1.IGBT寿命测试装置，其特征在于，其包括：
一个选择模块(100)，其连接于复数个IGBT模块，用于选通复数个IGBT模块的其中一个或多个进行测试；
一个采样模块(200)，其用于采集所述选择模块选取的一个或多个IGBT模块的发射极集电极电压(Vce)；
一个调理模块(300)，其用于接收来自所述采样模块(200)的一个或多个IGBT模块的发射极集电极电压(Vce)，并将发射极集电极电压(Vce)放大；
一个比较模块(400)，其中预存有一阈值电压，所述比较模块(400)用于接收所述调理模块(300)放大后的发射极集电极电压(Vce)与所述阈值电压进行比较，当所述放大后的发射极集电极电压(Vce)小于所述阈值电压时，则判断该发射极集电极电压(Vce)对应的IGBT模块失效并触发报警信号。
2.根据权利要求1所述的IGBT寿命测试装置，其特征在于，所述采样模块(200)包括：
一个电压传感器(210)，其第一输入端和第二输入端耦合至所述一个或多个IGBT模块的发射极集电极电压(Vce)，其第一输入端依次连接有一第一电源(P1)和一个第一二极管(D1)，所述第一二极管(D1)的正极还串联有一个第一电阻(R1)，所述电压传感器(210)的第一输出端和第二输出端分别连接至一第二电源(P2)的正负极，所述电压传感器(210)的第三输出端所述一个或多个IGBT模块的发射极集电极电压(Vce)信号。
3.根据权利要求2所述的IGBT寿命测试装置，其特征在于，所述电压传感器(210)为霍尔电压传感器。
4.根据权利要求2所述的IGBT寿命测试装置，其特征在于，所述电压传感器(210)的第三输出端还分别连接有一个第二电阻(R2)和第一电容(C1)，所述第二电阻(R2)和所述第一电容(C1)的另一端接地，所述电压传感器(210)的第一输入端和第二输入端还串联有一个第二电容(C2)。
5.根据权利要求2所述的IGBT寿命测试装置，其特征在于，所述调理模块(300)包括：
一个第一运算放大器(OA1)，其反向输入端连接至输出端，其正向输入端接收IGBT的发射极集电极电压(Vce)，所述第一运算放大器(OA1)的输出端还依次连接有一第四电阻(R4)和第五电阻(R5)；
一个第二运算放大器(OA2)，其反向输入端连接至其输出端，其正向输入端连接于所述第五电阻(R5)，在所述第四电阻(R4)和第五电阻(R5)之间的连接点与所述第二运算放大器(OA2)之间还连接有一第三电容(C3)
一个第三运算放大器(OA3)，其正向输入端耦合接至所述第二运算放大器(OA2)的输出端，所述第三运算放大器(OA3)的反向输入端连接至其输出端。
6.根据权利要求5所述的IGBT寿命测试装置，其特征在于，所述第一运算放大器(OA1)正向输入端连接有一第三电阻(R3)，所述第五电阻(R5)和所述第二运算放大器(OA2)的正向输入端之间还连接有一第四电容(C4)，所述第四电容(C4)另一端接地，所述第三运算放大器(OA3)的正向输入端还连接有一第六电阻(R6)，所述第三运算放大器(OA3)的输出端还连接有一第七电阻(R7)，所述第七电阻(R7)还连接有一第二二极管(D2)，所述第二二极管(D2)的正极连接至第三电源(Vcc)。
7.根据权利要求6所述的IGBT寿命测试装置，其特征在于，所述第一运算放大器(OA1)、第二运算放大器(OA2)、第三运算放大器(OA3)都耦合至所述第三电源(Vcc)。
8.根据权利要求1所述的IGBT寿命测试装置，其特征在于，所述比较模块(400)还包括一个比较器(CO)，其正向输入端输入经过调理模块(300)放大的IGBT模块的发射极集电极电压(Vce)，其反向输入端输入第一阈值电压(th)，所述比较器(CO)的输出端连接有一光电二极管(PD)，所述光电二极管(PD)的正极接地。
9.根据权利要求8所述的IGBT寿命测试装置，其特征在于，所述第一阈值电压(th)为IGBT发射极集电极电压(Vce)饱和导通压降的85％。