magnetoresistive randomaccess mem...

本发明涉及微电子器件，尤其涉及一种机电耦合器件单元及其制备与应用。、机电耦合效应是一种电气和机械形式转化，这种转换效应通常被称为压电或电致伸缩效应。其在半导体工业，尤其是电子芯片中的机械驱动和传感微结构有着重大应用前景，如“mems”器件。目前的电致伸缩应用主要集中在氧化物或者弛豫铁电体中...

本发明涉及mems制造工艺，具体为一种mems高深宽比结构的形成方法。、在微机电系统(mems,micro-electro-mechanical system)加工工艺中，有一种独特的干法刻蚀工艺，即深反应离子刻蚀工艺(deep reactive ion etching，drie)，该工艺...

本申请涉及硅通孔，具体而言，涉及一种微机电器件硅通孔的制作方法、及微机电器件。、作为d封装关键技术和典型应用，硅通孔技术(即tsv技术)已逐渐趋于成熟。硅通孔是一种垂直互联结构，能实现从电路层的一面到另一面的电气连接。硅通孔制造技术路线有许多种方案，但均涉及双面制程，需要先从正面制作得到硅...

本发明涉及神经科学领域，具体涉及一种基于pedot∶pss界面的柔性透明神经电极及其制备方法。、神经电极作为神经和外部设备的接口，能直接记录神经电信号，其机械性能和界面性能对神经环路的研究和神经疾病的治疗至关重要。目前神经电极主要分为刚性电极和柔性电极，柔性电极基于其和生物组织之间相仿的机...

本申请涉及超滑材料，尤其涉及一种超滑结构及其制备方法。、二维材料，如石墨烯、氮化硼、二硫化钼、二硫化钨，其载流子迁移和热量扩散都被限制在二维平面内使得这种材料展现出许多奇特的性质，成为研究的热点。目前，利用部分微米级别的二维材料在层间剪切后仍能自发地回复到原来的位置的性质发展了结构超滑技术...

本发明涉及光电，特别是涉及一种提高光电阴极光谱利用率的微纳光窗、提高光电阴极光谱利用率的微纳光窗的制备方法及光学组件。、在光电管、光电倍增管等光电器件中，将不同波长的辐射信号转化为电信号，均依靠光阴电极。光电阴极利用的是光电发射效应，其基本工作过程是把光信号变成电信号后将电子发射出去。光电...

本发明从一种微机械装置出发，所述微机械装置具有mems芯片和ic芯片，所述mems芯片具有空穴，所述ic芯片具有ic基底和至少一个ic功能层，其中，ic芯片与mems芯片如此连接，使得ic功能层布置在ic基底和空穴之间。、微机械传感器通过晶圆键合工艺与周围大气密封地封闭，以便一方面使该微机...

本发明涉及一种惯性传感器的调频工艺，具体地涉及一种高性能惯性传感器的工艺制备流程中在线调频方法。、各种各样的应用，尤其是惯性导航系统，制导系统和航空数据测量系统等航空航天应用，都需要具有接近微重力分辨率，高灵敏度，高线性度和低偏置漂移的高性能加速度计和陀螺仪。、其中，陀螺结构一般分为驱动和...

本申请涉及微机电器件，具体而言，涉及一种微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件。、在微机电器件(mems，micro-electro-mechanical system)的加工制备领域，硅通孔结构广泛应用于很多产品中。随着需求的发展，许多产品要求具有上下不同尺寸的硅通孔结构，针对这一...

本发明涉及封装产品，尤其涉及一种封装产品及电子设备。、轮胎压力监测系统(tpms，英文全称：tire pressure monitoring system)，其作用是在汽车行驶过程中对轮胎气压进行实时自动监测，并对轮胎漏气和低气压进行报警，以确保行车安全。传统的tpms器件是在内封装芯片打...

本发明属于mems器件封装，具体涉及一种基于钛硅欧姆接触的密封方法。、在mems工艺，针对准备干法刻蚀出硅微结构和密封封装引出导电信号的硅片，当其蒸镀电极焊盘后进行高温合金化欧姆接触工艺时遇到的封装可靠性变差的难题。、如图，经过研磨减薄双面抛光后的中间硅层与silicon on i...

本发明属于微机电系统mems(micro-electro-mechanical-systems)领域，涉及原子钟、磁强计、原子陀螺仪等原子器件，具体涉及一种基于mems工艺的碱金属原子气室结构及其制作方法。、碱金属原子气室是原子钟、磁强计、原子陀螺仪等原子器件的核心部件，碱金属气室的性能好...

本发明涉及一种超表面探测器及其制造方法，具体涉及到在面阵光电探测器表面镀膜，利用聚焦离子束(fib)在膜层表面直写所需超表面结构的技术，能够使探测器具备探测偏振、光谱、相位等能力并且尽可能减小衍射效应对超表面性能的影响。、超表面全称超构表面，是超材料的一种特殊形式，由于其厚度(通常为几百纳...

本公开涉及一种mems设备。、众所周知，压电材料使得能够从电能转换为机械能，或从机械能转换为电能。、具体地，已知mems(微机电系统)设备具有一个或多个具有压电层(例如，薄膜类型)的可变形结构(例如，悬置在腔之上的结构，诸如悬臂)，并且其作为致动器、传感器或能量收集器来操作。、事实上，当m...

本公开涉及微机电设备和用于制造微机电设备的工艺。、众所周知，一些微机电设备对应力特别敏感，这可能导致变形，即使是很小的变形。例如，不同的薄膜传感器和换能器，例如压力传感器和电声换能器，受到容纳它们的封装所传递的机械应力的影响。应力可能有多种来源。其中最常见的是由于暴露于强烈的温度变化或由于...

本公开涉及微机械或微机电器件以及微机电换能器，具体地，该结构包括具有在其中延伸的一个或多个防粘滞凸块的掩埋腔。、众所周知，集成压力传感器可以采用微制造技术。这些传感器通常包括被悬置在半导体主体中具有的腔之上的薄膜或隔膜。彼此连接的压阻元件形成在膜内，并且连接在惠斯通电桥中。当受到压力时，膜...

本发明涉及阵列的mems压阻式触觉传感器与asic芯片集成，以及对阵列的mems压阻式触觉传感器的抗环境干扰、气密性、抗振动封装设计。更具体地说，使阵列的mems压阻式触觉传感器与asic芯片进行电气连接的设计与制造方法，以及涉及一种实现了集成力作用力可动结构的同时又对阵列的mems压阻式触觉传感...

本发明属于半导体材料原子及近原子尺度极端制造领域，尤其涉及一种光电协同催化半导体原子刻蚀的异质工具制备及刻蚀方法。、随着生物医疗，光学精密工程，光电高功率器件，新型半导体制造等领域的蓬勃发展，对自上而下的制造效率及制造精度提出了更高的要求。例如光电功率器件领域中，纳米晶体管中电路的超高精度...