能适应不同引线长度的高压瓷介电容器电容测试仪的制作方法

本申请涉及一种电容器生产时的检验装置，特别是一种能适应不同引线长度的高压瓷介电容器电容测试仪。

背景技术：

电容器是一种储能元件，其功用在于暂时储存电路中的电能，它是以电荷的形式来储存能量。在电路中，电容器常用于调谐、滤波、 耦合、旁路、能量转换和延时。

电容器的构造是由两片非常靠近的电极导体所构成，当电路中的 电压升高时，电极上会积存更多的电荷，因此，电压越高或电极导体的面积越大，可以储存的电荷量便越多，电容值也越大；此外，两片电极之间的距离与其中间的介电物质(绝缘体)的介电特性也会影响电容值，电极靠得越近，由于正负电荷相互吸引的关系，电极上就会累积较多的电荷，所以电容越大；至于介电物质对于电容的影响，若介电常数越大，则电极上会累积较多的电荷，所以电容越大。

高压瓷介电容器(wire-type ceramic capacitor)是以陶瓷作为介电物质，其于陶瓷基体两面镀金属导，形成电极，再在电极表面焊上金属引线(metal wire)以作为可与电路板电性连接的输出入端子。高压瓷介电容器地特点是体积小，耐热性好、损耗小、 绝缘电阻高及介电常数大，因此适用于高压与高频电路。

近年来科技发展日新月异，各类电子产品日益普遍，所以需要应用大量的电容器，例如液晶显示器的电源供应器必须使用高精度的高压瓷介电容器，其工作在100伏特至5000伏特之间的交流电压，电容值在数微微法拉(pF)至数十微微法拉之间，且其误差必须等于或小于±1％。

现有的高压瓷介电容器检测，主要是依靠人工操作，也即人工将高压瓷介电容器的引线插在电容检测仪的插线槽内，进行电容值检测。然而，由于不同高压瓷介电容器，其电极引线的长度存在着偏差，人工测量时，由于压紧力度不可控，将导致电极引线与插线槽的插接接触不良，从而导致测试结果不准确，可能导致误判。

技术实现要素：

本申请要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，而提供一种能对不同长度电极引线，均能进行测量，电极引线与插线槽之间的插接配合好，测量准确度高的能适应不同引线长度的高压瓷介电容器电容测试仪。

为解决上述技术问题，本申请采用的技术方案是：

一种能适应不同引线长度的高压瓷介电容器电容测试仪，包括电容测试仪本体，高压瓷介电容器具有两根电极引线，电容测试仪本体包括检测治具和压盖；检测治具与电容测试仪本体通过数据线相连接，检测治具固定于底座上，检测治具的上表面设置有两个相互平行的竖向凹槽；两个竖向凹槽中心线之间的垂直距离等于两根电极引线之间的垂直距离；每个竖向凹槽内均设置有一个能与电极引线相插接配合的插线槽，该插线槽的底部通过弹簧与竖向凹槽的底部固定连接；压盖设置在检测治具的正上方，且压盖的高度能够升降。

所述高压瓷介电容器呈圆形，压盖的底部设置有与高压瓷介电容器顶部相配合的圆弧。

所述压盖通过升降杆固定设置在底座的一侧。

所述升降杆上设置有能检测升降杆升降位移的位移传感器。

所述压盖底部设置有压力传感器。

本申请采用上述结构后，人工或自动将待检测的高压瓷介电容器的电极引线放入检测治具的插线槽内，然后，压盖下降，对高压瓷介电容器的顶部施加一个设定压力，然后读出电容值读数即可。测试完成后，压盖上升至初始位置。

附图说明

图1是本申请一种能适应不同引线长度的高压瓷介电容器电容测试仪的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体较佳实施方式对本申请作进一步详细的说明。

如图1所示，一种能适应不同引线长度的高压瓷介电容器电容测试仪，其中有电容检测仪本体1、检测治具2、竖向凹槽3、弹簧4、插线槽5、底座6、压盖7、高压瓷介电容器8和电极引线9等主要技术特征。

高压瓷介电容器具有两根电极引线。

一种能适应不同引线长度的高压瓷介电容器电容测试仪，包括电容测试仪本体，电容测试仪本体包括检测治具和压盖；检测治具与电容测试仪本体通过数据线相连接，检测治具固定于底座上，检测治具的上表面设置有两个相互平行的竖向凹槽；两个竖向凹槽中心线之间的垂直距离等于两根电极引线之间的垂直距离；每个竖向凹槽内均设置有一个能与电极引线相插接配合的插线槽，该插线槽的底部通过弹簧与竖向凹槽的底部固定连接；压盖设置在检测治具的正上方，且压盖的高度能够升降。

所述高压瓷介电容器呈圆形，压盖的底部设置有与高压瓷介电容器顶部相配合的圆弧。

所述压盖通过升降杆固定设置在底座的一侧。

所述升降杆上设置有能检测升降杆升降位移的位移传感器。

所述压盖底部设置有压力传感器，该压力传感器能对压盖与高压瓷介电容器顶部的压力进行实时监测。

本申请采用上述结构后，人工或自动将待检测的高压瓷介电容器的电极引线放入检测治具的插线槽内，然后，压盖下降，对高压瓷介电容器的顶部施加一个设定压力，然后读出电容值读数即可。测试完成后，压盖上升至初始位置。

以上详细描述了本申请的优选实施方式，但是，本申请并不限于上述实施方式中的具体细节，在本申请的技术构思范围内，可以对本申请的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本申请的保护范围。