本发明属于光刻微纳加工，具体涉及一种用于微纳器件的叠层结构及其制备方法。、常见的剥离工艺是指衬底经过涂布光刻胶、曝光、显影后，以具有一定图形的光刻胶膜为掩模，带胶沉积所需的材料，然后在去除光刻胶的同时，把沉积在胶膜上的材料一起剥离干净，在衬底上只剩下原刻出图形的材料，与衬底形成叠层结构。作...

本发明涉及纳米结构制备，尤其涉及一种适于疏水基底的阳极氧化铝模板转移方法及装置。、阳极氧化铝模板，厚度仅为几十到几百纳米，广泛应用于纳米点阵列、纳米线阵列等的制备以及基底表面图案化处理等。阳极氧化铝模板孔径均一，孔排列短程有序，氧化铝的材质使其在可见光波段是透明的，而且是电绝缘的。阳极氧化...

本发明涉及掩膜版，具体涉及一种具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法。、在平板显示领域，薄膜晶体管是制作显示装置的关键器件，而在制作薄膜晶体管的过程中，掩膜版是一个必不可少的工具。掩膜版，业内又称为光罩或掩模板，该产品是由石英玻璃作为衬底，在其上面镀上一层金属铬和感光胶，成为一种感光...

本发明涉及触觉传感器，更具体地说，涉及一种基于soi封装的高灵敏度mems触觉传感器。、基于微机电系统(micro-electro-mechanical system,mems)技术的触觉传感器可以检测微小的力、压力或表面的细微变化，具有广泛的应用前景，尤其在触觉感知、机器人技术、医疗设备...

在第一方面，本发明涉及一种生产用于半导体部件的过孔的方法。半导体部件包括由竖向沟槽包围的过孔区域。竖向沟槽仅部分地填充有电介质，因此，特别地，显着减小了出现的寄生电容。在另一方面，本发明涉及通过根据本发明的方法生产的半导体部件。、过孔是指传导路径层之间的竖向电连接部，常见于半导体部件中。过...

本技术涉及一种mems芯片封装技术，尤其涉及一种针对mems芯片能降低残余应力影响的封装结构。、mems芯片是指微机电系统（micro-electro-mechanical systems）芯片，也被称为微机电系统集成电路。它通过微纳制造技术将微小的机械部件制造在芯片表面上，并与电路元件相...

本发明涉及电子，尤其涉及一种微通道阵列及其制备方法和应用。、微通道阵列是一种数以百万计的微米级玻璃通道构成的薄片式微通道阵列，具有非常大的内比表面积。微通道阵列能利用其通道内壁实现对气体、光子或微粒的吸收，在储气、光吸收、过滤和催化等领域有广泛应用。、由于气体、光子或微粒只有进入微通道阵列...

本发明属于惯性传感器，具体涉及一种全质量块mems惯性传感器及其制备方法。、mems惯性传感器具有体积小、质量轻等特点，适用于无人机、小型导弹等各类飞行器领域及稳定平台、无人驾驶等领域。mems多轴惯性传感器分为mems多轴加速度计和mems多轴陀螺仪，mems多轴加速度计是用来测量空间加...

本发明属于微纳结构合成制备领域，具体涉及一种用于电磁场增强的纳米阵列及其制备方法和应用。、表面等离激元共振效应(spr)是电子在一定外场作用下，于金属表面产生集体振荡产生的。spr引发了一些有趣的物理现象，如超光传输(eot)、光捕获和热点。这些物理现象延伸出了光学传感、成像等应用。、表面...

本技术涉及红外光源的，尤其涉及一种高性能的新型mems红外光源。、红外光源作为红外应用系统的核心部件，其主要功能是为红外传感器提供一定波段的红外光。目前的红外光源有热辐射式（包括mems红外光源、白炽灯等）、半导体式、气体放电式和红外激光器等。然而，传统的红外光源存在功耗高、电光转换效率低...

本发明涉及半导体，特别涉及一种金银核壳纳米球阵列制备方法及金银核壳纳米球阵列。、周期性排列的贵金属纳米材料，如金、银、铂、钯等，具有表面增强拉曼散射(sers)效应而得到广泛的应用。相比于单金属纳米材料，具有协同效应的双金属纳米阵列可以通过改变核壳种类、致密度、壳层厚度等使其具有非常优异的...

本发明属于微纳加工，具体涉及一种微纳结构的制备方法。、微纳加工是微纳光学、微机械微电子(mems)和芯片行业中的关键技术。其主要技术内涵是在玻璃、硅片等样品表面制备特定尺寸和形状的微纳结构。当前，微纳加工一般采用光刻刻蚀的技术路线，即首先通过光刻工艺在光刻胶上产生微纳图形，然后采用等离子体...

本技术属于半导体，具体涉及一种微型mems器件。、mems封装形式主要包括金属封装、陶瓷封装以及晶圆级封装。晶圆级封装由于成本低、尺寸小，近年逐渐成为主要研究方向。由于芯片焊盘尺寸和间距都很小，一般无法直接引出信号，晶圆级封装只是将真空封装做到了芯片级别，但仍需要通过引线键合到基板上才能实...

本发明涉及一种mems(micro electro mechanical system，微机电系统)传感器及mems传感器的制造方法。、专利文献公开了具备模腔、及堵塞模腔上的可动部的mems传感器。基于伴随模腔内的压力变动而产生的可动部的移动，检测mems传感器上产生的压力。、[现有技术文...

本发明涉及二维材料转移(tmdc二维材料图案化)，具体涉及一种基于软纳米压印的tmdc材料图案化方法。、目前常见的tmdc二维材料图案化方法是电子束光刻（ebl），其是一种高精度的微纳加工技术，可以在纳米尺度下制造复杂的结构和器件。其基本原理是使用电子束在光敏材料表面进行局部曝光，然后通过...

本技术属于半导体封装，具体涉及一种mems器件封装结构。、mems封装主要包括金属封装、陶瓷封装以及晶圆级封装。晶圆级封装由于成本低、尺寸小，近年逐渐成为主要研究方向。由于芯片焊盘尺寸和间距都很小，一般无法直接引出信号，晶圆级封装只是将真空封装做到了芯片级别，但仍需要通过引线键合到基板上才...

本发明涉及一种电容式微机械z加速度传感器。、用于测量加速度和转速的微机械惯性传感器针对在车辆和消费品中的不同应用在批量生产中制造。对于具有垂直于晶片平面的探测方向(z方向)的电容式加速度传感器，常常使用“摆杆结构(wippenstrukturen)”，如示范性地在图中在俯视图中和在横截面中...

本发明涉及半导体，特别涉及一种纳米圆盘阵列的制备方法及纳米圆盘阵列、生物传感器。、铜纳米圆盘阵列的制备方法主要有物理法和化学还原法。目前，化学还原法合成的铜纳米圆盘阵列的周期性比较差，制备的铜纳米圆盘阵列存在较多的缺陷，且需要使用较多的化学试剂，对环境造成的污染；目前铜纳米圆盘阵列的制备方...

本发明涉及一种mems(microelectromechanical system，微机电系统)传感器。、专利文献揭示一种mems传感器，其具备腔体、及形成在腔体上的硅隔膜。在密封腔体的硅隔膜形成有压电电阻。通过伴随腔体内的压力变动而产生的硅隔膜的移动来使压电电阻的值发生变化。、[现有技术...

本发明涉及一种用于传感器或麦克风装置的微机械构件。同样地，本发明涉及一种用于传感器或麦克风装置的微机械构件的制造方法。、从现有技术(例如de     al)已知分别构造有凹腔的微机械构件，其中，在相应的凹腔中布置有至少一个可调整的、由硅制成的致动器电极和至少一个紧固在绝缘层上的、由硅制成的...