1.一种光电检测电路，其特征在于：它包括用于将光信号转换为电信号的三极管单元，用于提供偏置电流的可配置参考电流电路，用于提供差分电流的差分电流生成电路，以及用于整形输出的差分转单端输出整形电路；配置参考电流电路连接差分电流生成电路，差分电流生成电路分别与三极管单元相连，差分转单端输出整形电路连接到差分电流生成电路与三极管单元的公共节点上。
2.根据权利要求1所述的一种光电检测电路，其特征在于：所述的三极管单元包括第一三极管和第二三极管，第一三极管为光电三极管，光电三极管集电极接地，基极悬空，发射极接差分电流生成电路的第一输出端和差分转单端输出整形电路的负向输入端，第二三极管集电极和基极接地，发射极接差分电流生成电路的第二输出端和差分转单端输出整形电路的正向输入端；
或者三极管单元包括第一三极管和MOS管，第一三极管为光电三极管，光电三极管集电极接地，基极悬空，发射极接差分电流生成电路和差分转单端输出整形电路，MOS管源极接电源，栅极和漏极短接并连接到差分转单端输出整形电路。
3.根据权利要求2所述的一种光电检测电路，其特征在于：所述的光电三极管通过标准CMOS工艺实现，对于P衬底工艺，通过P型衬底、N阱和P+注入形成光电三极管；对于N衬底工艺，通过N型衬底、P阱和N+注入形成光电三极管。
4.根据权利要求2或3所述的一种光电检测电路，其特征在于：所述的三极管单元中两个三极管的比例为1:1，光电三极管在版图设计时，基极所在区域，需要增加金属阻挡层和Salicide阻挡层以保证光信号能够直接照射到三极管的基极区域。
5.根据权利要求4所述的一种光电检测电路，其特征在于：所述的配置参考电流电路由若干PMOS支路组成，每条PMOS支路由上PMOS管和下PMOS管组成，所有上PMOS管的源极连接电源电压，栅极连接第一偏置电压信号，所有上PMOS管的漏极分别连接其对应下PMOS管的源极，所有下PMOS管的栅极连接逻辑控制信号，所有下PMOS管的漏极连在一起构成配置参考电流电路的输出端。
6.根据权利要求5所述的一种光电检测电路，其特征在于：所述的差分电流生成电路由左PMOS管和右PMOS管组成，左PMOS管和右PMOS管的源极短接并连接配置参考电流电路的输出端，栅极连在一起并与第二偏置电压信号相连，漏极分别输出差分电流信号I-和I+。
7.根据权利要求6所述的一种光电检测电路，其特征在于：所述的差分转单端输出整形电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，第一PMOS管和第二PMOS管的源极接电源，栅极短接，第一PMOS管的栅极和漏极短接，并连接第一NMOS管的漏极，第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连作为输出信号，第一NMOS管和第二NMOS管的栅极连接差分输入信号，源极接地。
8.根据权利要求4所述的一种光电检测电路，其特征在于：所述的配置参考电流电路由若干NMOS支路组成，每条NMOS支路由上NMOS管和下NMOS管组成，所有下NMOS管的源极接地，栅极连接第一偏置电压信号，漏极分别连接对应上NMOS管的源极，所有上NMOS管的栅极连接逻辑控制信号，漏极连在一起构成配置参考电流电路的输出端。
9.根据权利要求8所述的一种光电检测电路，其特征在于：所述的差分电流生成电路由2M条NMOS支路和M-1位反相器组成，将2M条NMOS支路分为两个组，第一组和第二组均含有M条支路，每个组中均有一条支路仅含单独NMOS管，其余M-1条支路的每条支路均由上NMOS管和下NMOS管组成，第二偏置电压信号连接两个单独NMOS管以及两组下NMOS管的栅极，M-1位逻辑控制信号分别按位连接第一组上NMOS管的栅极，M-1位逻辑控制信号经过M-1位反相器反相后分别按位连接第二组上NMOS管的栅极，第一组的单独NMOS管、下NMOS管以及第二组的单独NMOS管、下NMOS管的源极短接在一起并连接到配置参考电流电路的输出端，第一组下NMOS管的漏极分别连接相应的上NMOS管的源极，第一组上NMOS管的漏极与第一组单独NMOS管的漏极短接连接到第一节点，第二组下NMOS管的漏极分别连接相应的上NMOS管的源极，第二组上NMOS管的漏极与第二组单独NMOS管的漏极短接连接到第二节点。
10.根据权利要求9所述的一种光电检测电路，其特征在于：所述的差分转单端输出整形电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地，栅极短接，第一NMOS管的栅极和漏极短接，并连接第一PMOS管的漏极，第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极相连作为输出信号，第一PMOS管和第二PMOS管的栅极连接差分输入信号，源极接电源。