本发明属于电解铜箔技术领域，具体涉及一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂及其沉积工艺。
背景技术：
随着电子、通讯、航天、电网、汽车等行业的快速发展，大功率的PCB也得到了快速发展。电子、通讯等设备的大功率电路板因电流较大，容易发热。铜箔作为电路板的神经，若铜箔厚度较小及表面粗糙度较高的话，很容易因发热而导致线路断裂，造成整块板坏掉，因此对铜箔的厚度及表面粗糙度需要一定的要求。铜箔厚度＜70μm的生产工艺中，可以通过用常规的整平剂控制铜箔毛面的粗糙度，然而当铜箔厚度≥70μm的生产工艺时，加入常规的整平剂来控制铜箔毛面的粗糙度已经不可能了。铜箔越厚，其毛面的晶体颗粒越大，粗糙度就越大。
技术实现要素：
为此，本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术的技术瓶颈，从而提出一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂。
为解决上述技术问题，本发明公开了一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂，所述复合添加剂包括3-巯基丙烷磺酸钠、乙撑硫脲、小分子明胶、十二烷基磺酸钠、羟乙基纤维素中的至少四种化合物。
优选的，所述复合添加剂包括如下组分：3-巯基丙烷磺酸钠含量10～100ppm、乙撑硫脲含量5～50ppm、小分子明胶10～100ppm、十二烷基磺酸钠20～150ppm、羟乙基纤维素20～200ppm。
优选的，所述复合添加剂包括如下组分：3-巯基丙烷磺酸钠30ppm、乙撑硫脲20ppm、小分子明胶30ppm、十二烷基磺酸钠50ppm、羟乙基纤维素50ppm。
优选的，所述复合添加剂包括如下组分：3-巯基丙烷磺酸钠50ppm、乙撑硫脲30ppm、小分子明胶30ppm、十二烷基磺酸钠100ppm、羟乙基纤维素100ppm。
一种任一项所述复合添加剂在用于沉积铜箔过程中的工艺，所述工艺流程如下：
取铜含量为60～100g/L，硫酸含量为80～150g/L，氯离子为30ppm，温度为35～60℃的电解液，然后向所述电解液中添加所述复合添加剂，使电解液在流量为40～70m3/h，电流密度4500～9000A/m2的参数下进行电沉积。
优选的，所述工艺步骤如下：
取铜含量为60～80g/L，硫酸含量为80～120g/L，氯离子为30ppm，温度为35～45℃的电解液，然后向所述电解液中添加所述复合添加剂，使电解液在流量为40～50m3/h，电流密度4500～6000A/m2的参数下进行电沉积。
优选的，所述工艺步骤如下：
取铜含量为80～100g/L，硫酸含量为100～150g/L，氯离子为30ppm，温度为40～60℃的电解液，并向所述电解液中添加所述复合添加剂，使电解液流量为50～70m3/h，电流密度6000～9000A/m2条件下进行电沉积。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：提供一种毛箔的晶体颗粒更为均匀，更为细小，适度降低毛面粗糙度，并且具有高的抗拉、延伸率性能的新型毛箔，毛箔的制造使用了新型添加剂，此种电解铜箔各项性能适合汽车行业、电网、通讯等大功率电路板使用。用本发明添加剂制造出来的铜箔电结晶颗粒更加均匀、细化，铜箔具有较高的抗拉和延伸率性能，且维持一定的剥离强度。
具体实施方式
实施例1：
本实施例公开了一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂，所述添加剂的组分如下:
所述复合添加剂组成为：3-巯基丙烷磺酸钠30ppm、乙撑硫脲20ppm、小分子明胶30ppm、十二烷基磺酸钠50ppm、羟乙基纤维素50ppm，该有机混合添加剂流量为400mL/min。
一种所述复合添加剂在用于沉积铜箔过程中的工艺，所述工艺流程如下：
取铜含量为70g/L，硫酸含量为100g/L，氯离子为30ppm，温度为40℃的电解液，然后向电解液中添加所述复合添加剂，使电解液在流量为45m3/h，电流密度5000A/m2的参数下进行电沉积。
实施例效果：本实施例制备的140微米电解铜箔，其毛面粗糙度Rz≤5m，常态抗拉强度≥400Mpa，常态延伸率≥15％，180℃抗拉强度≥250Mpa，180℃延伸率≥10％，抗剥≥3.0N/cm。
实施例2：本实施例公开了一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂，所述添加剂的组分如下:
所述复合添加剂组成为：3-巯基丙烷磺酸钠50ppm、乙撑硫脲30ppm、小分子明胶30ppm、十二烷基磺酸钠100ppm、羟乙基纤维素100ppm，该有机混合添加剂流量为500mL/min。
一种所述复合添加剂在用于沉积铜箔过程中的工艺，所述工艺流程如下：
采用电解液中铜含量90g/L，硫酸含量120g/L，氯离子30ppm，温度50℃的参数配合，并向电解液中添加有机混合添加剂，使电解液流量为60m3/h，电流密度7500A/m2条件下进行电沉积。
实施例效果：本实施例制备的210微米电解铜箔，其毛面粗糙度Rz≤8m，常态抗拉强度≥400Mpa，常态延伸率≥15％，180℃抗拉强度≥250Mpa，180℃延伸率≥10％，抗剥≥4.0N/cm。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。