1.一种显示高阻尼锰基铜合金晶粒边界的腐蚀剂，其特征在于：包括饱和苦味酸溶液和体积分数为5％～15％的硝酸酒精溶液，且饱和苦味酸溶液与硝酸酒精溶液按体积分数比为1：0.8～1.2。
2.根据权利要求1所述的显示高阻尼锰基铜合金晶粒边界的腐蚀剂，其特征在于：所述饱和苦味酸溶液与5％～15％的硝酸酒精溶液的体积分数比在1：0.9～1.1。
3.根据权利要求1所述的显示高阻尼锰基铜合金晶粒边界的腐蚀剂，其特征在于：所述饱和苦味酸溶液与5％～15％的硝酸酒精溶液的体积分数比在1：1。
4.根据权利要求1至3之一所述的显示高阻尼锰基铜合金晶粒边界的腐蚀剂，其特征在于：所述的硝酸酒精溶液是体积分数为10％的硝酸酒精溶液。
5.一种显示高阻尼锰基铜合金晶粒边界的腐蚀方法，其特征在于：应用权利要求1所述的腐蚀剂对Mn＞70％和Cu＞20％的高阻尼锰基铜合金进行金相腐蚀，包括如下步骤：
⑴、试样制备：切取高阻尼锰基铜合金试样，对高阻尼锰基铜合金试样的横向面按常规方法进行粗磨、细磨、抛光、清洗、吹干，制得到高阻尼锰基铜合金试样；
⑵、腐蚀液配比：将饱和苦味酸溶液与5％～15％的硝酸酒精溶液按体积分数比在1：0.8～1.1.2充分混合后，常温放置至少10min；
⑶、试样腐蚀：将高阻尼锰基铜合金试样的抛光面朝上并置入腐蚀剂中，经过至少4min腐蚀后，取出腐蚀后的高阻尼锰基铜合金试样，用流水冲洗并用酒精清洗吹干，浸蚀完成晶界显示；
⑷、晶粒判断：在显微镜下以100倍观察并得到晶粒显示照片，并采用对比法或网格法或截点法进行晶粒判断；
在上述高阻尼锰基铜合金试样制备和腐蚀液配比步骤不受限止，可同时进行或顺序可以调整。
6.根据权利要求5所述的显示高阻尼锰基铜合金晶粒边界的腐蚀方法，其特征在于：腐蚀液配比时，将饱和苦味酸溶液与5％～15％的硝酸酒精溶液的体积分数比按1：0.8～1.2充分混合，常温下放置至少10min。
7.根据权利要求5所述的显示高阻尼锰基铜合金晶粒边界的腐蚀方法，其特征在于：腐蚀液配比时，将饱和苦味酸溶液与5％～15％的硝酸酒精溶液的体积分数比按1：0.9～1.1充分混合，常温下放置至少10min。
8.根据权利要求5所述的显示高阻尼锰基铜合金晶粒边界的腐蚀方法，其特征在于：所述高阻尼锰基铜合金试样在腐蚀剂中腐蚀4min后，观察到高阻尼锰基铜合金试样的腐蚀面完全变成紫铜色时腐蚀结束。